graphite porous

ຜູ້ຜະລິດຍ່ອຍທີ່ຍ່ອຍທົ່ວໄປໃຊ້ການອອກແບບທີ່ຖືກຄຶງໂດຍມີກະບອກກາຟິກກາເຟ porous ສໍາລັບຂະບວນການພາກສະຫນາມຮ້ອນ. ການອອກແບບນີ້ຊ່ວຍເພີ່ມພື້ນທີ່ການລະເຫີຍແລະຮັບຜິດຊອບຄິດຄ່າບໍລິການ. ຂະບວນການໃຫມ່ໄດ້ຖືກພັດທະນາເພື່ອແກ້ໄຂຂໍ້ບົກຜ່ອງດ້ານໄປເຊຍ, ສະຖຽນລະພາບການໂອນຍ້າຍມວນ, ແລະການເສີມຂະຫຍາຍຄຸນນະພາບຂອງ Crystal Sic. ມັນປະກອບມີວິທີການແກ້ໄຂຖາດໄປເຊຍກັນເພື່ອປ້ອງກັນການຂະຫຍາຍຕົວແລະການບັນເທົາຄວາມຮ້ອນ. ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ການສະຫນອງຈໍານວນຕະຫຼາດທີ່ຈໍາກັດແລະຮູບພາບກາຟິກທີ່ສະນຽນລົງມາເປັນສິ່ງທ້າທາຍໃຫ້ກັບຄຸນນະພາບແລະຜົນຜະລິດຂອງໄປເຊຍກັນ sic ດ່ຽວ.

ຄຸນລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນຂອງ graphite petek semetonductor:

ອຸນຫະພູມທີ່ອຸນຫະພູມ 1.high ຄວາມທົນທານຕໍ່ - ຜະລິດຕະພັນສາມາດຕ້ານທານກັບສະພາບແວດລ້ອມ 2500 ອົງສາເຊ, ສະແດງຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ.

2. ທີ່ສຸດການຄວບຄຸມການຊຸກຍູ້ທີ່ເຂັ້ມງວດ - semiconductor vetek ຮັກສາການຄວບຄຸມ porosity, ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງກັນ.

3.ultra-purity ສູງ - ວັດສະດຸ Graphite Porous ທີ່ໃຊ້ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບໃນລະດັບສູງຂອງລະດັບຄວາມບໍລິສຸດໂດຍຜ່ານຂັ້ນຕອນການເຮັດໃຫ້ບໍລິສຸດ.

4. ຄວາມສາມາດຜູກມັດດ້ານອະນຸພາກຊັ້ນສ່ວນຂອງອະນຸພາກພື້ນຫລັງ.

5. ການຂົນສົ່ງ 5.gas, ການແຜ່ກະຈາຍແລະຄວາມເປັນເອກະພາບ - ໂຄງສ້າງ porous ຂອງ graphite ແລະການແຜ່ກະຈາຍອາຍແກັສ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ມີຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງທາດອາຍແລະອະນຸພາກ.

6.Quity ຄວບຄຸມແລະສະຖຽນລະພາບ - ວິຊາຊີບຂອງ Vetek ເນັ້ນຫນັກເຖິງຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເນື້ອໃນທີ່ຫນາແຫນ້ນ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີເພື່ອຮັບປະກັນໃຫ້ແກ່ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Crystal.

7. ການຄວບຄຸມນັກຮຽນແລະເອກະພາບ - ຄວາມກັງວົນຂອງຄວາມຮ້ອນຂອງ Graphite Porous ຊ່ວຍໃຫ້ມີການແຈກຢາຍອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕຶງຄຽດແລະຄວາມບົກຜ່ອງໃນໄລຍະການເຕີບໂຕ.

8. ຊູນການແຜ່ລະບາດຂອງການເຕີບໂຕແລະການເຕີບໂຕ - ໂຄງສ້າງຂອງ porous ສົ່ງເສີມການແຈກຢາຍແບບອັດຕະໂນມັດ, ເສີມຂະຫຍາຍອັດຕາການຈະເລີນເຕີບໂຕແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງໄປເຊຍກັນ.