ບ້ານ
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບບໍລິສັດ
FAQ
ຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານວິຊາການ
ອຸປະກອນການຜະລິດ
ໃບຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາ
ບໍລິການຂອງພວກເຮົາ
ຜະລິດຕະພັນ
ການເຄືອບ Tantalum Carbide
ຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງ SIC SYLY
ຂະບວນການ SiC Epitaxy
ເຄື່ອງຮັບແສງ UV LED
ການເຄືອບ Silicon Carbide
ຊິລິໂຄນ Silicon ແຂງ
ອະພິພາດ Epicon
Silicon Carbide Epitaxy
ເຕັກໂນໂລຊີ MOCVD
ຂະບວນການ RTA/RTP
ICP/PSS ຂະບວນການ Etching
ຂະບວນການອື່ນໆ
ALD
ເຊລາມິກ Silicon Carbide
ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SIC
ການຜຸພັງແລະຄວາມກະຕືລືລົ້ນ
ເຊລາມິກລ່ວງຫນ້າ
semiconductor Quartz
ອາລູມິນຽມຜຸພັງ coramics
Silicon Nitride
pic sic porous
Graphite ພິເສດ
ການເຄືອບກາກບອນ Pyrolytic
ການເຄືອບກາກບອນທີ່ມີກາກບອນທີ່ມີກາກບອນ
graphite porous
isotropic graphite
ເສີກ
ເອກະສານຄວາມບໍລິສຸດສູງ
ເສັ້ນໄຍກາກບອນ
C / C Composite
rigid ຮູ້ສຶກ
ອ່ອນຮູ້ສຶກ
ບໍລິການສະຫນັບສະຫນູນ
ເທັກໂນໂລຍີ ແລະວິທີແກ້ໄຂ
ເທັກໂນໂລຍີ & ແນວໂນ້ມ
ວິທີແກ້ໄຂ
ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ
ກໍລະນີສຶກສາ
ບໍລິການ & ຊັບພະຍາກອນ
ແຜນທີ່ຕົວຢ່າງ
ວັດສະດຸ & ການອອກແບບ
ການເພີ່ມປະສິດທິພາບ & ການຜະລິດມະຫາຊົນ
QC & Logistics
ຂ່າວ
ຂ່າວບໍລິສັດ
ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ
ດາວໂຫຼດ
ດາວໂຫຼດ
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
ເມນູເວັບ
ບ້ານ
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບບໍລິສັດ
FAQ
ຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານວິຊາການ
ອຸປະກອນການຜະລິດ
ໃບຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາ
ບໍລິການຂອງພວກເຮົາ
ຜະລິດຕະພັນ
ການເຄືອບ Tantalum Carbide
ຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງ SIC SYLY
ຂະບວນການ SiC Epitaxy
ເຄື່ອງຮັບແສງ UV LED
ການເຄືອບ Silicon Carbide
ຊິລິໂຄນ Silicon ແຂງ
ອະພິພາດ Epicon
Silicon Carbide Epitaxy
ເຕັກໂນໂລຊີ MOCVD
ຂະບວນການ RTA/RTP
ICP/PSS ຂະບວນການ Etching
ຂະບວນການອື່ນໆ
ALD
ເຊລາມິກ Silicon Carbide
ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SIC
ການຜຸພັງແລະຄວາມກະຕືລືລົ້ນ
ເຊລາມິກລ່ວງຫນ້າ
semiconductor Quartz
ອາລູມິນຽມຜຸພັງ coramics
Silicon Nitride
pic sic porous
Graphite ພິເສດ
ການເຄືອບກາກບອນ Pyrolytic
ການເຄືອບກາກບອນທີ່ມີກາກບອນທີ່ມີກາກບອນ
graphite porous
isotropic graphite
ເສີກ
ເອກະສານຄວາມບໍລິສຸດສູງ
ເສັ້ນໄຍກາກບອນ
C / C Composite
rigid ຮູ້ສຶກ
ອ່ອນຮູ້ສຶກ
ບໍລິການສະຫນັບສະຫນູນ
ເທັກໂນໂລຍີ ແລະວິທີແກ້ໄຂ
ເທັກໂນໂລຍີ & ແນວໂນ້ມ
ວິທີແກ້ໄຂ
ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ
ກໍລະນີສຶກສາ
ບໍລິການ & ຊັບພະຍາກອນ
ແຜນທີ່ຕົວຢ່າງ
ວັດສະດຸ & ການອອກແບບ
ການເພີ່ມປະສິດທິພາບ & ການຜະລິດມະຫາຊົນ
QC & Logistics
ຂ່າວ
ຂ່າວບໍລິສັດ
ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ
ດາວໂຫຼດ
ດາວໂຫຼດ
ຄົ້ນຫາຜະລິດຕະພັນ
ພາສາ
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
ອອກຈາກເມນູ
ບ້ານ
ເທັກໂນໂລຍີ ແລະວິທີແກ້ໄຂ
ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ
ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ
ເທັກໂນໂລຍີ & ແນວໂນ້ມ
ວິທີແກ້ໄຂ
ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ
ກໍລະນີສຶກສາ
01
01-04 VETEK | CVD SiC Coated Graphite Parts Cleaning, Regeneration and Full Lifecycle Management
ຊິ້ນສ່ວນທີ່ເຄືອບບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງຖືກຂູດຢ່າງເຕັມສ່ວນໃນທຸກໆເສັ້ນປະສາດຕະຫຼອດຊີວິດ. ບົດຄວາມນີ້ອະທິບາຍເມື່ອຊິ້ນສ່ວນກາຟໄລທີ່ເຄືອບ CVD SiC ເໝາະສຳລັບການທຳຄວາມສະອາດ ແລະສ້າງໃໝ່, ວິທີການຮັບເອົາພວກມັນຫຼັງຈາກນັ້ນ, ແລະວິທີການຈັດການການປ່ຽນແທນດ້ວຍແນວຄິດວົງຈອນຊີວິດເຕັມທີ່, ຊ່ວຍໃຫ້ຜົນຜະລິດສົມດຸນ ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕໍ່ໄລຍະມີຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືຫຼາຍຂຶ້ນ. ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ແທ້ຈິງຂອງຕົວຍຶດ, ວົງແຫວນ preheat ແລະສ່ວນທີ່ຄ້າຍຄືກັນຢູ່ໃນສາຍແມ່ນບໍ່ພຽງແຕ່ລາຄາຊື້, ແຕ່ຍັງມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການທົດແທນເວລາຫຼຸດລົງ.
