ການເຄືອບ Silicon Carbide (SiC) ແມ່ນຫຍັງ? ຄຸນສົມບັດ, ຂະບວນການ CVD ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ສະຫຼຸບລາຍລະອຽດ

A ການເຄືອບ silicon carbide (SiC coating)ແມ່ນຊັ້ນ SiC ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ຝາກໄວ້ໃນພື້ນຜິວອົງປະກອບ, ປົກກະຕິແລ້ວ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເພື່ອສ້າງການໂຕ້ຕອບຂະບວນການທົນທານຕໍ່ສານເຄມີແລະຄວາມຮ້ອນ. ໃນອຸປະກອນ semiconductor, ການເຄືອບແມ່ນຜະລິດໂດຍທົ່ວໄປໂດຍການປ່ອຍອາຍສານເຄມີ (CVD).

ການປະຕິບັດຂອງມັນມາຈາກລະບົບປະສົມປະສານຂອງsubstrate graphite, ຊັ້ນ CVD SiC, ເລຂາຄະນິດອົງປະກອບແລະສະພາບແວດລ້ອມເຕົາປະຕິກອນ.

1. ການເຄືອບ Silicon Carbide ແມ່ນຫຍັງ?

Graphite ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງສໍາລັບພາກສ່ວນເຂດຮ້ອນ semiconductor ເນື່ອງຈາກວ່າມັນແມ່ນເຄື່ອງຈັກແລະຄວາມຮ້ອນທີ່ຫມັ້ນຄົງ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, graphite ເປົ່າສາມາດ react ກັບທາດອາຍຜິດຂະບວນການ, oxidize, ປ່ອຍ impurities ຫຼືສ້າງ particles ເປັນ degrades ດ້ານ.

CVD SiC ປ່ຽນແປງສະພາບພື້ນຜິວນັ້ນ. Silicon carbide ຖືກຝາກໄວ້ເປັນຊັ້ນ polycrystalline ຫນາແຫນ້ນໃນໄລຍະຮ່າງກາຍ graphite machined, ສ້າງອຸປະສັກລະຫວ່າງ graphite ແລະສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການ.

Process Gas / Wafer → Dense CVD SiC Surface → SiC/Graphite Interface → High-Purity Graphite Body

Graphite ສະຫນອງຮ່າງກາຍໂຄງສ້າງ, ມະຫາຊົນຄວາມຮ້ອນແລະ machinability; SiC ສະຫນອງພື້ນຜິວຂະບວນການ. ອິນເຕີເຟດຕ້ອງຢູ່ລອດຈາກການລະລາຍ, ຄວາມເຢັນແລະຮອບວຽນຂອງເຕົາປະຕິກອນຊ້ຳໆ.

SGL Carbon ອະທິບາຍການເຄືອບ SiC ທາງດ້ານການຄ້າເປັນຊັ້ນ CVD ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ການສວມໃສ່ແລະທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນທີ່ຝາກໄວ້ໃນ isostatic graphite, ດ້ວຍຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ກວມເອົາການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ semiconductor, silicon / SiC epitaxy ແລະMOCVD.

ນີ້ແມ່ນເຫດຜົນທີ່ວ່າພາກສ່ວນທີ່ເຄືອບ SiC ຊັ້ນ semiconductor ຄວນຖືກປະເມີນເປັນລະບົບວັດສະດຸວິສະວະກໍາແທນທີ່ຈະເປັນ "graphite ທີ່ມີການເຄືອບ."

ການເຄືອບ CVD SiC ທຽບກັບ Solid SiC

2. ເປັນຫຍັງ Graphite Coated ກັບ SiC ໃນອຸປະກອນ Semiconductor?

ຈຸດ​ປະ​ສົງ​ແມ່ນ​ເພື່ອ​ສົມ​ທົບ​ການ​ຜະ​ລິດ​ຂອງ graphite ແລະ​ຄວາມ​ໄດ້​ປຽບ​ທາງ​ດ້ານ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ທີ່​ມີ​ຫນ້າ​ທີ່​ດີກ​ວ່າ​ເຫມາະ​ສົມ​ກັບ​ຄວາມ​ຕ້ອງ​ການ​ເງື່ອນ​ໄຂ semiconductor​.

ຕົວຍຶດ graphite ຫຼື wafer carrier ສາມາດຖືກເຄື່ອງຈັກເພື່ອຄວາມທົນທານທີ່ແຫນ້ນຫນາແລະກະເປົ໋າທີ່ຊັບຊ້ອນ. ຫຼັງຈາກນັ້ນ CVD SiC ປົກປ້ອງພື້ນຜິວທີ່ສໍາຜັດກັບອາຍແກັສປະມວນຜົນແລະການທໍາຄວາມສະອາດ. ການປະສົມປະສານນີ້ແກ້ໄຂບັນຫາສີ່ຢ່າງທີ່ສໍາຄັນ.

ການຄວບຄຸມການປົນເປື້ອນ.ພື້ນຜິວທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງຊ່ວຍແຍກ graphite ທີ່ຕິດພັນຈາກສະພາບແວດລ້ອມ wafer.

ຄວາມທົນທານທາງເຄມີ.Epitaxy ແລະ MOCVD ໃຊ້ຄາຣະວາທີ່ຮຸກຮານແລະເຄມີທໍາຄວາມສະອາດ; SiC ປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານເມື່ອທຽບກັບ graphite ເປີດເຜີຍ.

ການຄວບຄຸມອະນຸພາກ.ຮອຍແຕກ, ການປອກເປືອກຫຼືການເຊື່ອມໂຊມຂອງຫນ້າດິນສາມາດກາຍເປັນແຫຼ່ງຂອງອະນຸພາກ, ດັ່ງນັ້ນຄວາມສົມບູນຂອງການເຄືອບແມ່ນສໍາຄັນໂດຍກົງຕໍ່ຄວາມສະອາດຂະບວນການ.

ການເຮັດເລື້ມຄືນຄວາມຮ້ອນ.Susceptors ແລະ carriers ແມ່ນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນຂອງເຕົາປະຕິກອນ. ເລຂາຄະນິດແລະສະພາບພື້ນຜິວຂອງພວກເຂົາຕ້ອງຄົງທີ່ສະນັ້ນອຸນຫະພູມ wafer ຍັງຄົງສາມາດຊ້ໍາໄດ້.

Mersen ກໍານົດອຸນຫະພູມສູງ, ສູນຍາກາດສູງ, ທາດອາຍຜິດທີ່ຮຸກຮານ, ການຄວບຄຸມການປົນເປື້ອນແລະການຕໍ່ຕ້ານອາຊິດທໍາຄວາມສະອາດເປັນຂໍ້ກໍານົດການດໍາເນີນງານທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບອຸປະກອນ graphite ທີ່ໃຊ້ໃນ epitaxy ແລະ MOCVD. ມັນຍັງເນັ້ນເຖິງຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງ graphite/SiC CTE ເປັນສິ່ງສຳຄັນຕໍ່ຄວາມສົມບູນຂອງການເຄືອບ. 

ນີ້ອະທິບາຍວ່າເປັນຫຍັງຄຸນນະພາບການເຄືອບບໍ່ສາມາດແຍກອອກຈາກຄຸນນະພາບ graphite, ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງມິຕິລະດັບຫຼືເງື່ອນໄຂຂອງເຕົາປະຕິກອນ. ຊັ້ນ SiC ທີ່ດີເລີດທາງເຄມີຢູ່ໃນອົງປະກອບທີ່ບິດເບືອນຫຼືອອກແບບບໍ່ດີອາດຈະເຮັດໃຫ້ຂະບວນການປະຕິບັດບໍ່ດີ.

3. ການເຄືອບ CVD Silicon Carbide ຜະລິດແນວໃດ?

ລະບົບຕ່ອງໂສ້ການຜະລິດປົກກະຕິແມ່ນ:

Graphite Selection → Precision Machining → Purification → Surface Preparation → CVD SiC Deposition → Inspection

graphite ໄດ້ຖືກເລືອກສໍາລັບຄວາມບໍລິສຸດ, ໂຄງສ້າງຈຸລະພາກແລະພຶດຕິກໍາຄວາມຮ້ອນ, ຫຼັງຈາກນັ້ນເຄື່ອງຈັກກ່ອນທີ່ຈະເຄືອບເພາະວ່າຄວາມຮາບພຽງ, ຄວາມເລິກຂອງຖົງແລະເລຂາຄະນິດຂອງຂອບມີຜົນກະທົບຕໍ່ຂະຫນາດສຸດທ້າຍແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການເຄືອບ.

ໃນລະຫວ່າງ CVD, ທາດຄາໂບໄຮເດຣດເຂົ້າໄປໃນເຕົາປະຕິກອນທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ຊະນິດທີ່ມີປະຕິກິລິຍາເຖິງພື້ນຜິວ graphite, ບ່ອນທີ່ SiC nucleates ແລະເຕີບໂຕເປັນຊັ້ນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.

SGL Carbon ລາຍງານໂດຍສາທາລະນະກ່ຽວກັບອຸນຫະພູມເງິນຝາກ SiC ປົກກະຕິປະມານ1,200–1,300 ອົງສາສໍາລັບຂະບວນການເຄືອບການຄ້າຂອງຕົນ. ມັນລາຍງານ β-SiC, ຫຼື cubic 3C-SiC, ສໍາລັບລະບົບການເຄືອບຫນຶ່ງ.

ການຄົ້ນຄວ້າທີ່ຜ່ານມາກ່ຽວກັບ CVD-SiC-coated susceptors graphite ສະແດງໃຫ້ເຫັນຕື່ມອີກວ່າໂຄງສ້າງການເຄືອບແມ່ນຂຶ້ນກັບເງື່ອນໄຂການປຸງແຕ່ງ.

A 2026ບົດລາຍງານວິທະຍາສາດການ​ສຶກ​ສາ​ການ​ສືບ​ສວນ​ການ​ເກັບ​ກໍາ​ຈາກ​1,100 ຫາ 1,350 ອົງສາ, ພ້ອມກັບການປ່ຽນແປງຂອງຄວາມກົດດັນ ແລະອັດຕາສ່ວນ H₂/MTS. ນັກຄົ້ນຄວ້າໄດ້ສັງເກດເຫັນການປ່ຽນແປງທີ່ສໍາຄັນຂອງການເຄືອບ morphology, roughness, stoichiometry ແລະຄວາມແຂງ, ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມສໍາພັນລະຫວ່າງ:

ພາລາມິເຕີ CVD → SiC Microstructure → ຄຸນສົມບັດການເຄືອບ → ການປະຕິບັດອົງປະກອບ. 

ບົດຮຽນວິສະວະກໍາທີ່ສໍາຄັນແມ່ນວ່າ"CVD SiC" ບໍ່ແມ່ນວັດສະດຸຄົງທີ່.

ສະ​ເພາະ​ເຊັ່ນ​:

"ການເຄືອບ SiC 100 μm"

ອະທິບາຍພຽງແຕ່ຄວາມຫນາ.

ມັນ​ບໍ່​ໄດ້​ກໍາ​ນົດ​ຢ່າງ​ເຕັມ​ທີ່​:

l ຄວາມບໍລິສຸດ;

l porosity;

l ໂຄງປະກອບການເມັດພືດ;

l roughness ດ້ານ;

l ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການເຄືອບ;

l ຄຸນນະພາບການໂຕ້ຕອບ;

l ຄວາມກົດດັນທີ່ຕົກຄ້າງ.

ສໍາລັບອຸປະກອນ semiconductor, ປັດໃຈເຫຼົ່ານັ້ນອາດຈະມີຄວາມສໍາຄັນເທົ່າກັບຄວາມຫນານາມ.

ຜິດປົກກະຕິການເຄືອບທົ່ວໄປ

4. ຄຸນສົມບັດການເຄືອບ SiC ອັນໃດສຳຄັນທີ່ສຸດ?

ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ semiconductor, ຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນປະໂຫຍດທີ່ສຸດແມ່ນຜູ້ທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບການຄວບຄຸມການປົນເປື້ອນ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການແລະຕະຫຼອດຊີວິດຂອງອົງປະກອບ.

ໃນຖານະເປັນມາດຕະຖານການຄ້າສາທາລະນະ, SGL Carbon ລາຍງານສໍາລັບການເຄືອບ SiC ຫນຶ່ງທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງປະມານ.3.2 g/cm³, ຄວາມແຂງຂອງ40 GPa, ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຂອງ4.3 × 10^−6 K^−1ຈາກ 100-600 ° C ແລະ​ຄວາມ​ຫນາ​ຂອງ​ການ​ເຄືອບ​ປົກ​ກະ​ຕິ​ຂອງ​100 ມມ. ຄຸນຄ່າເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນຕົວຢ່າງຫຼາຍກວ່າສະເພາະຂອງ semiconductor ທົ່ວໄປ.

ສອງຕົວກໍານົດການສົມຄວນໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈໂດຍສະເພາະ:ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບແລະ CTE.

1. ການເຄືອບ SiC ຫນາກວ່າຈະບໍ່ດີກວ່າອັດຕະໂນມັດ.

ຄວາມຫນາເພີ່ມເຕີມອາດຈະສະຫນອງອຸປະສັກປ້ອງກັນທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ, ແຕ່ມັນຍັງອາດຈະປ່ຽນແປງຂະຫນາດຂອງອົງປະກອບແລະເພີ່ມຄວາມກົດດັນທີ່ເຫຼືອທີ່ສະສົມ. ນີ້ກາຍເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບ susceptors ແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ waferບ່ອນທີ່ຄວາມເລິກຂອງຖົງ, ຄວາມຮາບພຽງແລະເລຂາຄະນິດຂອງຂອບແມ່ນສໍາຄັນໃນຂະບວນການ.

2. ການຈັບຄູ່ CTE ແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນເທົ່າທຽມກັນ.

SiC ຖືກຝາກໄວ້ໃນອຸນຫະພູມສູງແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເຮັດໃຫ້ເຢັນຮ່ວມກັນກັບຊັ້ນຍ່ອຍ graphite. ຖ້າ SiC ແລະ graphite ຂະຫຍາຍແລະສັນຍາແຕກຕ່າງກັນ, ຄວາມກົດດັນກົນຈັກພັດທະນາຢູ່ໃກ້ກັບການໂຕ້ຕອບ.

ເສັ້ນທາງຄວາມລົ້ມເຫລວທີ່ງ່າຍດາຍຄື:

CTE Mismatch → Residual Stress → Microcrack → Crack Propagation → Delamination → Particles / Exposed Graphite

ກົນໄກນີ້ອະທິບາຍວ່າເປັນຫຍັງຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການເຄືອບບໍ່ສາມາດແກ້ໄຂໄດ້ສະເຫມີໂດຍການເພີ່ມຄວາມຫນາ.

A 2026Ceramics Internationalການສຶກສາສະເພາະເຈາະຈົງ SiC ຝາກໄວ້ໃນກຼາຟິດຢູ່ທີ່ 1,260°C, 1,280°C ແລະ 1,320°C ແລະພົບວ່າອຸນຫະພູມຂອງເງິນຝາກສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ໂຄງສ້າງຈຸລະພາກ ແລະການຍຶດຕິດຂອງໜ້າຕາ.

ດັ່ງນັ້ນ, ຄຸນນະພາບການເຄືອບຄວນໄດ້ຮັບການຕັດສິນໂດຍການປະສົມປະສານຂອງ:

ຄວາມບໍລິສຸດ + ໂຄງສ້າງຈຸລະພາກ + ຄວາມເປັນເອກະພາບ + ຄວາມສົມບູນຂອງການໂຕ້ຕອບ + ເລຂາຄະນິດ

ຫຼາຍກ່ວາຄວາມຫນາຢ່າງດຽວ.

5. SiC-Coated Graphite ໃຊ້ຢູ່ໃສ ແລະຄວນເລືອກແນວໃດ?

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ເຂັ້ມແຂງທີ່ສຸດແມ່ນອົງປະກອບທີ່ປະເຊີນກັບອຸນຫະພູມສູງ, ເຄມີປະຕິກິລິຍາແລະຄວາມຕ້ອງການລະດັບ wafer ທີ່ເຄັ່ງຄັດ.

1. ຊິລິໂຄນ Epitaxy

SiC-coated graphite susceptors ສະຫນັບສະຫນູນ wafers ໃນຂະນະທີ່ມີສ່ວນຮ່ວມໃນການໂອນຄວາມຮ້ອນ. ຄວາມຮາບພຽງ, ເລຂາຄະນິດຂອງຖົງ, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການເຄືອບແລະສະພາບຫນ້າດິນສາມາດມີອິດທິພົນຕໍ່ອຸນຫະພູມ wafer ແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງ epitaxial.

ດັ່ງນັ້ນການເຄືອບແມ່ນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງລະບົບຄວາມຮ້ອນທີ່ກວ້າງກວ່າ:

ແຫຼ່ງຄວາມຮ້ອນ / ພະລັງງານ → Susceptor → Wafer Thermal Boundary → Wafer Temperature → Epitaxial ການຂະຫຍາຍຕົວ

2. Silicon Carbide Epitaxy

SiC epitaxy ວາງຄວາມຕ້ອງການໂດຍສະເພາະກ່ຽວກັບວັດສະດຸພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ. Susceptors, ວົງແຫວນແລະອົງປະກອບທີ່ກ່ຽວຂ້ອງຕ້ອງຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງສານເຄມີ, ການປົນເປື້ອນຕ່ໍາແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງມິຕິໂດຍຜ່ານການດໍາເນີນງານທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງຊ້ໍາກັນ.

3. GaN ແລະ LED MOCVD

MOCVD wafer carriers ແລະເວທີດາວທຽມດໍາເນີນການໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ອຸດົມສົມບູນຄາຣະວາທີ່ບ່ອນທີ່ການແຜ່ກະຈາຍອຸນຫະພູມຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການມີອິດທິພົນຕໍ່ເງື່ອນໄຂການຂະຫຍາຍຕົວໃນທົ່ວ wafer.

ການປ່ຽນແປງໃນເລຂາຄະນິດຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ ຫຼືສະພາບພື້ນຜິວອາດເຮັດໃຫ້ມີການປ່ຽນແປງໃນ:

l wafer ອຸນຫະພູມ;

l ອັດຕາການຂະຫຍາຍຕົວ;

l ຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາ;

l ອົງປະກອບ;

l ຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງ wafer-to-wafer.

Mersen ລະບຸສະເພາະ graphite ທີ່ເຄືອບ SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ພຶດຕິກໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບ, ຄວາມຕ້ານທານກັບອາຍແກັສທີ່ຮຸກຮານແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີຢູ່ໃນສະຖານທີ່ເປັນຄວາມຕ້ອງການທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ epitaxy.

4. ຂະບວນການອຸນຫະພູມສູງອື່ນໆ

RTP/RTA, CVD, ALD ແລະອົງປະກອບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນອື່ນໆທີ່ເລືອກອາດຈະໃຊ້ graphite ເຄືອບ SiC ເມື່ອອຸນຫະພູມ, ເຄມີ, ຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນແລະເລຂາຄະນິດເຮັດໃຫ້ເຫດຜົນ.

ການຄັດເລືອກຄວນເລີ່ມຕົ້ນດ້ວຍເຕົາປະຕິກອນແລະຂະບວນການ, ບໍ່ແມ່ນການກໍານົດການເຄືອບທົ່ວໄປ.

ນິຍາມ:

l ຮູບແບບຂະບວນການ ແລະເຕົາປະຕິກອນ;

l ຂະຫນາດ wafer;

l ອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານ;

l ຂະບວນການແລະການທໍາຄວາມສະອາດທາດອາຍຜິດ;

l ຮູບແຕ້ມອົງປະກອບ;

l ຄວາມຕ້ອງການ graphite;

l ຂະຫນາດທີ່ສໍາຄັນແລະຄວາມຮາບພຽງ;

l ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ;

l roughness ດ້ານ;

l ຄວາມຕ້ອງການກວດກາ.

RFQ ທີ່ເປັນປະໂຫຍດທີ່ສຸດຖາມຄໍາຖາມກາງຫນຶ່ງ:

ອົງປະກອບນີ້ຕ້ອງເຮັດຫຍັງແດ່ພາຍໃນເຕົາປະຕິກອນ?

ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ການເຄືອບ SiC ສາມາດໄດ້ຮັບການວິສະວະກໍາປະມານຈຸດປະສົງທີ່ແທ້ຈິງແທນທີ່ຈະເປັນຕົວກໍານົດການວັດສະດຸທີ່ໂດດດ່ຽວ.

ສໍາລັບ epitaxy ແລະ MOCVD, ເປົ້າຫມາຍບໍ່ແມ່ນພຽງແຕ່ການເຄືອບທີ່ຍາວນານທີ່ສຸດ. ມັນ​ເປັນ​ອົງ​ປະ​ກອບ​ທີ່​ສາ​ມາດ​ສະ​ຫນັບ​ສະ​ຫນູນ​:

ອຸນຫະພູມ Wafer ຄົງທີ່ + ການປົນເປື້ອນຕໍ່າ + ການຜະລິດອະນຸພາກຕ່ໍາ + ການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ຊ້ໍາກັນ + ຊີວິດການບໍລິການທີ່ຄາດເດົາໄດ້

6. FAQ

1. ຈຸດປະສົງຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ silicon carbide ສຸດ graphite ແມ່ນຫຍັງ?

ມັນສ້າງພື້ນຜິວຂະບວນການທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ທົນທານຕໍ່ສານເຄມີໃນຂະນະທີ່ຮັກສາຄວາມໄດ້ປຽບຂອງເຄື່ອງຈັກແລະຄວາມຮ້ອນຂອງຮ່າງກາຍ graphite.

2. ເປັນຫຍັງ CVD ຈຶ່ງໃຊ້ສໍາລັບການເຄືອບ SiC?

CVD ອະນຸຍາດໃຫ້ SiC ເຕີບໂຕໂດຍກົງໃນພື້ນຜິວ graphite ສະລັບສັບຊ້ອນແລະສະຫນອງການຄວບຄຸມໂຄງສ້າງການເຄືອບ, ຄວາມຫນາແລະຄວາມເປັນເອກະພາບໃນເວລາທີ່ຂະບວນການ deposition ຖືກອອກແບບຢ່າງຖືກຕ້ອງ.

3. ການເຄືອບ SiC ຫນາກວ່າສະເຫມີດີກວ່າບໍ?

No. ຄວາມຫນາຕ້ອງມີຄວາມສົມດູນກັບຄວາມກົດດັນທີ່ຕົກຄ້າງ, ຄວາມທົນທານຂອງມິຕິ, ເລຂາຄະນິດຂອງອົງປະກອບແລະເງື່ອນໄຂການບໍລິການ.

4. ແມ່ນຫຍັງເຮັດໃຫ້ການເຄືອບ SiC ແຕກ ຫຼື delaminate?

ຜູ້ປະກອບສ່ວນທົ່ວໄປລວມມີ graphite/SiC CTE mismatch, ຄວາມກົດດັນທີ່ຕົກຄ້າງ, ຄວາມບົກຜ່ອງໃນການໂຕ້ຕອບ, ເງື່ອນໄຂການຝາກຝັງທີ່ບໍ່ເຫມາະສົມແລະການວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາຊ້ອນ.

5. ຂໍ້ມູນໃດທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບ RFQ graphite ທີ່ມີ SiC?

ສະຫນອງການແຕ້ມຮູບ, ຮູບແບບເຄື່ອງປະຕິກອນ, ຂະບວນການ, ຂະຫນາດ wafer, ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ, ຂະບວນການແລະທາດອາຍຜິດທໍາຄວາມສະອາດ, ຄວາມຕ້ອງການ graphite, ກໍານົດການເຄືອບ, ຄວາມທົນທານທີ່ສໍາຄັນ, ເງື່ອນໄຂການກວດກາແລະປະລິມານ.

ຕ້ອງການ CVD SiC-Coated Graphite Component ແບບກຳນົດເອງບໍ?

VeTek Semiconductor ສະຫນອງອົງປະກອບ graphite ເຄືອບ SiC ສໍາລັບ semiconductor epitaxy ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.

ແບ່ງປັນຮູບແບບເຄື່ອງປະຕິກອນຂອງທ່ານ, ຮູບແຕ້ມອົງປະກອບ, ຄວາມຕ້ອງການ graphite, ສະເພາະການເຄືອບ, ເງື່ອນໄຂການດໍາເນີນງານແລະເງື່ອນໄຂການກວດກາເພື່ອປຶກສາຫາລືການແກ້ໄຂທີ່ເຫມາະສົມ.

ຮ້ອງຂໍການປຶກສາຫາລືດ້ານວິຊາການ| ສົ່ງຮູບແຕ້ມຂອງເຈົ້າ

ສຳຫຼວດຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ Silicon Carbide ຂອງພວກເຮົາ.

ເອກະສານອ້າງອີງ

1. SGL ຄາບອນ. SIGRAFINE® SiC Coatings.ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການແລະຂໍ້ມູນການນໍາໃຊ້ສໍາລັບການເຄືອບ CVD SiC ກ່ຽວກັບ isostatic graphite.

2. Mersen. ອຸປະກອນຂະບວນການ semiconductor — Ultra-Pure Graphite ເຄືອບດ້ວຍ Silicon Carbide.ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ epitaxy ແລະ MOCVD.

3. Huo, Y., Qin, S., Chen, Y., et al. "ການສຶກສາຄວາມກ່ຽວຂ້ອງຂອງຂະບວນການ - ໂຄງສ້າງ - ຊັບສິນໃນການເຄືອບ CVD-SiC ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite."ບົດລາຍງານວິທະຍາສາດ, ສະບັບ. 16, ມາດຕາ 4150, 2026.

4. Ma, Q., et al. "ການຍຶດຕິດພາຍໃນຂອງສານເຄືອບ CVD-SiC ເທິງພື້ນຜິວ graphite: ບົດບາດຂອງອຸນຫະພູມໃນໂຄງສ້າງຈຸນລະພາກແລະຄຸນສົມບັດກົນຈັກ."Ceramics International, ສະບັບ. 52, ສະບັບທີ 3, 2026, ໜ້າ 3711–3718.