ເມນູເວັບ

ຄົ້ນຫາຜະລິດຕະພັນ

ພາສາ

ບໍລິການ & ຊັບພະຍາກອນ

ວັດສະດຸ & ການອອກແບບ

ການເລືອກຊັ້ນຍ່ອຍທີ່ກົງກັນແລະການປະສົມປະສານຂອງສານເຄືອບແມ່ນກຸນແຈເພື່ອປ້ອງກັນຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອົງປະກອບກ່ອນໄວອັນຄວນ, ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກ, ແລະເພີ່ມຜົນຜະລິດ wafer ສູງສຸດ. ພວກເຮົາສະຫນອງການແກ້ໄຂອຸປະກອນການແລະການອອກແບບໂຄງສ້າງທີ່ສອດຄ່ອງກັບປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການສະເພາະຂອງລູກຄ້າ (ອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານ, ເຄມີອາຍແກັສ reactive, ອັດຕາການລ້າ).

ຄວາມສາມາດໃນການອອກແບບຫຼັກຂອງພວກເຮົາ:

  • ການຈັບຄູ່ຄວາມກົດດັນ CTE ຢ່າງເຂັ້ມງວດ:ສໍາລັບວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ (> 100 ° C / ນາທີ), ພວກເຮົາກົງກັບເສັ້ນໂຄ້ງອຸນຫະພູມ CTE ຂອງ substrates graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະການເຄືອບ CVD, ໂດຍພື້ນຖານການຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງການເຄືອບ delamination ແລະ micro-cracking.
  • ຂະບວນການ-ສະຖານະການ-ການຄັດເລືອກການເຄືອບສະເພາະ:ການເຄືອບ CVD SiC ສໍາລັບ Si/SiC epitaxy (Epi), MOCVD, ແລະສະພາບແວດລ້ອມ plasma etching; ການເຄືອບ CVD TaC ສໍາລັບອຸນຫະພູມທີ່ສູງຂຶ້ນແລະສະພາບທີ່ກັດກ່ອນຢ່າງແຂງແຮງ (ເຊັ່ນ: ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ PVT ກ້ອນດຽວ SiC).
  • ຄວາມຕ້ານທານທີ່ຄວບຄຸມໄດ້ & ການເພີ່ມປະສິດທິພາບການນໍາຄວາມຮ້ອນ:ການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນຂອງຄວາມຕ້ານທານຫຼາຍແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງ substrate ແລະການເຄືອບເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການພາກສະຫນາມໄຟຟ້າແລະຄວາມຮ້ອນສະເພາະຂອງ chucks electrostatic RF, ESC, ຫຼືເຂດຄວາມຮ້ອນ.
  • ການຄວບຄຸມແຫຼ່ງການປົນເປື້ອນ & ການຫຼຸດຜ່ອນ CoO:ຊັ້ນເງິນຝາກ CVD ຄວາມບໍລິສຸດສູງປິດປະທັບຕາ graphite porous ຢ່າງຫນາແຫນ້ນ, ຫຼຸດຜ່ອນການໄຫຼຂອງອະນຸພາກຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ການແຜ່ກະຈາຍຂອງ impurity ໂລຫະ ultra-trace, ແລະຄວາມສ່ຽງສູງ outgassing.

ການປຽບທຽບການເລືອກການເຄືອບແບບປົກກະຕິ (ຄູ່ມືເບິ່ງທັນທີ)

ການເຄືອບ ຄຳແນະນຳການນຳໃຊ້ທົ່ວໄປ ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼັກ
CVD SiC Si/SiC epitaxy (Epi), MOCVD, ບາງສ່ວນ plasma etching ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ສານເຄມີ, ປະສິດທິພາບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໂດຍລວມສູງ
CVD TaC ອຸນຫະພູມສູງ SiC ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງກ້ອນຫີນດຽວ (PVT), ອົງປະກອບທີ່ຮັບຜິດຊອບການໂຫຼດອຸນຫະພູມສູງທີ່ສຸດ ລະດັບອຸນຫະພູມທີ່ສູງຂຶ້ນ (> 1600 ° C), ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງທີ່ດີເລີດ

ກໍລະນີທີ່ແທ້ຈິງ & ຜົນປະໂຫຍດຂອງລູກຄ້າ (ປະສົບການ):

