CVD Silicon Carbide Coating ຖືກຝາກໄວ້ໃນ Graphite ແນວໃດ?

A ການເຄືອບ CVD silicon carbide (SiC).ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໂດຍການເປີດເຜີຍອົງປະກອບ graphite ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນໃຫ້ກັບທາດອາຍແກັສຄາຣະວາທີ່ຄວບຄຸມພາຍໃນເຕົາປະຕິກອນການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ. ຊະນິດທີ່ມີປະຕິກິລິຍາເຖິງຜິວ graphite, ບ່ອນທີ່ SiC nucleates ແລະຈະເລີນເຕີບໂຕເປັນຊັ້ນ polycrystalline ຫນາແຫນ້ນ. ສໍາລັບ semiconductor susceptors ແລະ wafer, ເງິນຝາກສົບຜົນສໍາເລັດແມ່ນຂຶ້ນກັບຄວາມບໍລິສຸດ graphite, ການກະກຽມດ້ານ, ອຸນຫະພູມ, ຄວາມກົດດັນ, ເຄມີອາຍແກັສ, ການໂອນມະຫາຊົນ, ເລຂາຄະນິດແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນ.

ເປົ້າ​ຫມາຍ​ບໍ່​ພຽງ​ແຕ່​ເພື່ອ "ປົກ​ຫຸ້ມ​" graphite​, ແຕ່​ວ່າ​ຈະ​ສ້າງ​ຫນ້າ​ດິນ​ຂະ​ບວນ​ການ​ຄວາມ​ບໍ​ລິ​ສຸດ​ທີ່​ມີ​ຄວາມ​ຫນາ​ທີ່​ຄວບ​ຄຸມ​, roughness​, stoichiometry ແລະ​ຄວາມ​ສົມ​ບູນ​ໃນ​ການ​ໂຕ້​ຕອບ​.

1. ຈາກ Graphite Substrate ກັບ CVD-Ready Surface

ຂະບວນການເລີ່ມຕົ້ນດ້ວຍການຄັດເລືອກ substrate, machining ແລະ purification.graphite isostatic ຄວາມບໍລິສຸດສູງຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປເນື່ອງຈາກວ່າມັນປະສົມປະສານເຄື່ອງຈັກ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນແລະໂຄງສ້າງຈຸລະພາກທີ່ຂ້ອນຂ້າງເປັນເອກະພາບ.

ປັດໃຈຍ່ອຍທີ່ສໍາຄັນປະກອບມີຄວາມບໍລິສຸດ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນ, porosity, ໂຄງສ້າງເມັດພືດແລະຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE). ສໍາລັບ susceptors ແລະ wafer carriers, ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງເຄື່ອງຈັກແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນເທົ່າທຽມກັນເພາະວ່າຄວາມເລິກຂອງຖົງ, ຄວາມຮາບພຽງ, ເລຂາຄະນິດຂອງຂອບແລະຄວາມຫນາຂອງກໍາແພງສາມາດສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ການໄຫຼຂອງອາຍແກັສແລະພຶດຕິກໍາຄວາມຮ້ອນສຸດທ້າຍ.

ລຳດັບທີ່ງ່າຍດາຍຄື:

ການຄັດເລືອກ Graphite → Precision Machining → Purification → Surface Preparation → CVD Deposition → Inspection

ກ່ອນການຖິ້ມຂີ້ເຫຍື້ອ, ພື້ນຜິວຕ້ອງສະອາດແລະເຫມາະສົມກັບ nucleation. ການປົນເປື້ອນ, ອະນຸພາກທີ່ວ່າງຫຼືຄວາມເສຍຫາຍຂອງພື້ນຜິວທ້ອງຖິ່ນສາມາດລົບກວນການເຕີບໂຕຂອງ SiC ໃນຕອນຕົ້ນແລະຕໍ່ມາກາຍເປັນເຂດທີ່ອ່ອນແອ, ຮູຂຸມຂົນຫຼືພື້ນທີ່ທີ່ບໍ່ເປັນເອກະພາບ. ການກະກຽມ substrate ແລະ deposition ການເຄືອບຄວນໄດ້ຮັບການປະຕິບັດເປັນຂະບວນການປະສົມປະສານຫນຶ່ງ.

2. ຮູບແບບ SiC ໃນ CVD Reactor ແນວໃດ

ການນໍາໃຊ້ເສັ້ນທາງທີ່ມີການສຶກສາຢ່າງກວ້າງຂວາງmethyltrichlorosilane (MTS, CH3SiCl3)ເປັນຄາຣະວາຂອງຊິລິຄອນ ແລະຄາບອນທີ່ແຫຼ່ງດຽວ, ມີໄຮໂດເຈນ ແລະ argon ເລື້ອຍໆໃນລະບົບອາຍແກັສ. ໃນອຸນຫະພູມສູງ, MTS decomposes ຜ່ານໄລຍະອາຍແກັສແລະປະຕິກິລິຍາດ້ານ. ຊະນິດທີ່ເກີດປະຕິກິລິຢາຖືກຂົນສົ່ງຜ່ານຊັ້ນເຂດແດນ, ດູດຊຶມຢູ່ເທິງພື້ນຜິວ graphite ຮ້ອນ, ປະຕິກິລິຍາ, ແລະປະກອບເປັນ SiC ແຂງໃນຂະນະທີ່ຜະລິດຕະພັນທີ່ລະເຫີຍໄດ້ຖືກໂຍກຍ້າຍ.

ລຳ​ດັບ​ການ​ຝາກ​ເງິນ​ສາ​ມາດ​ເຮັດ​ໃຫ້​ງ່າຍ​ດາຍ​ດັ່ງ​ນີ້​:

Precursor Delivery → ການຂົນສົ່ງອາຍແກັສ → Boundary-Layer Disffusion → Surface Adsorption → Nucleation → Grain Growth

ເງິນຝາກ CVD SiC ການຄ້າກ່ຽວກັບ graphite ແມ່ນປະຕິບັດທົ່ວໄປຂ້າງເທິງກ່ຽວກັບ1,200°C; SGL Carbon ລາຍງານຂອບເຂດປົກກະຕິຂອງ1,200–1,300 ອົງສາສໍາລັບຂະບວນການຂອງຕົນ.

A 2026ບົດລາຍງານວິທະຍາສາດການສຶກສາໂດຍໃຊ້ລະບົບ MTS-H2 ກວດສອບ1,100–1,350 ອົງສາແລະໄດ້ກໍານົດການຫັນປ່ຽນຢູ່ໃກ້1,180°Cລະຫວ່າງການຄວບຄຸມປະຕິກິລິຢາພື້ນຜິວທີ່ເຂັ້ມແຂງແລະລະບອບທີ່ການຂົນສົ່ງແລະການແຜ່ກະຈາຍມີຄວາມສໍາຄັນຫຼາຍຂຶ້ນ.

ໃນອຸນຫະພູມຕ່ໍາ, kinetics ປະຕິກິລິຍາດ້ານຫນ້າສາມາດຈໍາກັດການຝາກ. ເມື່ອອຸນຫະພູມສູງຂຶ້ນ, ການເສື່ອມຕົວຂອງຄາຣະວາຈະເລັ່ງ. ເມື່ອປະຕິກິລິຍາດ້ານຫນ້າແມ່ນໄວພຽງພໍ, ການຂົນສົ່ງຂອງຊະນິດທີ່ມີປະຕິກິລິຍາຜ່ານຊັ້ນເຂດແດນຂອງອາຍແກັສກາຍເປັນສິ່ງສໍາຄັນກວ່າ.

ສໍາລັບ susceptors ສະລັບສັບຊ້ອນ, ເອກະພາບການເຄືອບແມ່ນເພາະສະນັ້ນບັນຫາ fluid-dynamics.

3. ແມ່ນຫຍັງຄວບຄຸມການເຕີບໂຕ, ຄວາມຫນາແລະຄວາມເປັນເອກະພາບ?

ຄຸນນະພາບ CVD SiC ຖືກກໍານົດໂດຍຕົວແປທີ່ປະສົມປະສານຫຼາຍ, ບໍ່ແມ່ນໂດຍອຸນຫະພູມ "ທີ່ດີທີ່ສຸດ".

ອຸນຫະພູມມີຜົນກະທົບຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຕໍ່ morphology. ໃນການສຶກສາ 2026, ເງິນຝາກຢູ່ໃກ້1,200°Cຜະລິດເມັດພືດ β-SiC ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ຖືກກໍານົດໄວ້ດີພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂອງການທົດສອບ, ໃນຂະນະທີ່ອຸນຫະພູມຫຼາຍເກີນໄປສົ່ງເສີມໂຄງສ້າງຫຍາບ.

ອົງປະກອບຂອງອາຍແກັສແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນເທົ່າທຽມກັນ. ໃນລະບົບ MTS-H2, ອັດຕາສ່ວນ hydrogen-to-MTS ປ່ຽນເສັ້ນທາງປະຕິກິລິຍາທີ່ມີຄາບອນ- ແລະຊິລິຄອນ. ການ​ສຶກ​ສາ​ທີ່​ອ້າງ​ເຖິງ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ໃກ້​ຊິດ stoichiometric Si/C ຢູ່​ທີ່ອັດຕາສ່ວນ molar H2/MTS ປະມານ 10ພາຍ​ໃຕ້​ເງື່ອນ​ໄຂ​ຂອງ​ຕົນ​; ນີ້ຄວນໄດ້ຮັບການປະຕິບັດເປັນຕົວຢ່າງການຄົ້ນຄວ້າ, ບໍ່ແມ່ນສູດອຸດສາຫະກໍາທົ່ວໄປ.

ຄວາມໄວຂອງຄວາມກົດດັນແລະອາຍແກັສມີອິດທິພົນວິທີການຊະນິດ reactive ເຂົ້າເຖິງລັກສະນະສະລັບສັບຊ້ອນ. ມຸມແຫຼມ, ກະເປົ໋າເລິກ, ຮ່ອງແລະພື້ນຜິວທີ່ມີບ່ອນປ້ອງກັນສາມາດພັດທະນາເງື່ອນໄຂທີ່ມີຂອບເຂດຊາຍແດນທ້ອງຖິ່ນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ດັ່ງນັ້ນເຄື່ອງເຄືອບດິນເຜົາເທິງຄູປອງຮາບພຽງອາດຈະກາຍເປັນບໍ່ເປັນເອກະພາບໃນຕົວຍຶດຫຼາຍຖົງ.

ນີ້ແມ່ນເຫດຜົນCFD ແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບການໄຫຼຂອງເຕົາປະຕິກອນແມ່ນເປັນປະໂຫຍດສໍາລັບພາກສ່ວນ semiconductor ສະລັບສັບຊ້ອນ.

4. ເປັນຫຍັງການໂຕ້ຕອບ SiC/Graphite ຈຶ່ງສຳຄັນ

ການໂຕ້ຕອບ SiC/graphite ແມ່ນຕົວກໍານົດທີ່ສໍາຄັນຂອງອາຍຸການເຄືອບ.

SiC ຖືກຝາກໄວ້ໃນອຸນຫະພູມສູງ, ແລະອົງປະກອບຕໍ່ມາປະສົບກັບຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມເຢັນຊ້ໍາຊ້ອນໃນລະຫວ່າງການ epitaxy ຫຼື MOCVD. ເນື່ອງຈາກວ່າ graphite ແລະ SiC ບໍ່ຂະຫຍາຍຄືກັນ, ຄວາມເຄັ່ງຕຶງຄວາມຮ້ອນຈະພັດທະນາໃນລະຫວ່າງການເຮັດຄວາມເຢັນແລະຮອບວຽນ.

ເສັ້ນທາງຄວາມລົ້ມເຫລວທີ່ງ່າຍດາຍຄື:

CTE Mismatch + Residual Stress → Microcrack → Delamination → Particles / Exposed Graphite

ການອອກແບບການເຄືອບທີ່ດີເພາະສະນັ້ນຈຶ່ງຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຊັ້ນ graphite ທີ່ມີພຶດຕິກໍາການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫມາະສົມ, ສະພາບຫນ້າດິນທີ່ມີການຄວບຄຸມແລະຂະບວນການຂອງເງິນຝາກທີ່ຫຼີກເວັ້ນການຄວາມກົດດັນຫຼາຍເກີນໄປ.

A 2026Ceramics Internationalການສຶກສາກວດສອບ CVD SiC ກ່ຽວກັບ graphite ຍັງສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າອຸນຫະພູມຂອງເງິນຝາກມີອິດທິພົນຕໍ່ການເຄືອບຈຸລະພາກແລະການຍຶດຕິດຂອງຫນ້າ.

ຄວາມຫນາແມ່ນສໍາຄັນເຊັ່ນດຽວກັນ. ຊັ້ນທີ່ຫນາກວ່າອາດຈະເພີ່ມອຸປະສັກປ້ອງກັນ, ແຕ່ມັນຍັງສາມາດປ່ຽນຂະຫນາດຂອງອົງປະກອບແລະເພີ່ມຄວາມກົດດັນທີ່ສະສົມ. ສໍາລັບພາກສ່ວນ semiconductor, ດັ່ງນັ້ນຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບຕ້ອງໄດ້ຮັບການພິຈາລະນາຮ່ວມກັນກັບເລຂາຄະນິດ, ຮາບພຽງ, ການສໍາເລັດຮູບຫນ້າດິນແລະວົງຈອນຄວາມຮ້ອນທີ່ຄາດໄວ້.

5. ຂໍ້ບົກພ່ອງ CVD SiC ທົ່ວໄປແລະຕົ້ນກໍາເນີດຂອງຂະບວນການຂອງພວກເຂົາ

ຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງການເຄືອບແມ່ນເຂົ້າໃຈດີທີ່ສຸດໂດຍການເຊື່ອມໂຍງອາການທີ່ສັງເກດເຫັນກັບກົນໄກການຂະຫຍາຍຕົວຂອງມັນ.

ຂັ້ນຕອນ, ມຸມ, ພື້ນທີ່ຕາບອດແລະກະເປົ໋າ wafer ສາມາດລົບກວນການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ. ຖ້າຊະນິດພັນທີ່ເກີດປະຕິກິລິຍາຖືກທຳລາຍກ່ອນທີ່ຈະໄປຮອດເຂດທີ່ມີບ່ອນປ້ອງກັນ, ອັດຕາການຕົກຄ້າງໃນທ້ອງຖິ່ນສາມາດຫຼຸດລົງ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ຄວາມອີ່ມຕົວສູງໃນທ້ອງຖິ່ນອາດຈະສົ່ງເສີມການເຕີບໂຕທີ່ຫຍາບຄາຍຫຼືຜິດປົກກະຕິ.

ຈຸດປະສົງບໍ່ແມ່ນອັດຕາເງິນຝາກສູງສຸດ. ການເຄືອບ semiconductor ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຄວາມສົມດູນລະຫວ່າງຄວາມ​ຫນາ​ແຫນ້ນ​, ຄວາມ​ບໍ​ລິ​ສຸດ​, stoichiometry​, roughness ດ້ານ​, ຄວາມ​ເປັນ​ເອ​ກະ​ພາບ​ຄວາມ​ຫນາ​ແລະ​ຄວາມ​ສົມ​ບູນ​ໃນ​ການ​ໂຕ້​ຕອບ.

ນີ້ແມ່ນສິ່ງສໍາຄັນໂດຍສະເພາະສໍາລັບຜູ້ຂົນສົ່ງ MOCVD ຫຼາຍຖົງແລະຕົວອ່ອນໆຂອງ epitaxy, ບ່ອນທີ່ມີເງື່ອນໄຂການໄຫຼໃນທ້ອງຖິ່ນທີ່ແຕກຕ່າງກັນໃນທົ່ວອົງປະກອບດຽວກັນ.

6. ຈາກການເຄືອບ CVD ໄປສູ່ອົງປະກອບຂອງ Semiconductor-Grade

ຫຼັງຈາກການຕົກແຕ່ງ, ການເຄືອບຄວນໄດ້ຮັບການປະເມີນເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງອົງປະກອບສໍາເລັດຮູບແທນທີ່ຈະເປັນວັດສະດຸທີ່ໂດດດ່ຽວ.

ອີງຕາມຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ, ຄຸນສົມບັດອາດຈະປະກອບມີ:

l Dການກວດກາ imensional ແລະ flatness;

l Coating ຄວາມຫນາແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຫນາ;

l Surface roughness;

l Microscopy ສໍາລັບຮອຍແຕກ, pinholes ຫຼືເມັດພືດຜິດປົກກະຕິ;

l Phase ຫຼື microstructure ການວິເຄາະ;

l Pການຢັ້ງຢືນ urity;

l Tຄວາມສາມາດໃນການເຊື້ອຊາດແລະເອກະສານການກວດກາ.

ສໍາລັບ epitaxy ແລະ MOCVD, ການເຄືອບຍັງຕ້ອງຢູ່ລອດສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການທີ່ແທ້ຈິງ. ການເຄືອບທີ່ມີລັກສະນະທີ່ຍອມຮັບໄດ້ທັນທີຫຼັງຈາກການຊຶມເຊື້ອອາດຈະຍັງຊຸດໂຊມພາຍໃຕ້ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາຊ້ອນ, ເຄມີທໍາຄວາມສະອາດທີ່ຮຸກຮານຫຼືສະພາບຂອງເຕົາປະຕິກອນທ້ອງຖິ່ນ.

ດັ່ງນັ້ນລະບົບຕ່ອງໂສ້ວິສະວະກໍາສາມາດສະຫຼຸບໄດ້ຄື:

CVD Recipe → ໂຄງປະກອບການເຄືອບ → ຄຸນະພາບຂອງການໂຕ້ຕອບ → ອົງປະກອບເລຂາຄະນິດ → ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ / ເຄມີ → ການປະຕິບັດຂະບວນການ Wafer

ຄວາມສໍາພັນນີ້ອະທິບາຍວ່າເປັນຫຍັງການເຄືອບ CVD SiC ຄວນຖືກກໍານົດໂດຍໃຊ້ຕົວກໍານົດການປະສິດທິພາບທີ່ກ່ຽວຂ້ອງແທນທີ່ຈະເປັນຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບນາມຢ່າງດຽວ.

ສໍາລັບຜູ້ຂົນສົ່ງ susceptor ຫຼື wafer, ຄຸນນະພາບການເຄືອບໃນທີ່ສຸດຕ້ອງເຮັດວຽກຮ່ວມກັນກັບຄຸນນະພາບ graphite, ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາແລະເລຂາຄະນິດອົງປະກອບເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນພຶດຕິກໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ການປົນເປື້ອນຕ່ໍາແລະການປຸງແຕ່ງ semiconductor ຊ້ໍາກັນ.

FAQ / RFQ

1. ແມ່ນຫຍັງທີ່ເປັນຄາຣະວາທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປສໍາລັບການເຄືອບ CVD SiC ເທິງ graphite?
Methyltrichlorosilane (MTS) ຖືກສຶກສາຢ່າງກວ້າງຂວາງເນື່ອງຈາກວ່າມັນມີທັງຊິລິໂຄນແລະຄາບອນ. ສູດເຄມີຂອງການຜະລິດຕົວຈິງ ແລະ ການປ່ອຍຕົວແມ່ນແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມຜູ້ຜະລິດ, ເຕົາປະຕິກອນ ແລະການນຳໃຊ້.

2. ອຸນຫະພູມໃດທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຝາກ CVD SiC ໃນ graphite?
ຂະ​ບວນ​ການ​ການ​ຄ້າ​ແລະ​ການ​ຄົ້ນ​ຄ​້​ວາ​ໂດຍ​ທົ່ວ​ໄປ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ຢູ່​ຂ້າງ​ເທິງ 1,200 ° C​, ແຕ່​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ທີ່​ດີ​ທີ່​ສຸດ​ແມ່ນ​ຂຶ້ນ​ກັບ​ການ​ອອກ​ແບບ reactor​, ຄວາມ​ກົດ​ດັນ​, ເຄ​ມີ​ຂອງ​ຄາ​ຣະ​ວາ​, ເກຣດ graphite ແລະ​ໂຄງ​ສ້າງ​ການ​ເຄືອບ​ທີ່​ຕ້ອງ​ການ​.

3. ສິ່ງທີ່ຄວບຄຸມຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ SiC?
ການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, ຄວາມກົດດັນ, ເລຂາຄະນິດຂອງອົງປະກອບ, ເວລາການຝາກ, ການແຜ່ກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມແລະຄາຣະວາການຂົນສົ່ງບັນຫາທັງຫມົດ. ກະເປົ໋າເລິກ, ມຸມແລະຫນ້າດິນທີ່ມີບ່ອນປ້ອງກັນແມ່ນມີຄວາມອ່ອນໄຫວໂດຍສະເພາະກັບເງື່ອນໄຂການໂອນມະຫາຊົນໃນທ້ອງຖິ່ນ.

4. ເປັນຫຍັງການເຄືອບ CVD SiC ສາມາດ crack ຫຼື delaminate?
ຜູ້ປະກອບສ່ວນທົ່ວໄປປະກອບມີຄວາມກົດດັນທີ່ຕົກຄ້າງ, graphite/SiC CTE ບໍ່ກົງກັນ, ການກະກຽມການໂຕ້ຕອບທີ່ບໍ່ພຽງພໍ, ຄວາມບົກພ່ອງຂອງໂຄງສ້າງຈຸນລະພາກຂອງການເຄືອບແລະການວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາຊ້ອນ.

5. ຂໍ້ມູນໃດແດ່ທີ່ຄວນໃຫ້ສໍາລັບການເຄືອບ CVD SiC RFQ?
ໃຫ້ຮູບແບບການແຕ້ມຮູບ 2D ຫຼື 3D, ການທໍາງານຂອງອົງປະກອບ, ຮູບແບບເຄື່ອງປະຕິກອນ, ເງື່ອນໄຂຂະບວນການ, ຄວາມຕ້ອງການ graphite, ຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບ, roughness ດ້ານ, ຄວາມທົນທານຂອງມິຕິ, ຄວາມຕ້ອງການກວດກາແລະປະລິມານທີ່ຕ້ອງການ.

ເອກະສານອ້າງອີງ

1. SGL ຄາບອນ.SIGRAFINE® SiC Coating — ການ​ປະ​ສົມ CVD SiC ໃນ isostatic graphite​, ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ການ​ເຄືອບ​ແລະ​ການ​ຈັບ​ຄູ່​ການ​ຂະ​ຫຍາຍ​ຕົວ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​.

2. Huo, Y. et al.ການສຶກສາຄວາມກ່ຽວຂ້ອງກັນຂອງຂະບວນການ-ໂຄງສ້າງ-ຄຸນສົມບັດໃນການເຄືອບ CVD-SiC ເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນກາໄຟ. ບົດລາຍງານວິທະຍາສາດ, ສະບັບ. 16, ມາດຕາ 4150, 2026.

3. Ma, Q. et al.ການຕິດຕົວຂອງສານເຄືອບ CVD-SiC ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite: ບົດບາດຂອງອຸນຫະພູມໃນໂຄງສ້າງຈຸນລະພາກແລະຄຸນສົມບັດກົນຈັກ. Ceramics International, ສະບັບ. ວັນທີ 52, 2026.

4. Zhu, D., Hing, P., Brown, P., Sahai, Y.ຄຸນລັກສະນະຂອງການເຄືອບ silicon carbide ປູກຢູ່ໃນ graphite ໂດຍການລະລາຍ vapor ສານເຄມີ. ວາລະສານເຕັກໂນໂລຊີການປຸງແຕ່ງວັດສະດຸ, ສະບັບ. 48, 1995.