01-05 VETEK | ຂອບເຂດຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະຈຸດຄັດເລືອກຂອງ SiC ແຂງໃນສະຖານະການ etching ແລະຄວາມບໍລິສຸດສູງ

ແຂງ SiC ບໍ່ແມ່ນ "ການທົດແທນການເຄືອບທີ່ມີລາຄາແພງກວ່າ," ແຕ່ເປັນເສັ້ນທາງດ້ານວິຊາການອື່ນສໍາລັບສະຖານະການທີ່ບໍ່ມີການໂຕ້ຕອບ, ທົນທານຕໍ່ plasma ແລະຕະຫຼອດຊີວິດ. ບົດ​ຄວາມ​ນີ້​ອະ​ທິ​ບາຍ​ຂອບ​ເຂດ​ຄໍາ​ຮ້ອງ​ສະ​ຫມັກ​ຂອງ​ຕົນ​ໃນ​ການ etching ແລະ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ບໍ​ລິ​ສຸດ​ສູງ​, ການ​ປຽບ​ທຽບ TCO ກັບ graphite ເຄືອບ​, ແລະ​ຈຸດ​ພິ​ສູດ​ສໍາ​ລັບ​ການ​ແນະ​ນໍາ​.

ເມື່ອສາຍເຫັນຊ້ໍາຊ້ອນການເຄືອບຫຼືອະນຸພາກເຂົ້າໄປໃນວົງການສຸມໃສ່ແລະຕໍາແຫນ່ງທີ່ຄ້າຍຄືກັນ, ບັນຫາມັກຈະບໍ່ພຽງແຕ່ "ທໍາຄວາມສະອາດບໍ່ພຽງພໍ" ຫຼື "ຫຼາຍທີ່ບໍ່ດີ," ແຕ່ຮູບແບບວັດສະດຸທີ່ກົງກັບສະພາບແວດລ້ອມ plasma.

1. ເປັນ​ຫຍັງ​ຈຶ່ງ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ຄັດ​ເລືອກ​ເອົາ​ພາກ​ສ່ວນ​ທີ່​ສໍາ​ຄັນ​ຫຼາຍ​ໃນ​ແຂງ SiC?

ສະຫຼຸບຫຼັກ:Plasma ແມ່ນບໍ່ເປັນມິດກັບການໂຕ້ຕອບການເຄືອບ - substrate. Solid SiC ແມ່ນ β-SiC bulk ທີ່ບໍ່ມີການໂຕ້ຕອບການເຄືອບ, ການກໍາຈັດແຫຼ່ງອະນຸພາກ delamination ໂດຍໂຄງສ້າງ; ມັນຍັງຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນຂອງ plasma ໄດ້ຢ່າງແຂງແຮງແລະເຫມາະສົມກັບພາກສ່ວນທີ່ສໍາຄັນເຊັ່ນ: ວົງແຫວນທີ່ສໍາຜັດໂດຍກົງກັບ plasma.

ໃນເຂດຮ້ອນ epitaxy, graphite ເຄືອບຍັງຄົງເປັນຕົ້ນຕໍ; ຢູ່ໃນຫ້ອງ etch, ການໂຕ້ຕອບແລະກົນໄກການເຊາະເຈື່ອນແຕກຕ່າງກັນ, ສະນັ້ນເຫດຜົນການເລືອກວັດສະດຸຕ້ອງປ່ຽນແປງກັບພວກມັນ.

ຄວາມແຕກຕ່າງຂອງໂຄງສ້າງແລະການບໍລິການ

• graphite ເຄືອບ: ມີການໂຕ້ຕອບການເຄືອບ-graphite; plasma ໄລຍະຍາວຫຼືຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການ delamination

• ແຂງ SiC: bulk ແມ່ນ SiC; ບໍ່ມີເສັ້ນທາງ delamination ໃນການໂຕ້ຕອບ; ຄວາມບໍລິສຸດສາມາດບັນລຸ 5N-7N

• ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ: ວົງສຸມໃສ່, ບາງບ່ອນອາບນ້ໍາ, ແລະພາກສ່ວນຫ້ອງທີ່ມີອະນຸພາກສູງຫຼາຍແລະຄວາມຕ້ອງການຕະຫຼອດຊີວິດ.

2. ວິທີການປຽບທຽບ TCO ລະຫວ່າງ Solid SiC ແລະ Graphite ເຄືອບ?

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ຢ່າປຽບທຽບລາຄາຫົວໜ່ວຍການຊື້ຢ່າງດຽວ. ຫຼັງຈາກວົງຈອນການທົດແທນ folding, downtime ແລະການສູນເສຍຜົນຜະລິດຈາກ particles ເຂົ້າໄປໃນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕໍ່ແລ່ນຫຼືຕໍ່ wafer, Solid SiC ມັກຈະເອື້ອອໍານວຍຫຼາຍໃນຕໍາແຫນ່ງ etch ໂຫຼດສູງ; ໃນຖາດ epitaxy ອ່ອນໆ, graphite ເຄືອບປົກກະຕິແລ້ວຍັງຄົງຄວາມດຸ່ນດ່ຽງທີ່ດີກວ່າ.

ການປຽບທຽບ TCO ຢ່າງໜ້ອຍຄວນກວມເອົາ: ລາຄາສ່ວນໜຶ່ງ, ຕະຫຼອດຊີວິດທີ່ຄາດໄວ້ (ແລ່ນ ຫຼື ຊົ່ວໂມງ), ເວລາຢຸດເຮັດວຽກທີ່ວາງແຜນໄວ້, ເວລາຢຸດເຮັດວຽກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບອະນຸພາກທີ່ບໍ່ໄດ້ວາງແຜນໄວ້, ການຂູດ ແລະການຂົນສົ່ງ.

ການປຽບທຽບສັ້ນໆ

ຕາຕະລາງສະແດງໃຫ້ເຫັນຄໍາຕັດສິນຂອງວິສະວະກໍາທົ່ວໄປ; ຕົວເລກສະເພາະຕ້ອງຖືກຄິດໄລ່ຈາກອາຍຸຂອງພືດ ແລະຕົ້ນທຶນການຢຸດເຮັດວຽກ.

3. ສິ່ງທີ່ຄວນກວດສອບເມື່ອແນະນໍາແຂງ SiC?

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ທໍາອິດຢືນຢັນການຈັບຄູ່ຂະຫນາດແລະຄວາມຮ້ອນ / ໄຟຟ້າ, ຫຼັງຈາກນັ້ນກວດສອບອະນຸພາກ, ຄວາມສອດຄ່ອງ etch ແລະຊີວິດຕົວຈິງໃນ batch ຂະຫນາດນ້ອຍ, ແລະພຽງແຕ່ຫຼັງຈາກນັ້ນການຊື້ຂະຫນາດ. ຢ່າປ່ອຍໃຫ້ "ວັດສະດຸຊັ້ນສູງ" ແທນຂໍ້ມູນໃນເຄື່ອງມື.

ລຳດັບການຢັ້ງຢືນທີ່ແນະນຳ:

1. ຂະໜາດຮູບແຕ້ມ/ຕົ້ນສະບັບກົງກັບຫ້ອງ; ຄວາມທົນທານອະນຸຍາດໃຫ້ຕິດຕັ້ງ.

2. ຄວາມບໍລິສຸດແລະສະພາບຂອງພື້ນຜິວແມ່ນສອດຄ່ອງກັບເງື່ອນໄຂຂອງພືດ (ສາມາດຕ້ອງການລາຍງານ).

3. ຂະ​ຫນາດ​ນ້ອຍ​ໃນ​ເຄື່ອງ​ມື​: particles​, ຂະ​ຫນາດ​ປ່ອງ​ຢ້ຽມ​ຂະ​ບວນ​ການ​ທີ່​ສໍາ​ຄັນ​, ວົງ​ຈອນ​ການ​ທົດ​ແທນ​.

4. ປຽບທຽບພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂດຽວກັນກັບການແກ້ໄຂການເຄືອບທີ່ມີຢູ່ແລ້ວ, ຫຼັງຈາກນັ້ນຕັດສິນໃຈຂອບເຂດການສະຫຼັບ.

4. ກໍລະນີສຶກສາ: ການແນະນໍາ SiC ແຂງ ຂັບເຄື່ອນໂດຍ Focus Ring Coating Delamination

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ເມື່ອຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫລວແມ່ນການເຄືອບ - ການໂຕ້ຕອບຂອງ delamination ແທນທີ່ຈະເປັນພື້ນຜິວທີ່ລຽບງ່າຍ, ການເຮັດຄວາມສະອາດເລື້ອຍໆຫຼືການປ່ຽນແປງຫຼາຍມັກຈະປິ່ນປົວອາການເທົ່ານັ້ນ. ການປະເມີນ Solid SiC ກ່ຽວກັບຕໍາແຫນ່ງທີ່ສໍາຜັດໂດຍກົງກັບ plasma ສາມາດຕັດໂຄງສ້າງຂອງເສັ້ນທາງ delamination.

ຫມາຍເຫດວິສະວະກໍາ:

ເປັນເສັ້ນ etch ຍາວທີ່ໃຊ້ເຄືອບ graphite focus rings. ອະນຸພາກເພີ່ມຂຶ້ນເລື້ອຍໆໃນຊີວິດກາງຫາທ້າຍ; ການບໍາລຸງຮັກສາທໍາອິດຕອບສະຫນອງດ້ວຍການທໍາຄວາມສະອາດແລະການປ່ຽນແປງຫຼາຍ - ໄລຍະສັ້ນທີ່ມີປະສິດທິພາບແຕ່ມີຮອບວຽນສັ້ນກວ່າ. ການວິເຄາະສ່ວນທີ່ລົ້ມເຫລວໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນການປົນເປື້ອນຂອງສານເຄືອບທ້ອງຖິ່ນແລະການສໍາຜັດກັບສ່ວນຕິດຕໍ່, ມີການທັບຊ້ອນກັນສູງຂອງເຂດໂດຍກົງຂອງ plasma, ບໍ່ແມ່ນການປົນເປື້ອນຂອງພື້ນຜິວທີ່ເປັນເອກະພາບ. ເສັ້ນດັ່ງກ່າວໄດ້ນໍາສະເຫນີຫຼັງຈາກນັ້ນແຂງ SiCຕົວຢ່າງໃນຂະຫນາດດຽວກັນ. ການປຽບທຽບຊຸດນ້ອຍໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ: ພາຍໃຕ້ຂະບວນການດຽວກັນ, ອະນຸພາກມີຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຮອບວຽນການທົດແທນທີ່ຍາວກວ່າຢ່າງຊັດເຈນ; ລາຄາຫົວຫນ່ວຍແມ່ນສູງກວ່າ, ແຕ່ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕໍ່ການດໍາເນີນງານຫຼຸດລົງຫຼັງຈາກບັນຊີສໍາລັບເວລາຢຸດເຮັດວຽກແລະການສູນເສຍຜົນຜະລິດ. ຈຸດຕັດສິນໃຈບໍ່ແມ່ນ "Solid SiC ແມ່ນດີກວ່າສະເຫມີ," ແຕ່ວ່າຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫລວໄດ້ຊີ້ໃຫ້ເຫັນເຖິງການໂຕ້ຕອບ - ການເຮັດຄວາມສະອາດຫຼາຍຂື້ນໃນເສັ້ນທາງການເຄືອບບໍ່ສາມາດເອົາສາເຫດຂອງຮາກອອກໄດ້. ກໍລະນີນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນ: ເລືອກ Solid SiC ເມື່ອກົນໄກຄວາມລົ້ມເຫລວກົງກັບຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ບໍ່ມີການໂຕ້ຕອບແລະຄວາມຕ້ານທານ plasma; ວິເຄາະກ່ອນ, ຈາກນັ້ນສະຫຼັບ - ເຊື່ອຖືໄດ້ຫຼາຍກວ່າການປ່ຽນກ່ອນ ແລະ ອະທິບາຍພາຍຫຼັງ.

