VeTek semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດຊັ້ນນໍາຂອງອຸປະກອນການເຄືອບ Tantalum Carbide ສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ການສະເຫນີຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍຂອງພວກເຮົາປະກອບມີຊິ້ນສ່ວນການເຄືອບ CVD tantalum carbide, ພາກສ່ວນການເຄືອບ TaC sintered ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC ຫຼືຂະບວນການ epitaxy semiconductor. ຜ່ານ ISO9001, VeTek Semiconductor ມີການຄວບຄຸມທີ່ດີກ່ຽວກັບຄຸນນະພາບ. VeTek Semiconductor ອຸທິດຕົນເພື່ອກາຍເປັນຜູ້ປະດິດສ້າງໃນອຸດສາຫະກໍາການເຄືອບ Tantalum Carbide ຜ່ານການຄົ້ນຄວ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີທີ່ຊ້ໍາກັນ.
ຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍແມ່ນ TaC Coated Guide Ring, CVD TaC coated three-petal guide ring, Tantalum Carbide TaC Coated Halfmoon, CVD TaC coating planetary SiC epitaxial susceptor, Tantalum Carbide Coating Ring, Tantalum Carbide Coated Porous Graphite, TaC Coating Rotation Susceptor, Plate, TaC coated wafer susceptor, TaC Coated Deflector Ring, CVD TaC Coating Cover, TaC Coated Chuck ແລະອື່ນໆ, ຄວາມບໍລິສຸດແມ່ນຕ່ໍາກວ່າ 5ppm, ສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.
TaC coating graphite ຖືກສ້າງຂື້ນໂດຍການເຄືອບພື້ນຜິວຂອງ substrate graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງດ້ວຍຊັ້ນອັນດີງາມຂອງ tantalum carbide ໂດຍຂະບວນການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ (CVD) ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ. ປະໂຫຍດແມ່ນສະແດງໃຫ້ເຫັນໃນຮູບຂ້າງລຸ່ມນີ້:
ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈເນື່ອງຈາກຈຸດລະລາຍສູງເຖິງ 3880 ° C, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກທີ່ດີເລີດ, ຄວາມແຂງ, ແລະຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ຫນ້າສົນໃຈສໍາລັບຂະບວນການປະສົມ semiconductor epitaxy ທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການອຸນຫະພູມທີ່ສູງຂຶ້ນ, ເຊັ່ນ: ລະບົບ Aixtron MOCVD ແລະ LPE SiC epitaxy process. ມັນຍັງມີການແຜ່ກະຈາຍໄປເຊຍກັນ.
ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ
● ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 2500 ° C ດ້ວຍຄວາມຕ້ານທານທີ່ດີເລີດຕໍ່ການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ.
● ຄວາມບໍລິສຸດສູງພິເສດ (<5ppm) ແລະການຍຶດເກາະທີ່ເຂັ້ມແຂງກັບ graphite ສໍາລັບການຜະລິດອະນຸພາກຫນ້ອຍ.
● ທົນທານຕໍ່ກັບ H₂, NH₃, SiH₄ ແລະ Si vapors ໃນສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການທີ່ຮຸນແຮງ.
● ການປົກຫຸ້ມຂອງການເຄືອບ conformal ມີຄວາມສາມາດຂະຫນາດເຖິງເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 750mm, ເປັນເອກະລັກທີ່ມີຢູ່ໃນປະເທດຈີນ.
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງຜະລິດຕະພັນ
ພາລາມິເຕີຂອງ VeTek Semiconductor Tantalum Carbide Coating:
| ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງການເຄືອບ TaC |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນ |
14.3 g/cm³ |
| ຄວາມແຂງ |
2000 HK |
| ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ |
6.3×10⁻⁶/K |
| ການຕໍ່ຕ້ານ |
1×10⁻⁵ Ohm·ຊມ |
| ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ |
<2500°C |
| ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ |
≥20μm (ປົກກະຕິ 35±10μm) |
ການເຄືອບ carbide (TaC) ຢູ່ເທິງກ້ອງຈຸລະທັດ:
ຂໍ້ມູນການເຄືອບ TaC EDX:
ຂໍ້ມູນໂຄງສ້າງຜລຶກຂອງເຄືອບ TaC:
| ອົງປະກອບ |
ເປີເຊັນປະລໍາມະນູ |
|
|
ປທ. 1 |
ປທ. 2 |
ປທ. 3 |
ສະເລ່ຍ |
| C K |
52.10
|
57.41
|
52.37
|
53.96
|
| ຕາ ມ |
47.90
|
42.59
|
47.63
|
46.04
|
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ຫຼາກຫຼາຍຂອງຂະບວນການ semiconductor, VeTek ສະເຫນີຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ Tantalum Carbide ເປົ້າຫມາຍ. ຕາຕະລາງຕໍ່ໄປນີ້ຈັດປະເພດພວກມັນຕາມພື້ນທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ສໍາຄັນ, ລາຍຊື່ອົງປະກອບປົກກະຕິແລະຂະບວນການທີ່ໃຊ້ໄດ້:
| ພາກສະຫນາມຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ |
ຜະລິດຕະພັນປົກກະຕິ |
ລາຍລະອຽດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ |
| SiC Epitaxy |
CVD TaC ເຄືອບ susceptor ດາວເຄາະ,TaC coated wafer susceptor,ແຫວນຄູ່ມືການເຄືອບ TaC
|
ເຫມາະສໍາລັບຂະບວນການ SiC epitaxial ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ (ເຊັ່ນ: ວິທີການ LPE), ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນສູງແລະການໂຕ້ຕອບການປົນເປື້ອນຕ່ໍາເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຮູບເງົາ. |
| GaN / LED Epitaxy (MOCVD) |
ຫົວອາບນ້ໍາ, ແຜ່ນດາວທຽມ, ແຫວນຫນ້າກາກ, ແຜ່ນປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນ, ຫົວສີດ |
ເຫມາະສໍາລັບລະບົບ Aixtron MOCVD, ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ H₂ / NH₃, ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກແລະການປັບປຸງຜົນຜະລິດຂອງ LED epitaxial. |
| SiC Crystal Growth (ວິທີ PVT) |
TaC ເຄືອບ graphite porous,TaC ເຄືອບ halfmoon,ແຫວນຄູ່ມື,ກວມເອົາ,chuck
|
ໃຊ້ໃນ PVT SiC ingot ການຂະຫຍາຍຕົວ, ທົນທານຕໍ່ເຖິງ 2500 ° C, ປ້ອງກັນປະຕິກິລິຍາ graphite, ແລະຮັບປະກັນຄວາມບໍລິສຸດໄປເຊຍກັນ. |
| ອົງປະກອບການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຮ້ອນສູງ |
ເຄື່ອງດູດຄວາມຮ້ອນ inductive,ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນຕ້ານທານ, ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ wafer
|
ເຫມາະສໍາລັບລະບົບຄວາມຮ້ອນ induction ຫຼື resistive, ສະຫນອງຄວາມແຂງສູງແລະຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ, ຂະຫຍາຍອາຍຸອົງປະກອບໂດຍ 3-5 ເທົ່າ. |
ສໍາລັບການແກ້ໄຂການຈັບຄູ່ຂະບວນການລະອຽດເພີ່ມເຕີມ, ກະລຸນາເບິ່ງSilicon Carbide Epitaxyຫນ້າຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.
ພວກເຮົາສະຫນັບສະຫນູນການບໍລິການທີ່ກໍາຫນົດເອງໂດຍອີງໃສ່ຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ. ຜ່ານ ISO9001 ດ້ວຍການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບທີ່ດີ.
ຍິນດີຕ້ອນຮັບທີ່ຈະຕິດຕໍ່ຫາພວກເຮົາສໍາລັບການປຶກສາຫາລືເພີ່ມເຕີມຫຼືອອກຂໍ້ຄວາມ
