ການເຄືອບ Tantalum Carbide (TaC) ບັນລຸການບໍລິການໃນໄລຍະຍາວພາຍໃຕ້ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງແນວໃດ?

ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ Silicon carbide (SiC) PVTປະກອບດ້ວຍວົງຈອນຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງ (ອຸນຫະພູມຫ້ອງສູງກວ່າ 2200 ℃). ຄວາມກົດດັນດ້ານຄວາມຮ້ອນອັນໃຫຍ່ຫຼວງທີ່ສ້າງຂຶ້ນລະຫວ່າງການເຄືອບແລະຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ເນື່ອງຈາກຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງຂອງຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) ແມ່ນສິ່ງທ້າທາຍຫຼັກໃນການກໍານົດອາຍຸການເຄືອບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ. ວິສະວະກໍາການໂຕ້ຕອບແບບພິເສດແມ່ນກຸນແຈເພື່ອໃຫ້ແນ່ໃຈວ່າການເຄືອບ tantalum carbide ບໍ່ແຕກຫຼື delaminate ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ຮຸນແຮງ.

1. ສິ່ງທ້າທາຍຫຼັກຂອງຄວາມຄຽດ Interfacial

ມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງ graphite ແລະ tantalum carbide (graphite CTE: ~1–4 ×10⁻⁶ /K; TaC CTE: ~6.5 ×10⁻⁶ /K). ໃນໄລຍະວົງຈອນການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາຊ້ອນ, ອີງໃສ່ພຽງແຕ່ການຕິດຕໍ່ທາງດ້ານຮ່າງກາຍລະຫວ່າງການເຄືອບແລະ substrate ເຮັດໃຫ້ມັນຍາກທີ່ຈະຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງພັນທະບັດໃນໄລຍະຍາວ. ຮອຍແຕກຫຼືແມ້ກະທັ້ງ spallation ສາມາດເກີດຂຶ້ນໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍ, ເຮັດໃຫ້ການເຄືອບສູນເສຍຫນ້າທີ່ປ້ອງກັນຂອງຕົນ.

2. Triple Solutions of Interface Engineering

ເທັກໂນໂລຍີທີ່ທັນສະໄຫມແກ້ໄຂບັນຫາຄວາມທ້າທາຍດ້ານຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນໂດຍຜ່ານຍຸດທະສາດລວມ, ໂດຍແຕ່ລະການອອກແບບແມ່ນແນໃສ່ກົນໄກຫຼັກຂອງການສ້າງຄວາມກົດດັນ:

3. ການກວດສອບການປະຕິບັດແລະພຶດຕິກໍາໄລຍະຍາວ

ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງລະບົບການເຄືອບທີ່ຖືກອອກແບບດ້ວຍວິທີການວິສະວະກໍາການໂຕ້ຕອບຂ້າງເທິງສາມາດຖືກປະເມີນໂດຍຜ່ານການທົດສອບປະລິມານ:

ການທົດສອບການຍຶດຕິດ:ລະບົບການເຄືອບທີ່ປັບປຸງໃຫ້ເໝາະສົມໂດຍປົກກະຕິຈະສະແດງຄວາມແຮງຂອງຄວາມຜູກພັນລະຫວ່າງກັນຫຼາຍກວ່າ 30 MPa. ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວມັກຈະສະແດງອອກເປັນການແຕກຫັກຂອງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ຕົວຂອງມັນເອງແທນທີ່ຈະເປັນ delamination ການເຄືອບ.

ການທົດສອບວົງຈອນການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ:ການເຄືອບຄຸນນະພາບສູງສາມາດທົນທານຕໍ່ຫຼາຍກ່ວາ 200 ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນທີ່ຮ້າຍໄປຈໍາລອງຂະບວນການ PVT (ຈາກອຸນຫະພູມຫ້ອງໄປຂ້າງເທິງ 2200 ℃) ໃນຂະນະທີ່ຍັງ intact.

ອາຍຸການບໍລິການຕົວຈິງ:ໃນການຜະລິດມະຫາຊົນ, ອົງປະກອບເຄືອບທີ່ໃຊ້ວິສະວະກໍາການໂຕ້ຕອບແບບພິເສດສາມາດບັນລຸຊີວິດການບໍລິການທີ່ຫມັ້ນຄົງເກີນ 120 ຮອບວຽນການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ, ຫຼາຍຄັ້ງຍາວກວ່າອົງປະກອບທີ່ບໍ່ເຄືອບຫຼືພຽງແຕ່ເຄືອບ.

4. ບົດສະຫຼຸບ

ຄວາມຜູກພັນລະຫວ່າງກັນທີ່ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງໃນໄລຍະຍາວແມ່ນຜົນມາຈາກວັດສະດຸລະບົບແລະການອອກແບບວິສະວະກໍາແທນທີ່ຈະເປັນຄວາມບັງເອີນ. ໂດຍຜ່ານການນໍາໃຊ້ປະສົມປະສານຂອງ interlocking ກົນຈັກ, buffering ຄວາມກົດດັນ, ແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງໂຄງສ້າງຈຸລະພາກ, ການເຄືອບ tantalum carbide ແລະ substrates graphite ສາມາດຮ່ວມກັນຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງຂອງຂະບວນການ PVT, ສະຫນອງການປົກປ້ອງທົນທານແລະເຊື່ອຖືໄດ້ສໍາລັບການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ. ບາດກ້າວບຸກທະລຸທາງດ້ານເທກໂນໂລຍີນີ້ສ້າງພື້ນຖານສໍາລັບການດໍາເນີນງານທີ່ຍາວນານ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາຂອງອົງປະກອບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນແລະສ້າງເງື່ອນໄຂຫຼັກສໍາລັບການຜະລິດມະຫາຊົນທີ່ຫມັ້ນຄົງ. ໃນບົດຄວາມຕໍ່ໄປ, ພວກເຮົາຈະຄົ້ນຫາວິທີການເຄືອບ tantalum carbide ກາຍເປັນພື້ນຖານຂອງຄວາມຫມັ້ນຄົງສໍາລັບການອຸດສາຫະກໍາການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຜລຶກ PVT. ສໍາລັບລາຍລະອຽດດ້ານວິຊາການກ່ຽວກັບວິສະວະກໍາການໂຕ້ຕອບ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ທີມງານດ້ານວິຊາການໂດຍຜ່ານເວັບໄຊທ໌ທາງການສໍາລັບການປຶກສາຫາລື.