ການ​ແກ້​ໄຂ SiC Coating Edge ເປັນ​ສີ​ເຫຼືອງ​ເພື່ອ​ເພີ່ມ​ຜົນ​ຜະ​ລິດ CVD ຈາກ 50​% ເປັນ 90​%

ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ຂອງສານປະກອບ semiconductors ແລະ semiconductors ຮຸ່ນທີສາມ, ທາດ susceptors graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະພາກສ່ວນ graphite ພາຍໃນອຸປະກອນ MOCVD ຕ້ອງທົນກັບອຸນຫະພູມສູງແລະການກັດກ່ອນຂອງສານເຄມີທີ່ຮຸນແຮງ, ອີງໃສ່ການເຄືອບ CVD silicon carbide (SiC) ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນເພື່ອປ້ອງກັນ. ການແກ້ໄຂຄວາມທ້າທາຍຂອງລູກຄ້າຂອງການເຄືອບ silicon carbide ຂອບສີເຫຼືອງແລະການຫຼຸດຜ່ອນການຍຶດຫມັ້ນພາຍໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາອຸນຫະພູມສູງ, VeTek Semiconductor ໄດ້ລົບລ້າງຄວາມບົກພ່ອງຂອງຂອບຢ່າງສົມບູນໂດຍຜ່ານການ reconstruction kinetics deposition ແລະການຄວບຄຸມພາລາມິເຕີຂະບວນການ, ຂັບລົດຜົນຜະລິດຂອງຜະລິດຕະພັນສໍາເລັດຮູບເພີ່ມຂຶ້ນຈາກ 50% ເປັນ 90%, ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍອຸປະກອນລູກຄ້າ downtime ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການທົດແທນ.

1. Key Data Snapshot ແລະການປຽບທຽບປະສິດທິພາບ

 ຮູບທີ 1: MOCVD Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor

ໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial ຂອງສານປະສົມແລະ semiconductors ຮຸ່ນທີສາມ, ຄຸນນະພາບຂອງ CVD silicon carbide coating ສຸດ susceptors graphite ແລະອົງປະກອບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນກໍານົດໂດຍກົງກ່ຽວກັບຄຸນນະພາບ wafer ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍການຜະລິດ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການປຽບທຽບການວັດແທກທີ່ສໍາຄັນກ່ອນແລະຫຼັງຈາກການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງຂະບວນການໂດຍ VeTek Semiconductor:

2. ປະຫວັດຄວາມເປັນມາຂອງລູກຄ້າ ແລະ MOCVD Epitaxial Application Scenarios

ຮູບທີ 2: ສາກການເຮັດວຽກຂອງ Graphite Susceptor ແລະ wafer Tray ພາຍໃນຫ້ອງປະຕິກິລິຍາ MOCVD

ຄູ່ຮ່ວມງານໃນໂຄງການນີ້ແມ່ນວິສາຫະກິດການຜະລິດ semiconductor ທີສາມແລະປະສົມ epitaxial chip, ອຸທິດຕົນເພື່ອການຄົ້ນຄວ້າ, ການພັດທະນາ, ແລະການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງປະສິດທິພາບສູງ Gallium Nitride (GaN) ແລະ Silicon Carbide (SiC) wafers epitaxial. ໃນສາຍການຜະລິດຂອງ MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) , ເຄື່ອງດູດ graphite ແລະອົງປະກອບທີ່ເຄືອບດ້ວຍ silicon carbide ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງແມ່ນເຄື່ອງບໍລິໂພກຫຼັກທີ່ບັນຈຸ wafers ໂດຍກົງແລະດໍາເນີນການພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງເກີນ 1000 ° C ເຊັ່ນດຽວກັນກັບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ corrosive ທີ່ເຂັ້ມແຂງ.

ເນື່ອງຈາກສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງທີ່ສຸດພາຍໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາ MOCVD, ຄຸນນະພາບຂອງການເຄືອບ silicon carbide ເທິງພື້ນຜິວອົງປະກອບ graphite ໂດຍກົງກໍານົດຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນ, ການຄວບຄຸມການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກ, ແລະຊີວິດການບໍລິການ susceptor. ໃນຂະນະທີ່ຂະຫນາດ wafer epitaxial ຍົກລະດັບໄປສູ່ 8 ນິ້ວ, ລູກຄ້າໄດ້ກໍານົດຄວາມຕ້ອງການສະເພາະທີ່ສູງທີ່ສຸດກ່ຽວກັບຄວາມແຫນ້ນຫນາຂອງການໂຕ້ຕອບ, ຄວາມຕ້ານທານກັບຄວາມຮ້ອນ, ແລະຮູບຊົງຂອງພື້ນຜິວຂອງການເຄືອບ.

3. ການວິເຄາະຄວາມເລິກຂອງ CVD Silicon Carbide Coating Edge Yellowing ສາເຫດແລະຄໍຂວດ.

 ກ່ອນທີ່ຈະມີສ່ວນຮ່ວມກັບທີມງານເພີ່ມປະສິດທິພາບຂະບວນການ VeTek Semiconductor, ລູກຄ້າໄດ້ພົບກັບຄໍຂວດທີ່ມີຄຸນນະພາບຮ້າຍແຮງຢູ່ໃນສາຍການຜະລິດເຄືອບ CVD silicon carbide ພາຍໃນຫຼືພາຍນອກຂອງພວກເຂົາ:

· ຂອບ​ການ​ເຄືອບ​ສີ​ເຫຼືອງ​ຜິດ​ປົກ​ກະ​ຕິ​:ຫຼັງຈາກການຕົກຄ້າງຢູ່ໃນເຕົາປະຕິກິລິຢາ CVD, ຄວາມແຕກຕ່າງຂອງສີເຫຼືອງອ່ອນໆຫຼືສີທີ່ສັງເກດເຫັນມັກຈະປາກົດຢູ່ໃນຂອບຂອງອົງປະກອບທີ່ເຄືອບຊິລິໂຄນຄາໄບ, ບໍ່ຜ່ານການກວດກາໂຮງງານ QC ທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງ semiconductor.

· ຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງຄວາມກົດດັນດ້ານກ້ອງຈຸລະທັດຢູ່ໃນສ່ວນຕິດຕໍ່ພົວພັນ:ພາຍໃຕ້ຂະບວນການອັດຕາເງິນຝາກສູງຕົ້ນສະບັບ (~ 25 μm / h), ຄວາມກົດດັນພາຍໃນທີ່ສໍາຄັນສະສົມລະຫວ່າງການເຄືອບແລະ substrate graphite, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບໃນການໂຕ້ຕອບກ້ອງຈຸລະທັດລະຫວ່າງຂັ້ນຕອນຂອງ deposition ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ເນື່ອງຈາກຄວາມໄວການ crystallization vapor ສານເຄມີໄວເກີນໄປ.

· ຜົນ​ຜະ​ລິດ​ຕ​່​ໍ​າ​ທີ່​ສຸດ​ແລະ​ຄວາມ​ກົດ​ດັນ​ຄ່າ​ໃຊ້​ຈ່າຍ​:ຖືກຈໍາກັດໂດຍອັນຕະລາຍຂອງຂອບສີເຫຼືອງແລະການປອກເປືອກ, ຜົນຜະລິດທີ່ສົມບູນແບບຂອງຜະລິດຕະພັນເຄືອບແມ່ນຢູ່ໃນລະດັບຕໍ່າ 50% ເປັນເວລາດົນນານ, ເຮັດໃຫ້ຕົ້ນທຶນການຜະລິດສູງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະຄວາມຫຍຸ້ງຍາກໃນການຮັບປະກັນຕາຕະລາງການສະຫນອງທີ່ຫມັ້ນຄົງສໍາລັບລູກຄ້າ MOCVD epitaxy ລຸ່ມນ້ໍາ.

4. ວິທີການແກ້ໄຂການເຄືອບ Silicon Carbide ປອກເປືອກແລະຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງຄວາມກົດດັນ

ຮູບທີ 3: VeTek Semiconductor Advanced CVD SiC Coating Process & Technology Flowchart

ເພື່ອແກ້ໄຂຈຸດເຈັບປວດຂອງຂະບວນການທີ່ໄດ້ກ່າວມາຂ້າງເທິງ, ທີມງານດ້ານວິຊາການ VeTek Semiconductor ໄດ້ດໍາເນີນການວິເຄາະຄວາມເລິກຂອງການແຜ່ກະຈາຍພາກສະຫນາມການໄຫຼ, ການແຜ່ກະຈາຍຂອງພາກສະຫນາມອຸນຫະພູມ, ແລະອາຍແກັສຕິກິຣິຍາ (SiC precursor) kinetics ການເສື່ອມສະພາບຄວາມຮ້ອນພາຍໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາ CVD, ສ້າງແຜນການປ່ຽນແປງຂະບວນການເປັນລະບົບ.

ການ​ປ່ຽນ​ແປງ​ຂະ​ບວນ​ການ​ຫຼັກ​: ການ​ຄວບ​ຄຸມ​ອັດ​ຕາ​ການ​ເກັບ​ກໍາ​ຂັ້ນ​ຕອນ​
ຂະບວນການຕົ້ນສະບັບໄດ້ນໍາໃຊ້ອັດຕາເງິນຝາກສູງຂອງ 25 μm / h ຕະຫຼອດວົງຈອນການຝາກທັງຫມົດ, ເຮັດໃຫ້ເກີດການຂະຫຍາຍຕົວຂອງແກນໄປເຊຍກັນທີ່ເຂັ້ມຂົ້ນເກີນໄປ, ການແບ່ງແຍກໄລຍະ impurity ຈຸນລະພາກ deviating ຈາກ stoichiometry, ແລະຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຄວາມກົດດັນຢູ່ໃນຂອບ morphological. ທີມງານ VeTek ຫຼຸດລົງຢ່າງແນ່ນອນຂອງອັດຕາເງິນຝາກໃນລະຫວ່າງຂັ້ນຕອນການຝາກເບື້ອງຕົ້ນເຖິງ 12 μm / h. ໂດຍການເຮັດໃຫ້ຄວາມໄວຂອງນິວເຄລຍຊ້າລົງ, ນິວເຄລຍຂອງຊິລິຄອນຄາໄບໄບຕ໌ມີເວລາພຽງພໍໃນການຈັດລະບຽບພາຍໃນ micropores graphite ແລະພື້ນຜິວ, ບັນລຸຄວາມຜູກພັນທີ່ແຫນ້ນຫນາໃນລະດັບປະລໍາມະນູລະຫວ່າງ 'ການເຄືອບແລະ substrate graphite' ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ 'ລະຫວ່າງຊັ້ນ deposition ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.

Fine-Tuning ຂອງ CVD Chamber Field Field ແລະ Thermal Field
ອັດ​ຕາ​ສ່ວນ​ອັດ​ຕາ​ການ​ໄຫຼ​ເຂົ້າ​ຂອງ​ອາຍ​ແກ​ັ​ສ​ຄາ​ຣະ​ວາ (ເຊັ່ນ​: MTS ແລະ H₂​) ແລະ​ມຸມ​ການ​ຊີ້​ນໍາ​ການ​ໄຫຼ​ຂອງ​ອາຍ​ແກ​ັ​ສ​ໄດ້​ຖືກ​ປັບ​, optimizing ຄວາມ​ຫນາ​ຂອງ​ຊັ້ນ​ເຂດ​ແດນ​ໃນ​ພາກ​ພື້ນ​ຂອບ​. ນີ້ຮັບປະກັນວ່າອັດຕາສ່ວນ stoichiometric ຂອງຊິລິໂຄນກັບປະລໍາມະນູກາກບອນຢູ່ແຄມຂອງອົງປະກອບເລຂາຄະນິດທີ່ສັບສົນຍັງຄົງຢູ່ຢ່າງເຂັ້ມງວດ 1: 1, ລົບລ້າງການປ່ຽນສີແລະສີເຫຼືອງທີ່ເກີດຈາກການເສີມຊິລິຄອນ / ຄາບອນໃນທ້ອງຖິ່ນ.

5. ການປະຕິບັດ ແລະຜົນສຳເລັດຂອງ MOCVD High-Purity Graphite Susceptor Coating Improvement

ຮູບທີ 4: ຄວາມບໍລິສຸດສູງ CVD Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor ທີ່ມີສີພື້ນຜິວທີ່ເປັນເອກະພາບແລະບໍ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ

ໂດຍການປະຕິບັດການປ່ຽນແປງຂະບວນການ CVD ຂ້າງເທິງ, VeTek Semiconductor ໄດ້ຊ່ວຍໃຫ້ລູກຄ້າບັນລຸຜົນປະໂຫຍດທາງດ້ານເສດຖະກິດຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະການປັບປຸງຄຸນນະພາບ:

· ການເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ:ອັດ​ຕາ​ການ​ຄຸນ​ນະ​ສົມ​ບັດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ສໍາ​ເລັດ​ຮູບ​ຂອງ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ silicon carbide ເຄືອບ​ໄດ້​ເພີ່ມ​ຂຶ້ນ​ຈາກ 50​% ເປັນ 90​%​, ການ​ແກ້​ໄຂ​ຢ່າງ​ສົມ​ບູນ​ບັນ​ຫາ​ການ​ຂູດ​ທີ່​ເກີດ​ຈາກ​ການ​ສີ​ເຫຼືອງ​ແຂບ​.

· ປັບປຸງຄວາມໜາແໜ້ນຂອງການຜູກມັດສ່ວນຕິດຕໍ່ກັນ:ຫຼັງຈາກການຫຼຸດຜ່ອນອັດຕາການຊຶມເຊື້ອເບື້ອງຕົ້ນເປັນ 12 μm / h, ການປອກເປືອກຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງການເຄືອບແລະຊັ້ນໃຕ້ດິນ graphite ຫຼຸດລົງຫຼາຍກວ່າ 40%, ແລະຊີວິດວົງຈອນຄວາມຮ້ອນເພີ່ມຂຶ້ນ 1.5 ເທົ່າ.

· ເວລານຳສົ່ງທີ່ສັ້ນລົງ:ເນື່ອງຈາກການຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂອງ rework ແລະອັດຕາການຂູດ, ວົງຈອນການຜະລິດທີ່ສົມບູນແບບຂອງອົງປະກອບໄດ້ຖືກສັ້ນລົງໂດຍ 35%, ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງຫນ່ວຍງານທີ່ສົມບູນແບບຫຼຸດລົງ 30%, ຮັບປະກັນຄວາມຕ້ອງການການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງສໍາລັບສາຍການຜະລິດ MOCVD epitaxy ລຸ່ມ.

6. ຄຳຖາມທີ່ຖາມເລື້ອຍໆ (FAQ)

ຮູບທີ 5: VeTek Semiconductor ກອງປະຊຸມມາດຕະຖານສູງ ແລະພື້ນຖານການຜະລິດ

ຖາມ: ອັນຕະລາຍອັນໃດອັນໃດອັນໜຶ່ງທີ່ເຮັດໃຫ້ການເຄືອບຊິລິໂຄນຄາໄບເປັນສີເຫຼືອງເຮັດໃຫ້ຂະບວນການ epitaxy ລຸ່ມນ້ຳຂອງ MOCVD?

A: Edge yellowing ໂດຍປົກກະຕິຫມາຍເຖິງຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງ microscopic lattice, deviations stoichiometric (ເຊັ່ນ: ການເສີມສ້າງທ້ອງຖິ່ນຂອງຊິລິໂຄນຫຼືຄາບອນຟຣີ), ຫຼືຄວາມກົດດັນພາຍໃນທີ່ຕົກຄ້າງຢູ່ໃນການເຄືອບ silicon carbide ຂອງພາກພື້ນນັ້ນ. ພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ (1000 ° C+) ແລະສະພາບແວດລ້ອມອາຍແກັສ corrosive ທີ່ເຂັ້ມແຂງ (ເຊັ່ນ: NH₃, HCl) ໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial, ພື້ນທີ່ສີເຫຼືອງແມ່ນມີຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ກັບການປອກເປືອກ, ການຂະຫຍາຍພັນຂອງ micro-crack, ຫຼືການປ່ອຍອາຍແກັສ impurity. ນີ້ປົນເປື້ອນໂດຍກົງກັບ wafers epitaxial, ເພີ່ມຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຂໍ້ບົກພ່ອງໃນຊັ້ນ epitaxial, ແລະໃນກໍລະນີຮ້າຍແຮງຈະທໍາລາຍ graphite susceptor ຕົວຂອງມັນເອງ.

ຖາມ: ການຫຼຸດລົງຂອງອັດຕາເງິນຝາກເບື້ອງຕົ້ນ (ຈາກ 25 μm / h ຫາ 12 μm / h) ເພີ່ມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດຢ່າງຫຼວງຫຼາຍບໍ?

A: ເຖິງແມ່ນວ່າການຫຼຸດອັດຕາເງິນຝາກເບື້ອງຕົ້ນເລັກນ້ອຍຈະເພີ່ມໄລຍະເວລາຂອງຂັ້ນຕອນທໍາອິດ, ພວກເຮົາພຽງແຕ່ນໍາໃຊ້ອັດຕາທີ່ອ່ອນໂຍນ 12 μm / h ໃນໄລຍະການຂະຫຍາຍຕົວຂອງການໂຕ້ຕອບເບື້ອງຕົ້ນ (ໄມໂຄແມັດທໍາອິດ). ເມື່ອການເຊື່ອມໂຍງການໂຕ້ຕອບທີ່ແຫນ້ນຫນາໄດ້ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ, ເງິນຝາກປະສິດທິພາບສູງມາດຕະຖານຈະກັບຄືນມາ. ສິ່ງທີ່ສໍາຄັນກວ່ານັ້ນ, ຜົນຜະລິດເພີ່ມຂຶ້ນຈາກ 50% ເປັນ 90% ຫຼຸດຜ່ອນອັດຕາການຂູດຂີ້ເຫຍື້ອແລະສິ່ງເສດເຫຼືອຂອງວັດຖຸດິບ, ເຊິ່ງຫຼາຍກວ່າການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງຊົ່ວໂມງແຮງງານ, ໃນທີ່ສຸດກໍ່ຈະຕັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດຫົວຫນ່ວຍທັງຫມົດປະມານ 30%.

Q: VeTek Semiconductor ສາມາດໃຫ້ບໍລິການເຄືອບຊິລິຄອນຄາໄບສໍາລັບອົງປະກອບ graphite ທີ່ກໍາຫນົດເອງໄດ້ບໍ?

A: ແມ່ນແລ້ວ. VeTek ສະຫນັບສະຫນູນການບໍລິການການປັບແຕ່ງລະບົບຕ່ອງໂສ້ເຕັມຮູບແບບຈາກເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງ substrates graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ (ເຊັ່ນ: micropores, ຊ່ອງທາງການໄຫຼທີ່ສັບສົນ, susceptors ຮູບຮ່າງທີ່ກໍາຫນົດເອງ) ກັບ CVD silicon carbide coatings ແລະ CVD tantalum carbide (TaC). ພວກເຮົາຍັງສາມາດປັບຂະບວນການ deposition ຕາມການແຜ່ກະຈາຍພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນສະເພາະຂອງ furnaces ຕິກິຣິຍາລູກຄ້າ.

7. ສະຫຼຸບ ແລະ ການບໍລິການສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິສະວະກໍາ

ການດັດປັບຂະບວນການເລັກນ້ອຍໃນວັດສະດຸແລະອົງປະກອບຂອງ semiconductor ມັກຈະກໍານົດຜົນຜະລິດແລະຄວາມສໍາເລັດຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງການຜະລິດ chip downstream. ດ້ວຍຄວາມຊໍານານດ້ານວິຊາການຢ່າງເລິກເຊິ່ງໃນການເຄືອບ CVD silicon carbide, ຊິ້ນສ່ວນ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ແລະພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນຂອງ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ, VeTek Semiconductor ປະສົບຜົນສໍາເລັດແກ້ໄຂບັນຫາສິ່ງທ້າທາຍດ້ານການເຄືອບດ້ານການເຄືອບສີເຫຼືອງ, ຊ່ວຍໃຫ້ລູກຄ້າບັນລຸຜົນຜະລິດສູງສຸດ 90% ແລະຄວາມທົນທານຂອງອົງປະກອບທີ່ດີກວ່າ.

ຖ້າທ່ານຍັງປະເຊີນກັບສິ່ງທ້າທາຍກັບການປອກເປືອກອົງປະກອບ graphite ຂອງ MOCVD, ຂອບສີເຫຼືອງ, ການຂັດຄວາມຮ້ອນ, ຫຼືເຄື່ອງຈັກອົງປະກອບທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ຍິນດີຕ້ອນຮັບການຂຸດຄົ້ນຂອງພວກເຮົາ.CVD Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor ຫນ້າລາຍລະອຽດ ແລະການບໍລິການປັບແຕ່ງຊິ້ນສ່ວນຂອງເຊມິຄອນດັກເຕີ Graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຫຼືຕິດຕໍ່ທີມງານວິຊາການຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ VeTek Semiconductor. ພວກເຮົາຈະໃຫ້ການບໍລິການກວດວິນິດໄສ ແລະ ການທົດສອບຕົວຢ່າງຟຣີແກ່ເຈົ້າ!

ຮູບທີ 6: ມຸມເບິ່ງແບບ Panoramic ຂອງ VeTek Semiconductor R&D ແລະ Manufacturing Park