TaC Coated Graphite Wafer ວົງແຫວນ

ຂໍ້ໄດ້ປຽບດ້ານວິຊາການຫຼັກ

• ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີພິເສດ: ຖືກອອກແບບໃຫ້ທົນທານຕໍ່ທາດອາຍແກັສທີ່ຮຸນແຮງ (H₂, NH₃, HCl) ທີ່ອຸນຫະພູມລະຫວ່າງ 1200°C ຫາ 2000°C.

• ການຈັບຄູ່ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ: ຂະບວນການ CVD ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງຂອງພວກເຮົາຮັບປະກັນການເຄືອບ TaC ມີ CTE ທີ່ເຫມາະສົມ (Coefficient of Thermal Expansion) ກົງກັບຊັ້ນຍ່ອຍ graphite, ປ້ອງກັນການປອກເປືອກຫຼືຮອຍແຕກໃນລະຫວ່າງວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ.

• ການຄວບຄຸມອະນຸພາກຊັ້ນສູງ: ໂດຍການຜະນຶກເຂົ້າກັນຢ່າງສົມບູນຂອງ graphite porous, ຊັ້ນ TaC ກໍາຈັດການຫຼົ່ນລົງຂອງອະນຸພາກ, ໂດຍກົງເພີ່ມຜົນຜະລິດ wafer ຂອງທ່ານແລະຫຼຸດຜ່ອນເວລາຢຸດເຄື່ອງປະຕິກອນ.

• ຂະຫຍາຍຊີວິດການບໍລິການ: ພື້ນຜິວທີ່ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ສູງທີ່ທົນທານຕໍ່ວົງຈອນການທໍາຄວາມສະອາດຊ້ໍາຊ້ອນ, ສະເຫນີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ຕໍ່າກວ່າການເປັນເຈົ້າຂອງ (CoO) ເມື່ອທຽບກັບທາງເລືອກທີ່ບໍ່ມີການເຄືອບຫຼື SiC.

ການເຄືອບ Tantalum carbide (TaC) ເທິງກ້ອງຈຸລະທັດ

ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນຂອງ TaC Coated Graphite Wafer ວົງແຫວນ

ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກວົງແຫວນ TaC ຂອງພວກເຮົາ?

ພວກເຮົາເຂົ້າໃຈວ່າໃນການຜະລິດ semiconductor, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືເທົ່າກັບກໍາໄລ. ແຫວນປົກຫຸ້ມຂອງກາຟເຟດ Wafer Coated TaC ຂອງພວກເຮົາຖືກທົດສອບເປັນຊຸດເພື່ອຄວາມໜາແໜ້ນຂອງເຄືອບ ແລະ ຄວາມບໍລິສຸດ. ບໍ່ວ່າທ່ານກໍາລັງປ່ຽນຈາກການຜະລິດ wafer 6 ນິ້ວຫາ 8 ນິ້ວຫຼືການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂະບວນການ MOCVD ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ແຫວນຂອງພວກເຮົາສະຫນອງການປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນແລະສານເຄມີທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບ epitaxy ລະດັບໂລກ.