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ
02
01-03 VETEK | ຕົວຊີ້ວັດທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການເຄືອບ CVD SiC ຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະການຄວບຄຸມອະນຸພາກ
ຫຼັງຈາກວັດສະດຸຖືກເລືອກ, ສິ່ງທີ່ມັກຈະຕັດສິນໃຈກ່ຽວກັບການປະຕິບັດຂອງເຄື່ອງມືແມ່ນການວັດແທກປະລິມານເຊັ່ນ: ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ລະດັບອະນຸພາກແລະຄວາມບໍລິສຸດ. ບົດຄວາມນີ້ຈັດຕັ້ງຂະຫນາດຄຸນນະພາບທີ່ສໍາຄັນຂອງການເຄືອບ CVD SiC ໃນການຍອມຮັບແລະການນໍາໃຊ້, ການຊ່ວຍເຫຼືອຍ້າຍຈາກ "ການແຂ່ງຂັນສະເພາະ" ກັບ "ການລາຍງານສາມາດກວດສອບແລະຄວາມສ່ຽງທີ່ຄາດວ່າຈະໄດ້.
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ
03
01-02 VETEK | ວິທີການເລືອກການເຄືອບ SiC, ການເຄືອບ TaC ຫຼື SiC ແຂງໂດຍເງື່ອນໄຂຂະບວນການ
ບົດຄວາມນີ້ໄດ້ອະທິບາຍຂອບເຂດຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະສະຖານະການປົກກະຕິຂອງການເຄືອບ CVD SiC, ການເຄືອບ TaC ແລະ Solid SiC ໂດຍອຸນຫະພູມ, ບັນຍາກາດແລະປະເພດຂະບວນການ, ຊ່ວຍໃຫ້ວິສະວະກອນ epitaxy ແລະ etching ສອດຄ່ອງຢ່າງໄວວາປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການໃນລະຫວ່າງການເລືອກແລະຫຼີກເວັ້ນການ particle ແລະຄວາມສ່ຽງຕະຫຼອດຊີວິດຈາກວັດສະດຸ - ສະພາບທີ່ບໍ່ສອດຄ່ອງ.
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ
04
01-01 VTEEK | ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງ Graphite Susceptor ແລະ 1:1 Custom Replacement Solutions
ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ແລະການທົດແທນການແກ້ໄຂສໍາລັບ Aixtron G10, Veeco, susceptors ASM ແລະວົງ preheat. ສະຫນັບສະຫນູນການປັບແຕ່ງຕາມຮູບແຕ້ມ 1: 1, ການຂົນສົ່ງໄວສໍາລັບພາກສ່ວນມາດຕະຖານ, 3-6 ອາທິດສໍາລັບພາກສ່ວນທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ມີບົດລາຍງານການກວດກາແລະການປະເມີນຕົວຢ່າງ.
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ
«
1
2
»
ຄໍາແນະນໍາຂ່າວ
ພາຍໃນກອງປະຊຸມ VETEK CNC Precision Machining: ການກໍ່ສ້າງພື້ນຖານຂອງອົງປະກອບ Semiconductor ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ແມ່ນ graphite porous ສໍາລັບແບັດເຕີຣີສາກໄຟໄວ
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ບົດສະຫຼຸບຂອງ Silicon Carbide (SIC) ຂະບວນການຜະລິດ
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ສາມາດ isotropic graphite graphite ທົນກັບຄວາມຮ້ອນທີ່ສຸດໃນເຕົາອົບອຸນຫະພູມສູງ
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
SiC ທຽບກັບ TaC Coating: ໄສ້ສຸດທ້າຍສໍາລັບ Graphite Susceptors ໃນການປະມວນຜົນເຄິ່ງພະລັງງານຄວາມຮ້ອນສູງ
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
ສູດນ້ໍາປະລໍາມະນູແບບປະລໍາມະນູ
ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >>
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek
X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ.
ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
ປະຕິເສດ
ຍອມຮັບ