Porous Graphite

ຜູ້ຜະລິດ substrate SiC ໂດຍທົ່ວໄປໃຊ້ການອອກແບບ crucible ທີ່ມີກະບອກ graphite porous ສໍາລັບຂະບວນການພາກສະຫນາມຮ້ອນ. ການອອກແບບນີ້ເພີ່ມພື້ນທີ່ການລະເຫີຍແລະປະລິມານການສາກໄຟ. ຂະບວນການໃຫມ່ໄດ້ຖືກພັດທະນາເພື່ອແກ້ໄຂຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງໄປເຊຍກັນ, ສະຖຽນລະພາບການໂອນມະຫາຊົນ, ແລະເສີມຂະຫຍາຍຄຸນນະພາບຂອງຜລຶກ SiC. ມັນລວມເອົາວິທີການສ້ອມແຊມຖາດໄປເຊຍກັນທີ່ບໍ່ມີແກ່ນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນແລະການບັນເທົາຄວາມກົດດັນ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ການສະຫນອງຕະຫຼາດຈໍາກັດຂອງ graphite crucible ແລະ porous graphite ສ້າງຄວາມທ້າທາຍຕໍ່ຄຸນນະພາບແລະຜົນຜະລິດຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ດຽວ.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນຂອງ VeTek Semiconductor Porous Graphite:

1.High temperature ຄວາມທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມ - ຜະລິດຕະພັນສາມາດທົນສະພາບແວດລ້ອມຂອງ 2500 ອົງສາເຊນຊຽດ, ສະແດງໃຫ້ເຫັນການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ.

2.Strict porosity control - VeTek Semiconductor ຮັກສາການຄວບຄຸມ porosity ແຫນ້ນ, ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງ.

3.Ultra-high purity - ອຸປະກອນການ graphite porous ນໍາໃຊ້ບັນລຸລະດັບສູງຂອງຄວາມບໍລິສຸດໂດຍຜ່ານຂະບວນການຊໍາລະຢ່າງເຂັ້ມງວດ.

4.Excellent particle binding capability - VeTek Semiconductor ມີຄວາມສາມາດຜູກມັດອະນຸພາກພື້ນຜິວທີ່ດີເລີດແລະທົນທານຕໍ່ການ adhesion ຂອງຝຸ່ນ.

5. ການຂົນສົ່ງອາຍແກັສ, ການແຜ່ກະຈາຍ, ແລະຄວາມເປັນເອກະພາບ - ໂຄງປະກອບການ porous ຂອງ graphite ອໍານວຍຄວາມສະດວກການຂົນສົ່ງອາຍແກັສປະສິດທິພາບແລະການແຜ່ກະຈາຍ, ຜົນອອກມາໃນການປັບປຸງເອກະພາບຂອງອາຍແກັສແລະອະນຸພາກ.

6. ການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ - VeTek Semiconductor ເນັ້ນຫນັກໃສ່ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເນື້ອໃນ impurity ຕ່ໍາ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີເພື່ອຮັບປະກັນຄຸນນະພາບໃນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ.

7.Temperature control and uniformity - The thermal conductivity of porous graphite enables uniform temperature distribution , ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມກົດດັນແລະຂໍ້ບົກພ່ອງໃນໄລຍະການຂະຫຍາຍຕົວ.

8.Enhanced ການແຜ່ກະຈາຍ solute ແລະອັດຕາການຂະຫຍາຍຕົວ - ໂຄງປະກອບການ porous ສົ່ງເສີມການແຜ່ກະຈາຍ solute ເຖິງແມ່ນວ່າ, ເສີມຂະຫຍາຍອັດຕາການຂະຫຍາຍຕົວແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງໄປເຊຍກັນ.