VeTek semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດຊັ້ນນໍາຂອງອຸປະກອນການເຄືອບ Tantalum Carbide ສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ການສະເຫນີຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍຂອງພວກເຮົາປະກອບມີຊິ້ນສ່ວນການເຄືອບ CVD tantalum carbide, ພາກສ່ວນການເຄືອບ TaC sintered ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC ຫຼືຂະບວນການ epitaxy semiconductor. ຜ່ານ ISO9001, VeTek Semiconductor ມີການຄວບຄຸມທີ່ດີກ່ຽວກັບຄຸນນະພາບ. VeTek Semiconductor ແມ່ນອຸທິດຕົນເພື່ອກາຍເປັນຜູ້ປະດິດສ້າງໃນອຸດສາຫະກໍາການເຄືອບ Tantalum Carbide ຜ່ານການຄົ້ນຄວ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີທີ່ຊ້ໍາກັນ.
ຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍແມ່ນແຫວນຄູ່ມືການເຄືອບ TaC, ວົງແຫວນຄູ່ມືສາມກີບ CVD TaC ເຄືອບ, Tantalum Carbide TaC ເຄືອບ Halfmoon, CVD TaC coating planetary SiC epitaxial susceptor, ວົງການເຄືອບ Tantalum Carbide, Tantalum Carbide ເຄືອບ Porous Graphite, TaC Coating Rotation Susceptor, ແຫວນ Tantalum Carbide, ແຜ່ນຫມຸນການເຄືອບ TaC, TaC coated wafer susceptor, TaC ເຄືອບ Deflector Ring, ແຜ່ນເຄືອບ CVD TaC, TaC ເຄືອບ Chuckແລະອື່ນໆ, ຄວາມບໍລິສຸດແມ່ນຕ່ໍາກວ່າ 5ppm, ສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.
TaC coating graphite ຖືກສ້າງຂື້ນໂດຍການເຄືອບພື້ນຜິວຂອງ substrate graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງດ້ວຍຊັ້ນອັນດີງາມຂອງ tantalum carbide ໂດຍຂະບວນການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ (CVD) ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ. ປະໂຫຍດແມ່ນສະແດງໃຫ້ເຫັນໃນຮູບຂ້າງລຸ່ມນີ້:
ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈເນື່ອງຈາກຈຸດລະລາຍສູງເຖິງ 3880 ° C, ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກທີ່ດີເລີດ, ຄວາມແຂງ, ແລະຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ຫນ້າສົນໃຈສໍາລັບຂະບວນການປະສົມ semiconductor epitaxy ທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການອຸນຫະພູມສູງກວ່າ, ເຊັ່ນ: ລະບົບ Aixtron MOCVD ແລະ LPE SiC epitaxy process.It ຍັງມີຄໍາຮ້ອງສະຫມັກກ້ວາງໃນ PVT ວິທີການ SiC ຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ.
ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ:
●ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມ
●ຄວາມບໍລິສຸດສູງພິເສດ
●ຄວາມຕ້ານທານກັບ H2, NH3, SiH4, Si
●ຄວາມຕ້ານທານກັບຫຼັກຊັບຄວາມຮ້ອນ
●ການຍຶດເກາະທີ່ເຂັ້ມແຂງກັບ graphite
●ການຄຸ້ມຄອງການເຄືອບທີ່ສອດຄ່ອງ
● ຂະຫນາດເຖິງເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 750 ມມ (ຜູ້ຜະລິດດຽວໃນປະເທດຈີນເຖິງຂະຫນາດນີ້)
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ:
●ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ Wafer
● ຕົວຮັບຄວາມຮ້ອນແບບ inductive
● ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນທີ່ທົນທານ
●ແຜ່ນດາວທຽມ
●ອາບຫົວ
●ແຫວນຄູ່ມື
●ເຄື່ອງຮັບ Epi LED
●ຫົວສີດ
●ວົງແຫວນ
● ແຜ່ນປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນ
ການເຄືອບ Tantalum carbide (TaC) ເທິງກ້ອງຈຸລະທັດ:
ພາລາມິເຕີຂອງ VeTek Semiconductor Tantalum Carbide Coating:
|
ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງການເຄືອບ TaC
|
|
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ
|
14.3 (g/cm³)
|
|
ການປ່ອຍອາຍພິດສະເພາະ
|
0.3
|
|
ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ
|
6.3 10-6/ກ
|
|
ຄວາມແຂງ (HK)
|
2000 HK
|
|
ການຕໍ່ຕ້ານ
|
1×10-5ໂອມ*ຊມ
|
|
ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ
|
<2500℃
|
|
ການປ່ຽນແປງຂະຫນາດຂອງ Graphite
|
-10~20 ນ
|
|
ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ
|
≥20um ຄ່າປົກກະຕິ (35um±10um)
|
ຂໍ້ມູນການເຄືອບ TaC EDX：
ຂໍ້ມູນໂຄງສ້າງການເຄືອບ TaC:
|
ອົງປະກອບ
|
ເປີເຊັນປະລໍາມະນູ
|
|
|
ປທ. 1
|
ປທ. 2
|
ປທ. 3
|
ສະເລ່ຍ
|
|
C K
|
52.10
|
57.41
|
52.37
|
53.96
|
|
ມ
|
47.90
|
42.59
|
47.63
|
46.04
|
