ວິທີການແກ້ໄຂຄວາມຜັນຜວນສູງໃນຖົງໃສ່ຖົງໃສ່ຫຼາຍຖົງ Silicon Epitaxy Graphite Susceptors?

ການແກ້ໄຂການເພີ່ມປະສິດທິພາບn ສໍາລັບຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ CVD SiC Coated Susceptors

ແກ້ໄຂບັນຫາຂອງຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາທີ່ບໍ່ເປັນເອກະພາບທີ່ເກີດຈາກການປ່ຽນແປງຂອງຖົງໃສ່ຖົງສູງ (1.4%) ໃນຫຼາຍຖົງຊິລິໂຄນ epitaxy graphite susceptors, VeTek Semiconductor ໄດ້ປັບປຸງຄວາມຮາບພຽງຂອງ susceptor ເປັນ <0.08mm ແລະຫຼຸດຜ່ອນການປ່ຽນແປງຂອງຖົງໃສ່ຖົງເປັນ 0.69% ໂດຍຜ່ານ simsceptor ລະດັບຄວາມສູງຂອງ CVD. ສົ່ງເສີມຜົນຜະລິດ wafer epitaxial.

Multi-Pocket Silicon Epitaxy Graphite Susceptors ທີ່ມີການເຄືອບ CVD SiC ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ

I. ບົດສະຫຼຸບບໍລິຫານ

ໃນລະຫວ່າງການຜະລິດຊິລິໂຄນ epitaxy ຫຼາຍຖົງ, ລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາ (ໂຮງງານຜະລິດ wafer semiconductor) ປະເຊີນກັບສິ່ງທ້າທາຍທີ່ຍາວນານກັບການປ່ຽນແປງຂອງຖົງໃສ່ຖົງສູງໃນຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນ epitaxial (ຂໍ້ມູນຕົ້ນສະບັບ: 1.4%). ນີ້ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບຢ່າງຮ້າຍແຮງຕໍ່ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງ wafer epitaxial ແລະຜົນຜະລິດຂອງອຸປະກອນລົງລຸ່ມ. ໂດຍການດໍາເນີນການຈໍາລອງຕົວເລກ 3D ແລະການວິເຄາະຂອງນະໂຍບາຍດ້ານຂອງນ້ໍາພາຍໃນແລະພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນພາຍໃນ CVD epitaxy furnace, ປະສົມປະສານກັບການເພີ່ມປະສິດທິພາບໂຄງສ້າງເຄື່ອງມືແລະເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບສານເຄມີ Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC) ທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, ທີມງານ VeTek Semiconductor ໄດ້ປັບປຸງຄວາມຮາບພຽງຢູ່ດ້ານຫນ້າຂອງ epitaxy multi-pocket siliconite ຈາກ multi-pocket silicon. <0.08 ມມ. ປະຕິບັດຕາມການປັບປຸງເຫຼົ່ານີ້, ການປ່ຽນແປງຄວາມຫນາຂອງຖົງໃສ່ກັບຖົງຂອງລູກຄ້າໄດ້ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍເຖິງ 0.69%, ບັນລຸການກ້າວກະໂດດດ້ານຄຸນນະພາບໃນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຮູບເງົາ.

ການປຽບທຽບການວັດແທກປະສິດທິພາບທີ່ສໍາຄັນ

II. ຄວາມເປັນມາຂອງລູກຄ້າ: ຊອກຫາວິທີແກ້ໄຂການຜະລິດ Epitaxial ທີ່ມີຄວາມສອດຄ່ອງສູງ

ທັດສະນະຫຼັກ: ໃນຂະຫນາດໃຫຍ່, ການຜະລິດຊິລິໂຄນ epitaxy ຫຼາຍຖົງ, ເຖິງແມ່ນວ່າການຜິດປົກກະຕິຂອງ susceptor ນາທີໄດ້ຖືກຂະຫຍາຍໂດຍການສູນເສຍຜົນຜະລິດ chip ລາຄາແພງ.

ລູກຄ້າໃນການຮ່ວມມືນີ້ແມ່ນອຸປະກອນໄຟຟ້າຊັ້ນນໍາ 8 ນິ້ວ / 12 ນິ້ວແລະໂຮງງານຜະລິດ wafer ຊິລິໂຄນ epitaxial, ຕົ້ນຕໍແມ່ນການຜະລິດ wafers epitaxial ແຜ່ນຫນາທີ່ໃຊ້ໃນ MOSFETs, IGBTs, ແລະເອເລັກໂຕຣນິກລົດຍົນ. ໃນຂະນະທີ່ລູກຄ້າລຸ່ມຕ້ອງການຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ເຂັ້ມງວດໃນຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າຂອງຊິບ, ຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນ epitaxial ແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຕ້ານທານໄດ້ກາຍເປັນຕົວຊີ້ບອກຫຼັກສໍາລັບການປະເມີນຄຸນນະພາບຂອງ wafer epitaxial. ລູກຄ້າໃຊ້ເຄື່ອງປະຕິກອນ CVD ຊິລິໂຄນ epitaxy ຫຼາຍກະເປົ໋າທີ່ສາມາດປຸງແຕ່ງຊິລິໂຄນ wafers ຫຼາຍໆຄັ້ງພ້ອມກັນໃນການດໍາເນີນງານດຽວ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເນື່ອງຈາກວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມຮ້ອນສູງເປັນເວລາດົນນານແລະການເຊາະເຈື່ອນການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, susceptors graphite ຕົ້ນສະບັບຂອງເຂົາເຈົ້າບໍ່ສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂະບວນການທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງກ່ຽວກັບການປ່ຽນແປງຂອງຖົງໃສ່ກະເປົ໋າແລະຄວາມຮາບພຽງ.

III. ສິ່ງທ້າທາຍ ແລະຈຸດເຈັບປວດ: ການປ່ຽນແປງແບບກະເປົ໋າໄປຫາກະເປົ໋າສູງເຮັດໃຫ້ຄວາມໜາຂອງຮູບເງົາບໍ່ເປັນເອກະພາບ

ມຸມເບິ່ງຫຼັກ: ຄວາມທົນທານຂອງ graphite susceptor ຫຼາຍເກີນໄປຈະລົບກວນການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະການກະຈາຍຊ່ອງໃສ່ອາຍແກັສພາຍໃນເຕົາ CVD, ເຮັດໃຫ້ເກີດການປ່ຽນແປງຄວາມຫນາແຫນ້ນລະຫວ່າງຖົງ.

ໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial CVD, ທາດອາຍຜິດຂອງຄາຣະວາ (ເຊັ່ນ: SiHCl3/SiH4) ຝາກໄວ້ໃນອຸນຫະພູມສູງຢູ່ເທິງພື້ນຜິວ wafer ເພື່ອສ້າງເປັນຊັ້ນ epitaxial ແກ້ວດຽວ. ຕົວຍຶດ graphite ບໍ່ພຽງແຕ່ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການເທົ່ານັ້ນ, ແຕ່ຍັງມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບແລະການຊີ້ນໍາພາກສະຫນາມການໄຫຼ. ຄໍຂອດທາງດ້ານວິຊາການສະເພາະທີ່ລູກຄ້າປະເຊີນກັບປະກອບມີ:

1. ຄວາມຫນາຂອງຟິມຄວາມຫນາຂອງຖົງໃສ່ໃນຖົງໄດ້ເຖິງ 1.4%, ຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງ Wafer ໂດຍລວມ.

ເນື່ອງຈາກການຜິດປົກກະຕິຂອງຈຸນລະພາກໃນດ້ານຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ຕໍ່ເນື່ອງ, ເຄື່ອງດູດ graphite ຫຼາຍຖົງຕົ້ນສະບັບຂອງລູກຄ້າໄດ້ສະແດງຄວາມແຕກຕ່າງເລັກນ້ອຍໃນຄວາມເລິກຂອງຖົງຢາງແລະປະສິດທິພາບລັງສີຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງກະເປົ໋າສ່ວນບຸກຄົນ. ການ​ວັດ​ແທກ​ຕົວ​ຈິງ​ໄດ້​ເປີດ​ເຜີຍ​ຂໍ້​ມູນ​ການ​ປ່ຽນ​ແປງ​ຈາກ​ຖົງ​ໄປ​ໃນ​ຖົງ​ສູງ​ເຖິງ 1.4%. ຄວາມແຕກຕ່າງນີ້ໂດຍກົງເຮັດໃຫ້ອັດຕາການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊັ້ນ epitaxial ທີ່ບໍ່ສອດຄ່ອງໃນທົ່ວ wafers ຊິລິໂຄນທີ່ວາງໄວ້ໃນກະເປົ໋າທີ່ແຕກຕ່າງກັນພາຍໃນ batch ດຽວກັນ, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຮູບເງົາຫຼາຍເກີນໄປ.

