ແຜນທີ່ຕົວຢ່າງ

ອີງຕາມຕົວຢ່າງທາງກາຍະພາບທີ່ລູກຄ້າສະຫນອງໃຫ້ (ເຖິງແມ່ນວ່າມັນເປັນສ່ວນທີ່ໃຊ້ແລ້ວຫຼືກະດູກຫັກ), ພວກເຮົາສະເຫນີໃຫ້ບໍລິການເຕັມຮູບແບບຕັ້ງແຕ່ວິສະວະກໍາດ້ານໂຄງສ້າງທາງກາຍະພາບໄປສູ່ການກໍານົດລັກສະນະທາງກາຍະພາບທາງດ້ານວັດຖຸ. ການນໍາໃຊ້ອຸປະກອນການກວດສອບຄວາມແມ່ນຍໍາສູງລະດັບ semiconductor, ພວກເຮົາກໍານົດຢ່າງຖືກຕ້ອງກ່ຽວກັບໂຄງສ້າງເລຂາຄະນິດ 3D ທີ່ຊັບຊ້ອນ, ຄຸນສົມບັດການໂຕ້ຕອບການເຄືອບ / substrate, ແລະຕົວກໍານົດການທາງກາຍະພາບຂອງວັດສະດຸ, ຮັບປະກັນວ່າຜະລິດຕະພັນທີ່ເຮັດດ້ວຍວິສະວະກໍາປີ້ນກັບກັນໄດ້ພົບຫຼື. ເກີນມາດຕະຖານ OEM ໃນຄວາມສອດຄ່ອງທາງກາຍ, ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງຂະບວນການ, ແລະຊີວິດການບໍລິການ (ການທົດແທນແບບຟອມ-Fit-Function).

ສິ່ງທີ່ພວກເຮົາວັດແທກ (ການຈັດສົ່ງດ້ານວິຊາການ):

• ຄວາມທົນທານທາງດ້ານມິຕິ ແລະເລຂາຄະນິດ:ການນໍາໃຊ້ເຄື່ອງວັດແທກການປະສານງານທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ (CMM) ແລະເຄື່ອງສະແກນ 3D optical, ພວກເຮົາປະຕິບັດການສ້າງແບບຈໍາລອງຈຸດເມຄຂະຫນາດເຕັມແລະການກໍ່ສ້າງໂຄງສ້າງຢູ່ຕາມໂກນທີ່ສັບສົນແລະຂຸມການຕິດຕັ້ງ / ສະຖານທີ່, ບັນລຸຄວາມຖືກຕ້ອງໃນລະດັບ micron.
• Surface Micro-Morphology & Flatness:ການຈ້າງ interferometers ແສງສີຂາວແລະ optical profilometers ເພື່ອປະເມີນຄວາມຫຍາບຂອງຫນ້າດິນຂະຫນາດ nanometer (Ra) ແລະຄວາມຮາບພຽງໃນພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການຈັດການ wafer ແລະການປະທັບຕາຫ້ອງ.
• Edge Micro-ຄຸນສົມບັດ:ການສ້າງແຜນທີ່ການຂະຫຍາຍສູງຂອງຂອບ R-radii ແລະຈຸນລະພາກ chamfer ເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບການເຄືອບປີນ morphology ແລະຫຼີກເວັ້ນການຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຄວາມກົດດັນໃນມຸມແຫຼມທີ່ສາມາດເຮັດໃຫ້ delamination ອຸນຫະພູມສູງ.
• Graphite Substrate & Thermal Matching Analysis:ການປະເມີນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ substrate graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຂະຫນາດເມັດພືດ, ແລະສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) ເພື່ອຮັບປະກັນການຈັບຄູ່ກັນຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງ substrate ແລະການເຄືອບ CVD.
• Coating Cross-Section & Interface Bonding Quality:XRF ທີ່ບໍ່ທໍາລາຍແລະການວິເຄາະ SEM ຂ້າມພາກສ່ວນ metallographic ເພື່ອວັດແທກຄວາມຫນາຢ່າງແທ້ຈິງ, ຄວາມເປັນເອກະພາບ radial ຂອງການເຄືອບ CVD, ແລະຄວາມເລິກຂອງການໂຕ້ຕອບ.
• ໂຄງສ້າງໄລຍະ ແລະການວິເຄາະຈຸນລະພາກ Crystal:ການປະເມີນ XRD ຂອງໄລຍະ cubic (β-SiC) ຄວາມບໍລິສຸດຂອງ CVD SiC; ການປະເມີນຄຸນນະພາບຂອງ stoichiometry ເຄມີແລະຄຸນລັກສະນະໂຄງສ້າງໄປເຊຍກັນຂອງ CVD TaC.

ກໍລະນີທີ່ແທ້ຈິງ & ຜົນປະໂຫຍດຂອງລູກຄ້າ (ປະສົບການ):

ລູກຄ້າ ອົງປະກອບ etching semiconductor ຂະໜາດ 12 ນິ້ວ:ການສະຫນອງ OEM ຢຸດເຊົາ; ມີພຽງສ່ວນໜຶ່ງທີ່ໃຊ້ແລ້ວ. ໂດຍຜ່ານ CMM reverse modeling + SEM coating cross-section analysis, ພວກເຮົາໄດ້ສໍາເລັດການພັດທະນາສ່ວນທົດແທນແລະການທົດສອບເຄື່ອງມືພາຍໃນ 2 ເດືອນໂດຍບໍ່ມີການແຕ້ມຕົ້ນສະບັບ, ບັນລຸໄດ້ 100% ເຫມາະການຕິດຕັ້ງ. ​ໃນ​ທີ່​ສຸດ, ວົງ​ຈອນ​ການຈັດ​ຊື້​ເຄື່ອງ​ປະກອບ​ໄດ້​ຫຼຸດ​ລົງ​ຈາກ​ເວລາ​ນຳ​ເຂົ້າ 6 ​ເດືອນ​ຕົ້ນ​ມາ​ເປັນ 2 ​ເດືອນ, ຄ່າ​ຈັດ​ຊື້​ຫົວໜ່ວຍ​ຫຼຸດ​ລົງ 42%, ​ແລະ​ຕົວ​ແບບ​ນີ້​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ສະໜອງ​ຢ່າງ​ໝັ້ນ​ທ່ຽງ​ຫຼາຍ​ກວ່າ 30 ຊຸດ.

ການເຄືອບ Silicon Carbide (SiC) ກ່ຽວກັບການເຄືອບ SEM ຂ້າມພາກສ່ວນ

FAQ

ເລີ່ມການບໍລິການສະເພາະຂອງທ່ານດຽວນີ້