5. FAQ

1. ຄວນ epitaxy susceptors ຍັງຍ້າຍໄປແຂງ SiC?

ໃນກໍລະນີຫຼາຍທີ່ສຸດ, ບໍ່ມີ. ເຂດຮ້ອນ Epitaxy ມີມູນຄ່າການຕອບສະຫນອງຄວາມຮ້ອນແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຫຼາຍ; graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ + ການເຄືອບ CVD SiC/TaC ຍັງຄົງເປັນກະແສຫຼັກ. Solid SiC ຖືກຈັດລໍາດັບຄວາມສໍາຄັນສໍາລັບ etch ແລະການໂຕ້ຕອບອື່ນໆ - ແລະຕໍາແຫນ່ງທີ່ລະອຽດອ່ອນ plasma.

2. ຕະຫຼອດຊີວິດຂອງ Solid SiC ສາມາດບັນລຸ 2000 ຊົ່ວໂມງໄດ້ບໍ?

ມັນເປັນຄໍາສັ່ງອ້າງອີງຂອງຂະຫນາດພາຍໃຕ້ຂະບວນການທີ່ເຫມາະສົມ. ຜົນໄດ້ຮັບຕົວຈິງແມ່ນຂຶ້ນກັບເງື່ອນໄຂ plasma, ທາດອາຍຜິດແລະຍຸດທະສາດການບໍາລຸງຮັກສາ, ແລະຕ້ອງປະຕິບັດຕາມການຢັ້ງຢືນພືດ.

3. ແກໄບທີ່ເຄືອບສາມາດປ່ຽນ 1:1 ສໍາລັບ Solid SiC ໄດ້ບໍ?

ຂະໜາດສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ເລື້ອຍໆຈາກພາກສ່ວນຕົ້ນສະບັບ ຫຼືຮູບແຕ້ມ, ແຕ່ວັດສະດຸ ແລະພຶດຕິກຳຄວາມຮ້ອນ/ໄຟຟ້າແຕກຕ່າງກັນ. ຕ້ອງມີການກວດສອບເຄື່ອງມື; ຢ່າສົມມຸດວ່າປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການບໍ່ປ່ຽນແປງ.

4. ວິທີການຊັກຊວນການຊື້ເພື່ອຍອມຮັບລາຄາຫົວຫນ່ວຍທີ່ສູງຂຶ້ນ?

ໃຊ້ຂໍ້ມູນການປຽບທຽບສະພາບດຽວກັນ: ຮອບວຽນການທົດແທນ, ອະນຸພາກ, ການນັບເວລາຢຸດເຮັດວຽກ—ຄຳນວນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕໍ່ການແລ່ນ ຫຼື ຕໍ່ wafer, ບໍ່ແມ່ນລາຄາຕໍ່ຫົວໜ່ວຍ.

5. ຫນ້ານີ້ເຮັດວຽກແນວໃດກັບຫນ້າທີ່ເລືອກ - ການຕັດສິນໃຈຂອງກຸ່ມ?

Cluster page 2 ໃຫ້ກອບ SiC/TaC/Solid SiC ໂດຍລວມ; ຫນ້ານີ້ລາຍລະອຽດຂອບເຂດ SiC ແຂງແລະເສັ້ນທາງການກວດສອບໃນສະຖານະການ etching ແລະຄວາມບໍລິສຸດສູງ. ໃຊ້ພວກມັນຮ່ວມກັນ.

6. ສະຫຼຸບແລະຂັ້ນຕອນຕໍ່ໄປ

ມູນຄ່າຂອງ Solid SiC ແມ່ນບໍ່ມີການໂຕ້ຕອບແລະການຕໍ່ຕ້ານ plasma - ບໍ່ແມ່ນ "ຊັ້ນສູງ." ໃນເວລາທີ່ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວຊີ້ໃຫ້ເຫັນເຖິງ delamination ການເຄືອບຫຼືຊີວິດຕໍາແຫນ່ງ etch ສັ້ນ, ມັນເປັນມູນຄ່າທີ່ຈະນໍາເອົາທາງເລືອກໂດຍຜ່ານການກວດສອບຊຸດຂະຫນາດນ້ອຍ; ໃນເວລາທີ່ສະຖານະການຍັງຄົງເປັນເຂດຮ້ອນ epitaxy ທໍາມະດາ, graphite ເຄືອບແມ່ນມັກຈະເປັນຄໍາຕອບທີ່ດີກວ່າ.

ຖ້າທ່ານຕ້ອງການປະເມີນວ່າຕໍາແຫນ່ງເຊັ່ນວົງແຫວນແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການແນະນໍາ Solid SiC, ທ່ານຍິນດີຕ້ອນຮັບກັບທີມງານວິຊາການ VeTek. ທ່ານດຣ Xiao ແລະທີມງານວິສະວະກໍາສາມາດຊ່ວຍໃນການແຂ່ງຂັນມິຕິລະດັບ, ການກວດສອບຕົວຢ່າງແລະການສົນທະນາ TCO.

ສໍາລັບຂອບການຄັດເລືອກໂດຍລວມ, ເບິ່ງ:ວິທີການເລືອກການເຄືອບ SiC, ການເຄືອບ TaC ຫຼື SiC ແຂງໂດຍເງື່ອນໄຂຂະບວນການ; ສໍາລັບລະບົບເຕັມ, ເບິ່ງຫນ້າເສົາ01 ຂອບເຂດການປະຕິບັດຂອງ CVD SiC, TaC ແລະ Solid SiC ໃນຂະບວນການ Epitaxy ແລະ Etching.

ການອ້າງອີງຫຼັກ ແລະແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ

1. ວິສະວະກໍາພາຍໃນ VeTek Semiconductor ແລະການປະຕິບັດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງລູກຄ້າ etch.

2. ບັນທຶກເຂດແດນກ່ຽວກັບການແກ້ໄຂການເຄືອບ SiC ແຂງໃນ CVD Coating Consumables Selection Engineering Handbook for Semiconductor Epitaxy & Etching Equipment.

3. ເວັບໄຊທ໌ຢ່າງເປັນທາງການຂອງ VeTek ຜະລິດຕະພັນແລະອຸປະກອນດ້ານວິຊາການ: https://www.veteksemicon.com/silicon-carbide-coating

ໝາຍເຫດ: ຕົວເລກຕະຫຼອດຊີວິດ ແລະ TCO ໃນຂໍ້ຄວາມແມ່ນການອ້າງອີງດ້ານວິສະວະກຳແບບປົກກະຕິ; ມູນຄ່າຕົວຈິງປະຕິບັດຕາມການກວດສອບພືດແລະການຄິດໄລ່ຕົ້ນທຶນ.

ຜູ້ຂຽນ: VeTek Semiconductor Technical Engineering Team (ສໍາເລັດພາຍໃຕ້ການຊີ້ນໍາຂອງ Dr. Xiao)

ສໍາລັບການສົນທະນາດ້ານວິຊາການເພີ່ມເຕີມຫຼືການປະເມີນຕົວຢ່າງ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໂດຍຜ່ານເວັບໄຊທ໌ທາງການ.