ຄູ່ມືການຄັດເລືອກ

ຄໍຂວດຄວາມຮ້ອນຂອງຊິບ ແລະໂມດູນທີ່ມີພະລັງງານສູງມັກຈະບໍ່ພຽງແຕ່ “ມີຄວາມຖືກຕ້ອງສູງພໍສົມຄວນ,” ແຕ່ບໍ່ວ່າຄ່າການນໍາ ແລະການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຈະເຂົ້າກັນຫຼືບໍ່. ອົງປະກອບຂອງເພັດເພີ່ມການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະ CTE ຕ່ໍາໂດຍຜ່ານສ່ວນຂອງເພັດສູງ, ປະກອບເປັນສາມເສັ້ນທາງທົ່ວໄປ: ເພັດ-ທອງແດງ, ເພັດອາລູມິນຽມແລະເພັດ-SiC. ອີງຕາມຂອບເຂດການປະຕິບັດປົກກະຕິ, ບົດຄວາມນີ້ອະທິບາຍຂອບເຂດການຄັດເລືອກ, ສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະຈຸດກວດກາການແນະນໍາ.

ຄໍາຖາມທີ່ແທ້ຈິງໃນການຄັດເລືອກຫ້ອງມັກຈະບໍ່ແມ່ນ "ເຊລາມິກຫຼື quartz," ແຕ່: ພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມໃນປະຈຸບັນ, ການກັດກ່ອນ, ໄຟຟ້າແລະກົນຈັກ, ວັດສະດຸທີ່ສາມາດຄວບຄຸມອະນຸພາກ, ຕະຫຼອດຊີວິດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຮ່ວມກັນ. ບົດຄວາມນີ້ສ້າງໂຄງຮ່າງການຄັດເລືອກທີ່ເປັນເອກະພາບສໍາລັບເຊລາມິກແລະ quartz ຊັ້ນສູງຂອງ semiconductor, ອະທິບາຍການແບ່ງປັນບົດບາດຂອງພວກເຂົາ, ວິທີການປະເມີນສີ່ມິຕິລະດັບ, ແລະເສັ້ນທາງການອ່ານສໍາລັບຄວາມລົ້ມເຫລວ, ການປັບແຕ່ງແລະການຈັດຊື້ - ແລະແຕ້ມເສັ້ນທີ່ຊັດເຈນລະຫວ່າງການເຄືອບ silicon carbide ແລະ graphite + CVD SiC.

Solid SiC ບໍ່ແມ່ນ "ການທົດແທນການເຄືອບທີ່ມີລາຄາແພງກວ່າ," ແຕ່ເປັນເສັ້ນທາງດ້ານວິຊາການອື່ນສໍາລັບສະຖານະການທີ່ບໍ່ມີການໂຕ້ຕອບ, ທົນທານຕໍ່ plasma ແລະຕະຫຼອດຊີວິດ. ບົດຄວາມນີ້ອະທິບາຍຂອບເຂດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຕົນໃນການ etching ແລະການນໍາໃຊ້ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ການປຽບທຽບ TCO ກັບ graphite ເຄືອບ, ແລະຈຸດຢັ້ງຢືນສໍາລັບການແນະນໍາ. ເມື່ອສາຍເຫັນຊ້ໍາຊ້ອນ delamination ເຄືອບຫຼື particle ປີນເທິງວົງສຸມໃສ່ແລະຕໍາແຫນ່ງທີ່ຄ້າຍຄືກັນ, ບັນຫາມັກຈະບໍ່ພຽງແຕ່ "ທໍາຄວາມສະອາດບໍ່ພຽງພໍ" ຫຼື "ຫຼາຍທີ່ບໍ່ດີ," ແຕ່ບໍ່ວ່າຈະເປັນຮູບແບບວັດສະດຸທີ່ກົງກັບສະພາບແວດລ້ອມ.

ຊິ້ນສ່ວນທີ່ເຄືອບບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງຖືກຂູດຢ່າງເຕັມສ່ວນໃນທຸກໆເສັ້ນປະສາດຕະຫຼອດຊີວິດ. ບົດຄວາມນີ້ອະທິບາຍເມື່ອຊິ້ນສ່ວນກາຟໄລທີ່ເຄືອບ CVD SiC ເໝາະສຳລັບການທຳຄວາມສະອາດ ແລະສ້າງໃໝ່, ວິທີການຮັບເອົາພວກມັນຫຼັງຈາກນັ້ນ, ແລະວິທີການຈັດການການປ່ຽນແທນດ້ວຍແນວຄິດວົງຈອນຊີວິດເຕັມທີ່, ຊ່ວຍໃຫ້ຜົນຜະລິດສົມດຸນ ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕໍ່ໄລຍະມີຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືຫຼາຍຂຶ້ນ. ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ແທ້ຈິງຂອງຕົວຍຶດ, ວົງແຫວນ preheat ແລະສ່ວນທີ່ຄ້າຍຄືກັນຢູ່ໃນສາຍແມ່ນບໍ່ພຽງແຕ່ລາຄາຊື້, ແຕ່ຍັງມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການທົດແທນເວລາຫຼຸດລົງ.