ບ້ານ
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບບໍລິສັດ
FAQ
ຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານວິຊາການ
ອຸປະກອນການຜະລິດ
ໃບຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາ
ບໍລິການຂອງພວກເຮົາ
ຜະລິດຕະພັນ
ການເຄືອບ Tantalum Carbide
ຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງ SIC SYLY
ຂະບວນການ SiC Epitaxy
ເຄື່ອງຮັບແສງ UV LED
ການເຄືອບ Silicon Carbide
ຊິລິໂຄນ Silicon ແຂງ
ອະພິພາດ Epicon
Silicon Carbide Epitaxy
ເຕັກໂນໂລຊີ MOCVD
ຂະບວນການ RTA/RTP
ICP/PSS ຂະບວນການ Etching
ຂະບວນການອື່ນໆ
ALD
ເຊລາມິກ Silicon Carbide
ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SIC
ການຜຸພັງແລະຄວາມກະຕືລືລົ້ນ
ເຊລາມິກລ່ວງຫນ້າ
semiconductor Quartz
ອາລູມິນຽມຜຸພັງ coramics
Silicon Nitride
pic sic porous
ວັດສະດຸປະສົມເພັດ
ອາລູມີນຽມ nitride
Yttrium ອົກຊີ
Zirconium Oxide
Graphite ພິເສດ
ການເຄືອບກາກບອນ Pyrolytic
ການເຄືອບກາກບອນທີ່ມີກາກບອນທີ່ມີກາກບອນ
graphite porous
isotropic graphite
ເສີກ
ເອກະສານຄວາມບໍລິສຸດສູງ
ເສັ້ນໄຍກາກບອນ
C / C Composite
rigid ຮູ້ສຶກ
ອ່ອນຮູ້ສຶກ
ບໍລິການສະຫນັບສະຫນູນ
Wafer
ເທກໂນໂລຍີການປິ່ນປົວຜິວຫນ້າ
ການບໍລິການດ້ານວິຊາການ
ເທັກໂນໂລຍີ ແລະວິທີແກ້ໄຂ
ເທັກໂນໂລຍີ & ແນວໂນ້ມ
ວິທີແກ້ໄຂ
ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ
ກໍລະນີສຶກສາ
ບໍລິການ & ຊັບພະຍາກອນ
ແຜນທີ່ຕົວຢ່າງ
ວັດສະດຸ & ການອອກແບບ
ການເພີ່ມປະສິດທິພາບ & ການຜະລິດມະຫາຊົນ
QC & Logistics
ຂ່າວ
ຂ່າວບໍລິສັດ
ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ
ດາວໂຫຼດ
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
ເມນູເວັບ
ບ້ານ
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບບໍລິສັດ
FAQ
ຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານວິຊາການ
ອຸປະກອນການຜະລິດ
ໃບຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາ
ບໍລິການຂອງພວກເຮົາ
ຜະລິດຕະພັນ
ການເຄືອບ Tantalum Carbide
ຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງ SIC SYLY
ຂະບວນການ SiC Epitaxy
ເຄື່ອງຮັບແສງ UV LED
ການເຄືອບ Silicon Carbide
ຊິລິໂຄນ Silicon ແຂງ
ອະພິພາດ Epicon
Silicon Carbide Epitaxy
ເຕັກໂນໂລຊີ MOCVD
ຂະບວນການ RTA/RTP
ICP/PSS ຂະບວນການ Etching
ຂະບວນການອື່ນໆ
ALD
ເຊລາມິກ Silicon Carbide
ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SIC
ການຜຸພັງແລະຄວາມກະຕືລືລົ້ນ
ເຊລາມິກລ່ວງຫນ້າ
semiconductor Quartz
ອາລູມິນຽມຜຸພັງ coramics
Silicon Nitride
pic sic porous
ວັດສະດຸປະສົມເພັດ
ອາລູມີນຽມ nitride
Yttrium ອົກຊີ
Zirconium Oxide
Graphite ພິເສດ
ການເຄືອບກາກບອນ Pyrolytic
ການເຄືອບກາກບອນທີ່ມີກາກບອນທີ່ມີກາກບອນ
graphite porous
isotropic graphite
ເສີກ
ເອກະສານຄວາມບໍລິສຸດສູງ
ເສັ້ນໄຍກາກບອນ
C / C Composite
rigid ຮູ້ສຶກ
ອ່ອນຮູ້ສຶກ
ບໍລິການສະຫນັບສະຫນູນ
Wafer
ເທກໂນໂລຍີການປິ່ນປົວຜິວຫນ້າ
ການບໍລິການດ້ານວິຊາການ
ເທັກໂນໂລຍີ ແລະວິທີແກ້ໄຂ
ເທັກໂນໂລຍີ & ແນວໂນ້ມ
ວິທີແກ້ໄຂ
ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ
ກໍລະນີສຶກສາ
ບໍລິການ & ຊັບພະຍາກອນ
ແຜນທີ່ຕົວຢ່າງ
ວັດສະດຸ & ການອອກແບບ
ການເພີ່ມປະສິດທິພາບ & ການຜະລິດມະຫາຊົນ
QC & Logistics
ຂ່າວ
ຂ່າວບໍລິສັດ
ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ
ດາວໂຫຼດ
ຄົ້ນຫາຜະລິດຕະພັນ
ພາສາ
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
ອອກຈາກເມນູ
ບ້ານ
ເທັກໂນໂລຍີ ແລະວິທີແກ້ໄຂ
ກໍລະນີສຶກສາ
ກໍລະນີສຶກສາ
ເທັກໂນໂລຍີ & ແນວໂນ້ມ
ວິທີແກ້ໄຂ
ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ
ກໍລະນີສຶກສາ
01
ເທກໂນໂລຍີເລເຊີທີ່ນໍາທາງນ້ໍາ: ເຄື່ອງຈັກ Micro-Hole Precision ສໍາລັບຊັ້ນຍ່ອຍ SiC
ຄົ້ນພົບວ່າເທັກໂນໂລຍີເລເຊີແບບນ້ຳຂອງ VeTek ໃຫ້ຄວາມເປັນເອກະພາບ Φ0.15mm ໂດຍຜ່ານຮູໃນ 2mm SiC substrates ທີ່ບໍ່ມີ taper, HAZ ໜ້ອຍທີ່ສຸດ ແລະໃຫ້ຜົນຜະລິດສູງສຳລັບການນຳໃຊ້ semiconductor.
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ
02
VETEK-AMAT Hollow Lift Pin Solution: ແຜ່ນຮອງ Graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງດ້ວຍການເຄືອບ CVD SiC
ບັນຫາດ້ານວິຊາການທີ່ທ້າທາຍທີ່ສຸດສໍາລັບອຸປະກອນ semiconductor pins lift hollow ບໍ່ແມ່ນການເຄືອບດ້ານນອກ, ແຕ່ບັນລຸການເຄືອບ CVD ທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະເປັນເອກະພາບໃນກໍາແພງພາຍໃນຂອງໂຄງສ້າງເປັນຮູ. ຈາກການຄວບຄຸມຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງການເຄືອບພາຍໃນເຖິງການຮັບປະກັນຄວາມສະອາດພາຍໃນ, ທຸກໆຂັ້ນຕອນຂອງຂະບວນການມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ຜົນຜະລິດຂອງ wafer. ບົດຄວາມນີ້ວິເຄາະຄວາມທ້າທາຍຫຼັກຂອງການເຄືອບການຍົກເປັນຮູໃນຝາແລະເສັ້ນທາງວິຊາການທີ່ສໍາຄັນ.
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ
«
1
»
ຄໍາແນະນໍາຂ່າວ
ເປັນຫຍັງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນຄວາມຕ້ານທານຂະຫນາດໃຫຍ່ SiC Crystal Growth Furnace ເປັນກຸນແຈຂອງການຜະລິດ Silicon Carbide Wafer ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ຫຼັກການແລະເຕັກໂນໂລຢີຂອງການເຄືອບລະບາຍນ້ໍາທາງກາຍະ (PVD) (2/2) - Semiconductor vetek
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ສູດນ້ໍາປະລໍາມະນູແບບປະລໍາມະນູ
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງຊິລິໂຄນ Carbide ແລະ Corbide Carbide ແມ່ນຫຍັງ?
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ສິ່ງທີ່ເຮັດໃຫ້ SiC coated graphite susceptor ສໍາລັບ ASM ເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບຜົນໄດ້ຮັບ Epitaxy ຫມັ້ນຄົງ?
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ວິທີການບັນລຸການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Crystal ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ? - ເຕົາທີ່ເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Sic Crystal
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek
X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ.
ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
ປະຕິເສດ
ຍອມຮັບ