ຜູ້ຜະລິດ SiC epitaxy (Epi) ຊັ້ນນໍາ:ອົງປະກອບຕົ້ນສະບັບໃຊ້ການເຄືອບ CVD TaC ທີ່ບໍ່ກົງກັນ, ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມກົດດັນດ້ານຫນ້າຫຼາຍເກີນໄປແລະ micro-cracks ເລື້ອຍໆຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ. ພວກ​ເຮົາ​ແລ່ນ​ການ​ຈຳ​ລອງ​ພະ​ລັງ​ງານ​ອຸ​ຫະ​ພູມ​ຄືນ​ໃໝ່ ແລະ​ປ່ຽນ​ເປັນ aCTE-matched specialty graphite substrate ຄວາມບໍລິສຸດສູງ + buffer layer + CVD SiC coatingການແກ້ໄຂ. ຜົນໄດ້ຮັບ: ໄລຍະເວລາສະເລ່ຍຂອງອົງປະກອບເພີ່ມຂຶ້ນຈາກ 200 ຊົ່ວໂມງເປັນ 850 ຊົ່ວໂມງ; ຄວາມຖີ່ຂອງການທົດແທນປະຈໍາປີຕໍ່ເຄື່ອງມືຫຼຸດລົງຈາກ 40 ຫາ 9 ຄັ້ງ; ອຸປະກອນຄົບວົງຈອນ O&M ປະຫຍັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍເກີນ RMB 650,000 ຕໍ່ປີ.

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

ບົດລາຍງານການວິເຄາະຄວາມບໍລິສຸດ GDMS ສໍາລັບການເຄືອບ TaC ແລະ SiC

FAQ

1. ຖາມ: ຂ້ອຍຄວນເລືອກລະຫວ່າງການເຄືອບ CVD SiC ແລະການເຄືອບ CVD TaC ແນວໃດ?

▼

A:ເບິ່ງອຸນຫະພູມຂະບວນການຂອງທ່ານແລະຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນ corrosion ໄລຍະອາຍແກັສ. ຖ້າອຸນຫະພູມຂອງຂະບວນການແມ່ນຕໍ່າກວ່າ 1000 °C ແລະສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບ Cl₂/F₂-based etching ຫຼື epitaxy ທໍາມະດາ, ເລືອກ.CVD SiCສໍາລັບການປະຕິບັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ດີທີ່ສຸດ; ຖ້າອຸນຫະພູມຂອງຂະບວນການເກີນ 1200 ° C ແລະປະກອບດ້ວຍບັນຍາກາດທີ່ມີ corrosive ທີ່ເຂັ້ມແຂງ (ເຊັ່ນ: ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງແກ້ວປະກາຍດຽວ SiC PVT), ພວກເຮົາແນະນໍາໃຫ້.CVD TaC, ເຊິ່ງສະຫນອງອຸນຫະພູມທີ່ດີກວ່າແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion. ພວກ​ເຮົາ​ສາ​ມາດ​ສະ​ຫນອງ​ບົດ​ລາຍ​ງານ​ການ​ແນະ​ນໍາ​ການ​ຄັດ​ເລືອກ​ຟຣີ​ໂດຍ​ອີງ​ໃສ່​ຕົວ​ກໍາ​ນົດ​ການ​ຂະ​ບວນ​ການ​ສະ​ເພາະ​ຂອງ​ທ່ານ​.

2. ຖາມ: ທ່ານສະຫນັບສະຫນູນການສ້າງແບບຈໍາລອງແບບດຽວ / ຊຸດຂະຫນາດນ້ອຍບໍ? ເວລານໍາແມ່ນຫຍັງ?

▼

A:ແມ່ນແລ້ວ! ສໍາລັບ prototypes ວິສະວະກໍາ reverse,MOQ ແມ່ນ 1 ຊິ້ນ. ສໍາລັບພາກສ່ວນທີ່ງ່າຍດາຍແບບດັ້ງເດີມ, ຈາກການໄດ້ຮັບຕົວຢ່າງການຈັດສົ່ງສ່ວນແຜນທີ່, ເວລານໍາໄວທີ່ສຸດແມ່ນປະມານ.10-15 ມື້ເຮັດວຽກ; ສໍາລັບພາກສ່ວນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຂະບວນການເຄືອບສະລັບສັບຊ້ອນມັນແມ່ນປະມານ20-25 ມື້ເຮັດວຽກ. ຕິດຕໍ່ວິສະວະກອນຂອງພວກເຮົາສໍາລັບການປະເມີນຜົນທີ່ເລັ່ງລັດ.

3. ຖາມ: ແມ່ນຫຍັງເຮັດໃຫ້ການເຄືອບ CVD delamination ໃນພາກສ່ວນ graphite ໃນລະຫວ່າງການໃຊ້? ມັນສາມາດແກ້ໄຂໄດ້ບໍ?

▼

A:90% ຂອງກໍລະນີ delamination ແມ່ນເກີດມາຈາກຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງລະຫວ່າງຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) ຂອງ substrate graphite ແລະການເຄືອບ, ນໍາໄປສູ່ການປອກເປືອກ fatigue ພາຍໃຕ້ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ / ຄວາມເຢັນຢ່າງໄວວາ. ການແກ້ໄຂຂອງພວກເຮົາ: ທໍາອິດວັດແທກເສັ້ນໂຄ້ງ CTE ຂອງສ່ວນຕົ້ນສະບັບຂອງທ່ານຢ່າງແນ່ນອນ, ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ປັບຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ substrate ພິເສດແລະ gradient ອຸນຫະພູມຂອງເງິນຝາກເພື່ອໃຫ້ທັງສອງ CTEs ກົງກັນສູງ. ຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງພັນທະບັດສາມາດໄດ້ຮັບການປັບປຸງໃຫ້ຫຼາຍກ່ວາ1.5 ເທົ່າລະ​ດັບ​ສາ​ມັນ​ອຸດ​ສາ​ຫະ​ກໍາ​.

4. ຖາມ: ທ່ານສາມາດສະຫນອງ CoA (ໃບຢັ້ງຢືນການວິເຄາະ) ສໍາລັບຜະລິດຕະພັນ? ມັນປະກອບມີຂໍ້ມູນຫຍັງແດ່?

▼

A:ທຸກໆຜະລິດຕະພັນທີ່ຂົນສົ່ງມາມາດຕະຖານມີ aໝາຍເລກລຳດັບທີ່ເປັນເອກະລັກ + ລາຍງານ CoA ເຕັມ. ບົດ​ລາຍ​ງານ​ປະ​ກອບ​ມີ​: ຂໍ້​ມູນ​ການ​ກວດ​ສອບ CMM ຂະ​ຫນາດ​ສໍາ​ຄັນ​, ແຜນ​ທີ່​ການ​ແຜ່​ກະ​ຈາຍ​ຄວາມ​ຫນາ​ຂອງ​ການ​ເຄືອບ​ຫຼາຍ​ຈຸດ​, ມູນ​ຄ່າ​ຄວາມ​ຫຍາບ​ຂອງ​ຫນ້າ​ດິນ (Ra​)​, ແລະ​ຂໍ້​ສະ​ຫຼຸບ​ການ​ວິ​ເຄາະ​ຄວາມ​ບໍ​ລິ​ສຸດ​ຂອງ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ການ (GDMS​)​.

ເລີ່ມການບໍລິການສະເພາະຂອງທ່ານດຽວນີ້

ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາທັນທີ ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໂທລະສັບ: +86-18069220752(ຕິນາ);+86-15988690905(ເຊຣາ)

ອີເມວ: anny@veteksemi.com

ແຜນທີ່ຕົວຢ່າງວັດສະດຸ & ການອອກແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ & ການຜະລິດມະຫາຊົນQC & Logistics
ຄໍາແນະນໍາຂ່າວ
graphite porous ແມ່ນຫຍັງ? - ວິຊາຊີບ vetek
graphite porous ແມ່ນຫຍັງ? - ວິຊາຊີບ vetekເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ຫຼັກການແລະເຕັກໂນໂລຢີຂອງການເຄືອບເງິນຝາກທາງດ້ານຮ່າງກາຍ (1/2) - ເຄື່ອງຫມາຍ vetek semiconductor
ຫຼັກການແລະເຕັກໂນໂລຢີຂອງການເຄືອບເງິນຝາກທາງດ້ານຮ່າງກາຍ (1/2) - ເຄື່ອງຫມາຍ vetek semiconductorເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ສິ່ງທີ່ໃຊ້ສະເພາະຂອງຊິ້ນສ່ວນເຄືອບ TAC ໃນພາກສະຫນາມ semiconductor?
ສິ່ງທີ່ໃຊ້ສະເພາະຂອງຊິ້ນສ່ວນເຄືອບ TAC ໃນພາກສະຫນາມ semiconductor?ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ TaC-Coated Graphite Parts ໃນເຕົາອົບ Crystal ດຽວ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ TaC-Coated Graphite Parts ໃນເຕົາອົບ Crystal ດຽວເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ການອອກແບບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ SIC
ການອອກແບບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ SICເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ເປັນຫຍັງເຮືອ Wafer Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງສໍາລັບ TEL ກາຍເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການຜະລິດ Semiconductor ຂັ້ນສູງ
ເປັນຫຍັງເຮືອ Wafer Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງສໍາລັບ TEL ກາຍເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການຜະລິດ Semiconductor ຂັ້ນສູງເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ.ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
ປະຕິເສດຍອມຮັບ