2. Susceptor Flatness ຂ້າງລຸ່ມ <0.20mm ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມວຸ້ນວາຍເຂດແດນ Thermal Field & Flow Field Turbulence

ຄວາມຮາບພຽງຂອງຕົວຍຶດຕົ້ນສະບັບສາມາດຮັກສາໄວ້ຢູ່ໃນລະດັບ <0.20mm. ໃນສະພາບແວດລ້ອມ epitaxy ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງຂອງ 1100 ° C-1200 ° C, ພື້ນຜິວທີ່ບໍ່ສະເຫມີກັນເຮັດໃຫ້ການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ reacting ກາຍເປັນ eddies ທ້ອງຖິ່ນໃນຂະນະທີ່ສ້າງຊ່ອງຫວ່າງທີ່ບໍ່ເປັນເອກະພາບລະຫວ່າງ susceptor ແລະເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ induction. ຕໍ່ມານີ້ເຮັດໃຫ້ພື້ນທີ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ບໍ່ເປັນເອກະພາບໃນທົ່ວພື້ນຜິວ, ການເຫນັງຕີງຂອງຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາຮ້າຍແຮງຂຶ້ນ.

ຈຸດເຈັບປວດ & ການວິເຄາະກົນໄກດ້ານວິຊາການ

IV. VeTek Customized Solution: CVD Flow Field Simulation & Ultra-High Precision Tooling Optimization

ທັດສະນະຫຼັກ: ການເພີ່ມປະສິດທິພາບການໄຫຼເຂົ້າແລະພື້ນທີ່ຄວາມຮ້ອນໂດຍຜ່ານການຈໍາລອງຕົວເລກ, ສົມທົບກັບເຄື່ອງຈັກ CNC ທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາລະດັບ micron ແລະການເຄືອບ CVD SiC ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງ susceptor ໂດຍພື້ນຖານ.

ເພື່ອແກ້ໄຂການປ່ຽນແປງຂອງຖົງໃສ່ກັບກະເປົ໋າຂອງລູກຄ້າແລະຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງກະຕຸກ, ທີມງານວິສະວະກໍາ VeTek Semiconductor ໄດ້ດໍາເນີນການປະເມີນຜົນຢູ່ສະຖານທີ່, ສະກັດຕົວກໍານົດການການດໍາເນີນງານຂອງເຕົາປະຕິກອນ, ແລະອອກແບບການແກ້ໄຂການເພີ່ມປະສິດທິພາບແບບປາຍສຸດທີ່ກໍານົດເອງ:

VeTek Semiconductor ເຄື່ອງຈັກຄວາມແມ່ນຍໍາແບບພິເສດ, ຫ້ອງສະອາດ & ການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບ

1. CVD Furnace Internal Flow & Thermal Field Simulation

ການນໍາໃຊ້ ANSYS Fluent, ການຈໍາລອງຕົວເລກ 3D ໄດ້ຖືກປະຕິບັດສໍາລັບຄວາມໄວການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, ຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນຊາຍແດນ, ແລະການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນຂອງຮັງສີໃນເຕົາປະຕິກອນ CVD. ອີງໃສ່ການວິເຄາະແບບຈໍາລອງ, ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງເສັ້ນກະເປົ໋າຫັນປ່ຽນ ແລະ ໂຄງສ້າງຮ່ອງແກວ່ງຊີ້ທິດທາງກ໊າຊຢູ່ເທິງພື້ນຜິວຂອງຕົວດູດໄດ້ຖືກອອກແບບຄືນໃຫມ່, ເຮັດໃຫ້ທາດອາຍແກັສ reactant ຮັກສາລະບອບການໄຫຼຂອງ laminar ທີ່ມີຄວາມສອດຄ່ອງສູງຂ້າງເທິງແຕ່ລະກະເປົ໋າແລະກໍາຈັດ vortices ທ້ອງຖິ່ນ.

2. High-Precision Graphite Substrate Machining & Tooling Optimization

ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ isotropic graphite isostatic ໄດ້ຖືກເລືອກເປັນອຸປະກອນການຍ່ອຍສະຫຼາຍ, ຄຽງຄູ່ກັບການຍົກລະດັບ 5-axis CNC ເຄື່ອງມືເຄື່ອງກົນຈັກຄວາມແມ່ນຍໍາ. ໂດຍການຫລອມໂລຫະການຄວບຄຸມຄວາມກົດດັນຂອງຕົວຍຶດ ແລະ ເສັ້ນທາງຂອງເຄື່ອງມືໃນລະຫວ່າງການປະມວນຜົນ, ຄວາມຮາບພຽງຂອງຕົວຍຶດຫຼັງເຄື່ອງໄດ້ຖືກຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດລົງຈາກ <0.20mm ຫາ <0.15mm, ດ້ວຍພື້ນຜິວ susceptor ຊັ້ນເທິງຫຼັກທີ່ບັນລຸຄວາມຮາບພຽງທີ່ແຕກຫັກຂອງ <0.08mm.

3. ເທັກໂນໂລຍີການເຄືອບ CVD SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ

ການເຄືອບ α-SiC ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນແມ່ນໄດ້ປູກຢູ່ເທິງພື້ນຜິວ graphite substrate ຜ່ານ Chemical Vapor Deposition (CVD). ການເຄືອບມີຄຸນສົມບັດຄວາມບໍລິສຸດເຖິງ 99.999% (ຊັ້ນ 5N-6N), ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານການກັດກ່ອນຂອງອາຍແກັສ hydrogen chloride (HCl) ຮ້ອນ. ມັນກົງກັບຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) ຢ່າງສົມບູນແບບຂອງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite, ຮັບປະກັນບໍ່ໃຫ້ມີຮອຍແຕກ ຫຼື delamination ໃນລະຫວ່າງວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ.

ການແກ້ໄຂດ້ານວິຊາການ & ຂໍ້ໄດ້ປຽບການປະຕິບັດ

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບທີ່ສໍາຄັນ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ SEM, ແລະການວິເຄາະຄວາມບໍລິສຸດສູງສຸດຂອງການເຄືອບ CVD SiC

V. ຜົນໄດ້ຮັບ & ຂໍ້ມູນ: ເວົ້າກັບຂໍ້ເທັດຈິງ ແລະການວັດແທກປະລິມານ

ມຸມເບິ່ງຫຼັກ: ຂໍ້ມູນພາກສະຫນາມທີ່ວັດແທກໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າການເພີ່ມປະສິດທິພາບຄວາມລຽບຂອງ susceptor ແປໂດຍກົງເປັນການຫຼຸດຜ່ອນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນ 50.7% ການປ່ຽນແປງຂອງຮູບເງົາ epitaxial pocket-to-pocket.

ຫຼັງຈາກການປ່ຽນແທນຊິ້ນສ່ວນເກົ່າດ້ວຍເຄື່ອງຍ່ອຍຊິລິໂຄນ epitaxy graphite ຫຼາຍຖົງທີ່ດີທີ່ສຸດຂອງ VeTek Semiconductor, ລູກຄ້າໄດ້ດໍາເນີນການສຶກສາການຕິດຕາມການຜະລິດທີ່ມີປະລິມານສູງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງເປັນເວລາ 30 ມື້. ຂໍ້ມູນການປັບປຸງຄຸນນະພາບທີ່ແທ້ຈິງທີ່ເກັບກໍາປະກອບມີ:

1. ຄວາມໜາຂອງຟິມຄວາມຫນາຂອງຖົງໃສ່ກັບກະເປົ໋າຫຼຸດລົງເຖິງ 0.69%

ຂໍ້ມູນການຜະລິດທີ່ວັດແທກຂອງລູກຄ້າໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າການປ່ຽນແປງຂອງຖົງໃສ່ຖົງໄດ້ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຈາກ 1.4% ລົງເປັນ 0.69%, ບັນລຸການຫຼຸດລົງໂດຍລວມຂອງ 50.7%. ນີ້ເຮັດໃຫ້ຊ່ອງຫວ່າງອັດຕາການຂະຫຍາຍຕົວຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນທົ່ວກະເປົ໋າຕ່າງໆ.

2. Susceptor Surface Flatness Breakthrough ເຖິງ <0.08mm

ຜ່ານການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງພາກສະຫນາມການໄຫຼແລະເຄື່ອງມືທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, susceptors ທີ່ຜະລິດຫຼາຍໄດ້ບັນລຸຄວາມຮາບພຽງຢູ່ພາຍໃນ <0.15mm, ໂດຍ susceptors ຊັ້ນສູງຕີຢ່າງຫມັ້ນຄົງ <0.08mm, ໄກເກີນມາດຕະຖານອຸດສາຫະກໍາມາດຕະຖານ.

3. ການປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາແລະຜົນຜະລິດໂດຍລວມ

ຂໍຂອບໃຈກັບພື້ນທີ່ຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງ, ຕົວຊີ້ວັດຄວາມຕ້ານທານແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຊັ້ນ epitaxial ໄດ້ເຂົ້າໄປໃນລະດັບຄຸນນະພາບທີ່ນິຍົມ. ອັດຕາຜົນຕອບແທນຂອງ wafer ຊັ້ນ A ຂອງໂຮງງານຜະລິດເພີ່ມຂຶ້ນປະມານ 3.5%, ປະຫຍັດຫຼາຍຮ້ອຍພັນ RMB ຕໍ່ປີໃນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ wafer ຂູດ.

VI. ຄຳຖາມທີ່ຖາມເລື້ອຍໆ (FAQ)

ຄໍາຖາມທີ 1: ເປັນຫຍັງຄວາມຮາບພຽງຂອງຫຼາຍຖົງຊິລິໂຄນ epitaxy graphite susceptor ມີຜົນກະທົບທີ່ສໍາຄັນຕໍ່ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຮູບເງົາ?

ຄໍາຕອບ:ໃນຂະບວນການ CVD ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, wafers ຊິລິຄອນແມ່ນໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຕົ້ນຕໍໂດຍຜ່ານການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະການຮັງສີຄວາມຮ້ອນຈາກ susceptor. ຖ້າຄວາມຮາບພຽງຂອງຕົວຮັບສັນຍານບໍ່ດີ (ເຊັ່ນ: > 0.20 ມມ), ມັນຈະສ້າງຊ່ອງຫວ່າງທີ່ບໍ່ສະເໝີພາບລະຫວ່າງຕົວຍຶດ ແລະ ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນທີ່ຕິດພັນ, ເຮັດໃຫ້ເກີດການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມທ້ອງຖິ່ນ. ພ້ອມກັນນັ້ນ, ພື້ນຜິວທີ່ບໍ່ສະໝ່ຳສະເໝີລົບກວນການໄຫຼວຽນຂອງທາດອາຍແກັສ reactant, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງອາຍແກັສທ້ອງຖິ່ນ ແລະຄວາມຜັນຜວນຂອງຄວາມໄວ, ເຊິ່ງສະແດງອອກໂດຍກົງວ່າເປັນຄວາມໜາຂອງຮູບເງົາໃນຖົງໃສ່ກັບຖົງ.

Q2: ຊີວິດການບໍລິການຂອງ VeTek's CVD SiC coated graphite susceptors ແມ່ນຫຍັງ?

ຄໍາຕອບ:VeTek ໃຊ້ສານເຄືອບ CVD ຊິລິຄອນຄາໄບທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ສຸດທີ່ສ້າງຂຶ້ນດ້ວຍການຈັບຄູ່ CTE ທີ່ຊັດເຈນກັບຊັ້ນຍ່ອຍກຣາຟ. ພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ 1200 ° C ແລະ H2 / HCl corrosive ບັນຍາກາດ, ມັນສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະ inertness ສານເຄມີ, ໂດຍປົກກະຕິຈະຍືດອາຍຸການບໍລິການໂດຍ 30% ຫາ 50% ເມື່ອທຽບກັບ susceptors ມາດຕະຖານອຸດສາຫະກໍາ.

Q3: VeTek ສາມາດສະຫນອງວິສະວະກໍາທີ່ກໍາຫນົດເອງໄດ້ຖ້າພວກເຮົາມີຮູບແບບເຄື່ອງປະຕິກອນ CVD epitaxy ທີ່ກໍາຫນົດເອງບໍ?

ຄໍາຕອບ:ແມ່ນແລ້ວ. VeTek ມີຄວາມສົມບູນແບບ CVD ການໄຫຼ / ພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນແລະລະບົບຕ່ອງໂສ້ການປຸງແຕ່ງ CNC ທີ່ຊັດເຈນ. ພວກເຮົາສາມາດປະຕິບັດ 1: 1 ວິສະວະກໍາປີ້ນກັບກັນຫຼືການເພີ່ມປະສິດທິພາບໂຄງສ້າງໂດຍອີງໃສ່ຂະຫນາດ furnace ທີ່ລູກຄ້າສະຫນອງໃຫ້, ຕົວກໍານົດການໄຫຼຂອງອາກາດ, ຫຼືຮູບແຕ້ມຂອງ susceptor ມໍລະດົກ.

Q4: ຄວາມແມ່ນຍໍາ susceptor flatness ປ້ອງກັນຄວາມເສຍຫາຍລະຫວ່າງການຂົນສົ່ງແນວໃດ?

ຄໍາຕອບ:ຜະລິດຕະພັນ susceptor ທັງຫມົດຜ່ານການທໍາຄວາມສະອາດ ultrasonic ແລະການຫຸ້ມຫໍ່ສູນຍາກາດຕ້ານການ static ພາຍໃນຫ້ອງຮຽນ 1000 cleanrooms. ພາຍໃນແມ່ນຮັບປະກັນໂດຍໃຊ້ໂມດູນການດູດຊຶມ EVA ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ແລະພາຍນອກໄດ້ຖືກຫຸ້ມຫໍ່ດ້ວຍກ່ອງໄມ້ທີ່ຖືກອົບດ້ວຍຊັ້ນສົ່ງອອກ, ຮັບປະກັນການສົ່ງຜົນກະທົບສູນ.

VII. ສະຫຼຸບ

ທັດສະນະຫຼັກ: ອົງປະກອບເຄື່ອງມືກົນຈັກ ແລະ ອຸນນະພູມທີ່ມີຄຸນະພາບສູງຂອງ semiconductor ເປັນຕົວແທນຂອງການລົງທຶນໂດຍກົງໃນການເພີ່ມຄວາມສາມາດໃນການແຂ່ງຂັນຂອງໂຮງງານ.

ໂດຍການປະຕິບັດການຈໍາລອງການໄຫຼເຂົ້າຂອງ CVD, ການຄວບຄຸມເຄື່ອງມືທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ, ແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບການເຄືອບ CVD SiC ເທິງເຄື່ອງດູດຊຶມຫຼາຍຖົງຊິລິໂຄນ epitaxy graphite, VeTek Semiconductor ປະສົບຜົນສໍາເລັດໄດ້ຊ່ວຍໃຫ້ລູກຄ້າຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາຈາກ 1.4% ເປັນ 0.69%, ການແກ້ໄຂຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຮູບເງົາທີ່ບໍ່ທົນທານຕໍ່ຍາວ.

ຖ້າທ່ານຍັງພົບຈຸດເຈັບປວດທາງດ້ານວິຊາການເຊັ່ນ: ຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງຂອງຊັ້ນ epitaxial, ການຜິດປົກກະຕິຂອງ graphite susceptor, ການປ່ຽນແປງໃນຖົງໃສ່ກັບຖົງສູງ, ຫຼືການປອກເປືອກການເຄືອບ CVD, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ທີມງານຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານວິຊາການ VeTek Semiconductor ເພື່ອໄດ້ຮັບການປະເມີນພາກສະຫນາມຟຣີແລະແຜນການເພີ່ມປະສິດທິພາບທີ່ກໍາຫນົດເອງ!