ຂ່າວ

ວິທີການກະກຽມ cvd tac ເຄືອບ? - veteksemicon

ການເຄືອບ CVD TAC ແມ່ນຫຍັງ?


cvd tac ເຄືອບ tacແມ່ນອຸປະກອນເສີມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງທີ່ສໍາຄັນທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ, ຄວາມຕ້ານທານດ້ານການກັດກ່ອນແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີ. ຈຸດລະລາຍຂອງມັນແມ່ນສູງເຖິງ 3880 ℃, ແລະມັນແມ່ນຫນຶ່ງໃນທາດປະສົມທີ່ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງສຸດ. ມັນມີຄຸນລັກສະນະກົນຈັກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ, ຄວາມຕ້ານທານການເຊາະເຈື່ອນທີ່ມີຄວາມໄວສູງ, ຄວາມຕ້ານທານຂອງ ralation, ແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ງ່າຍກັບວັດສະດຸປະກອບ graphite ແລະກາກບອນ.

ເພາະສະນັ້ນ, ໃນMocvD ຂະບວນການ Epitaxialຂອງອຸປະກອນໄຟຟ້າ Gan ແລະ Sic Seconds,cvd tac ເຄືອບ tacມີອາຊິດທີ່ດີເລີດແລະຄວາມຕ້ານທານຂອງ Alkali ກັບ H2, HC1, ແລະ NH3, ເຊິ່ງສາມາດປົກປັກຮັກສາເອກະສານ Matrix Graphite ໄດ້ແລະຊໍາລະສະພາບແວດລ້ອມການເຕີບໂຕ.


ການເຄືອບ CVD TAC ແມ່ນຍັງຄົງຢູ່ຂ້າງເທິງ 2000 ℃, ແລະ CVD Tac ເລີ່ມຕົ້ນທີ່ 1200-1400 ℃, ເຊິ່ງຍັງຈະຊ່ວຍປັບປຸງຄວາມສົມບູນຂອງຕາຕະລາງ Graphite Matrix. ສະຖາບັນຂະຫນາດໃຫຍ່ທັງຫມົດໃຊ້ CVD ເພື່ອກະກຽມການເຄືອບ CVD Tac ໃນຊັ້ນໃຕ້ດິນຂອງອຸປະກອນໄຟຟ້າ CVD ເພື່ອຕອບສະຫນອງອຸປະກອນ Power Power ແລະ Ganitaxial Equipial.


ເງື່ອນໄຂການກະກຽມຂອງການເຄືອບ CVDM Tantalum Carbide


ຂັ້ນຕອນການກະກຽມຂອງ CVD TAC Coating ໂດຍທົ່ວໄປໃຊ້ຮູບພາບທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງເປັນວັດສະດຸຍ່ອຍ, ແລະກຽມຄວາມບົກຜ່ອງດ້ານບໍ່ມີຄວາມບົກຜ່ອງcvd tac ເຄືອບ tacຢູ່ດ້ານຫນ້າ Graphite ໂດຍວິທີການ CVD.


ຂະບວນການຮັບຮູ້ວິທີການຮັບຮູ້ຂອງ CVD ເພື່ອກະກຽມແຫຼ່ງ CVD TAC ທີ່ຖືກຈັດໃສ່ໃນລະດັບນ້ໍາມັນໃນລະດັບນ້ໍາມັນ, ແລະມີການຂົນສົ່ງອອກຈາກອາຍແກັສລົດບັນທຸກ. ໃນອຸນຫະພູມສະເພາະໃດຫນຶ່ງ, ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ tantalum gaseous ພົບປະແລະປະສົມກັບ hydrogen ເພື່ອປະຕິກິລິຍາຫຼຸດລົງ. ສຸດທ້າຍ, ອົງປະກອບ tantalum ທີ່ຫຼຸດລົງແມ່ນຖືກຝາກຢູ່ດ້ານຂອງຊັ້ນໃຕ້ກາຟິກໃນຫ້ອງຝາກເງິນ, ແລະມີປະຕິກິລິຍາກາກບອນແມ່ນເກີດຂື້ນໃນອຸນຫະພູມທີ່ມີກາກບອນ.


ຕົວກໍານົດການຂະບວນການເຊັ່ນ: ອຸນຫະພູມລະດັບອາຍ, ອັດຕາການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, ແລະອຸນຫະພູມຂອງເງິນຝາກໃນຂະບວນການເຄືອບ TAC Tac ມີບົດບາດສໍາຄັນຫຼາຍໃນການສ້າງຕັ້ງcvd tac ເຄືອບ tacແລະການເຄືອບ CVD TAC ທີ່ມີການປະສົມປະສານການປະສົມປະສານໄດ້ຖືກກະກຽມໂດຍການຝາກສານເຄມີທີ່ມີທາດເຄມີທີ່ມີສານເຄມີທີ່ມີຄວາມສຸກໃນລະບົບ 1800 ° C ໂດຍໃຊ້ລະບົບ TacL5-AR-C3H6.


ຂັ້ນຕອນການກະກຽມ CVD TAC CATING



Figure 1 shows the configuration of the chemical vapor deposition (CVD) reactor and the associated gas delivery system for TaC deposition

ຮູບສະແດງ 1 ສະແດງໃຫ້ເຫັນການຕັ້ງຄ່າຂອງເຕົາປະຕິກອນ vapor ເຄມີ (CVD) ແລະລະບົບສົ່ງເຄັກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງສໍາລັບການຝາກເງິນ TAC.


Figure 2 shows the surface morphology of the CVD TaC coating at different magnifications, showing the density of the coating and the morphology of the grains

ຮູບສະແດງ 2 ສະແດງໃຫ້ເຫັນໃນລະບົບປະສາດດ້ານໃນຫນ້າດິນຂອງ CVD TAC ໃນການປະດັບປະດາທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ສະແດງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການເຄືອບແລະປະລິນຍາຕີຂອງເມັດພືດ.


Figure 3 shows the surface morphology of the CVD TaC coating after ablation in the central area, including blurred grain boundaries and fluid molten oxides formed on the surface

ຮູບສະແດງ 3 ສະແດງໃຫ້ເຫັນໃນລະບົບປະສາດດ້ານຫນ້າຂອງ CVD ຫຼັງຈາກການ ablation ໃນບໍລິເວນກາງ, ລວມທັງເຂດແດນເມັດພືດທີ່ມົວແລະນ້ໍາມັນແຊ່ແຂງ.


it shows the XRD patterns of the CVD TaC coating in different areas after ablation, analyzing the phase composition of the ablation products, which are mainly β-Ta2O5 and α-Ta2O5

ຮູບສະແດງ 4 ສະແດງຮູບແບບ XRD ຂອງ CVD TAC ໃນເຂດທີ່ແຕກຕ່າງກັນຫຼັງຈາກ ablation, ເຊິ່ງສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນβ-ta2o5 ແລະα-ta2o5.

ຂ່າວທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept