ຂ່າວ

ການປັບແຕ່ງສະເພາະ GTMS/CTMS Graphite Fixture: Micro-Hole Deep Machining Solution

GTMS Special Graphite Fixtures Break through Micron Machining: ການ​ແກ້​ໄຂ​ການ​ປັບ​ແຕ່ງ​ສໍາ​ລັບ 1,500 Micro-Holes Arrayed ຊັດ​ເຈນ​ໃນ 0.01 ㎡

ຂະຫນາດການປະເມີນຜົນ / ລາຍການ

ຕົວກໍານົດການວິສະວະກໍາລາຍລະອຽດ & ມູນຄ່າສົ່ງ

ອຸດສາຫະກໍາ

ການຜະລິດເຊມິຄອນດັກເຕີ, ການຫຸ້ມຫໍ່ຈຸລະພາກອີເລັກໂທຣນິກ, ການສື່ສານທາງແສງ, ເຊລາມິກດ້ານວິຊາການ (GTMS/CTMS Hermetic Sealing Field)

ຂະບວນການ

GTMS/CTMS ແກ້ວ/ເຊລາມິກ-ເປັນໂລຫະປະທັບຕາ Hermetic sintering ອຸນຫະພູມສູງ, CTE ການຈັບຄູ່ກັນຄວາມຮ້ອນທີ່ຊັດເຈນ Clamping

ການແກ້ໄຂ

Ultra-High-Density Micro-Hole Special Graphite Fixture Plate (ພື້ນທີ່ແຜ່ນດ່ຽວ < 0.01, arrayed ມີເກືອບ 1,500 micro-holes; ຊຸດລວມມີເກືອບ 10,000 micro-holes)

ການບໍລິການ

ການຄັດເລືອກວັດສະດຸ & CTE ການວິເຄາະການຈັບຄູ່ຄວາມຮ້ອນ, ການອອກແບບເສັ້ນທາງເຄື່ອງມື Micro-Hole Deep Machining, ເອກະສານດ້ານວິຊາການດ້ານວິສະວະກໍາ, ການຜະລິດ batch & ການກວດສອບຢ່າງເຕັມທີ່

ຜົນໄດ້ຮັບ

• ເອົາຊະນະຄໍຂວດຂອງເຄື່ອງຈັກໃນຂຸມເລິກຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງເປັນເວລາ 10,000 ຮູໃນໄລຍະ 10 ເດືອນ, ບັນລຸການຄວບຄຸມຈຸດບົກພ່ອງໃນລະດັບໄມໂຄຣນ
• ຈັບຄູ່ໂລຫະປະສົມ Kovar CTE ທີ່ຊັດເຈນ, ຫຼຸດຜ່ອນການເສື່ອມສະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນ ແລະ ການປົນເປື້ອນຂອງຂີ້ຝຸ່ນຫຼາຍກວ່າ 50%
• Optical Imaging + Fully Automated CMM Collaborative Inspection, 100% ຂອງຜະລິດຕະພັນຜ່ານການຍອມຮັບຢ່າງເຂັ້ມງວດ.
• ຜົນຜະລິດໂດຍລວມເພີ່ມຂຶ້ນເຖິງ 98.5%, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການຂູດຂີ້ເຫຍື້ອ ແລະ ການປະຕິເສດຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ

ໃນ​ລະ​ຫວ່າງ​ຂະ​ບວນ​ການ GTMS / CTMS sintering ອຸ​ຫະ​ພູມ​ສູງ​ໃນ​ການ​ຫຸ້ມ​ຫໍ່ microelectronics​, ເຄື່ອງ​ຕິດ​ໄຟ​ພິ​ເສດ​ຕ້ອງ​ໄດ້​ສົມ​ທົບ​ການ​ປັບ​ລະ​ດັບ micron ກັບ​ຄວາມ​ຕ້ານ​ທານ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ສູງ​ແລະ​ຄວາມ​ຫມັ້ນ​ຄົງ​. ເພື່ອແກ້ໄຂສິ່ງທ້າທາຍຂອງການຂັດຂອບ, ການສວມໃສ່ເຄື່ອງມືທີ່ໄວທີ່ສຸດ, ແລະຄວາມທົນທານສະສົມໃນພື້ນທີ່ຂະຫນາດນ້ອຍທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງສຸດຂອງຮູຈຸນລະພາກ, VeTek ໄດ້ໃຊ້ເວລາ 10 ເດືອນຜ່ານຂຸມຂອງເຄື່ອງຈັກເລິກຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງສໍາລັບເກືອບ 10,000 ຮູຈຸນລະພາກໂດຍຜ່ານການປັບຕົວວັດສະດຸ, ການຕັດ kinematics reconstruction, ແລະການຈັດສົ່ງທີ່ແທ້ຈິງຫຼາຍວົງປິດ.


1. Key Data Snapshot & Performance Comparison

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ໂດຍຜ່ານການເພີ່ມປະສິດທິພາບ orthogonal ຂອງຕົວກໍານົດການຂະບວນການສໍາລັບການເຄື່ອງຈັກເລິກຂຸມຈຸນລະພາກແລະການຄັດເລືອກ graphite ໂດຍອີງໃສ່ການຈັບຄູ່ຄວາມຮ້ອນ CTE, ຜົນຜະລິດຂອງເຄື່ອງຈັກໃນຮູຈຸນລະພາກໄດ້ leaped ຈາກຄວາມສ່ຽງຂູດ batch ກັບອັດຕາການຈັດສົ່ງທີ່ຫມັ້ນຄົງຂອງຫຼາຍກ່ວາ 98.5%.

 

ຮູບທີ 1 - ແຜ່ນເຫຼັກກ້າພິເສດ GTMS/CTMS ແລະອົງປະກອບໂຄງສ້າງຂອງເຄື່ອງຈັກໃນຮູຈຸນລະພາກ

ໃນຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ hermetic GTMS, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຂຸມແລະການຕໍ່ຕ້ານການຜິດປົກກະຕິຂອງຄວາມຮ້ອນຂອງແຜ່ນ graphite fixture ກໍານົດໂດຍກົງກ່ຽວກັບການຫຸ້ມຫໍ່ hermeticity ແລະຜົນຜະລິດຜະລິດຕະພັນສໍາເລັດຮູບ. ຂະບວນການຫຼັກໆ ແລະຕົວຊີ້ວັດການປະຕິບັດກ່ອນ ແລະຫຼັງການບຸກທະລຸດ້ານວິຊາການຂອງທີມ VeTek ໄດ້ຖືກປຽບທຽບດັ່ງນີ້:

ຂະໜາດການປະເມີນຜົນ

ກ່ອນການປັບປຸງ (ສະຖານະຂະບວນການຕົ້ນສະບັບ)

ຫຼັງຈາກການປັບປຸງ (VeTek Optimized Solution)

ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຈຸນລະພາກແຜ່ນດຽວ

ເກືອບ 1,500 ຮູ / 0.01(ເຄື່ອງ​ຈັກ​ມີ​ຄວາມ​ສ່ຽງ​ສູງ​ທີ່​ຈະ chipping​)

ເກືອບ 1,500 ຮູ / 0.01(ການສ້າງຂໍ້ບົກພ່ອງລະດັບໄມໂຄຣນ)

ອັດຕາການສວມໃສ່ເຄື່ອງມືເຄື່ອງຈັກຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ

ການສວມໃສ່ເກີນມາດຕະຖານທຸກໆ 200 ຮູ, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງຮູ

ການເຄືອບ ແລະ ການເພີ່ມປະສິດທິພາບເສັ້ນທາງທີ່ອຸທິດຕົນ, ອັດຕາການສວມໃສ່ຂອງເຄື່ອງມືຫຼຸດລົງ 65%

ຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) ການຈັບຄູ່

ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ graphite ທໍາມະດາແມ່ນຂ້ອນຂ້າງສູງ, ເຊິ່ງນໍາໄປສູ່ການ deviation pin

ກົງກັບເສັ້ນໂຄ້ງການຂະຫຍາຍຕົວໂລຫະປະສົມ Kovar

ອັດຕາການຍອມຮັບໂດຍລວມ

ການຂູດຂີ້ເຫຍື້ອເລື້ອຍໆເນື່ອງຈາກຄວາມທົນທານໃນລະດັບ micron ເກີນຂອບເຂດຈໍາກັດ (<60%)

ມາດຕະຖານການຈັດສົ່ງ batch ຄົງທີ່ (≥98.5%)


2. ປະຫວັດຄວາມເປັນມາຂອງລູກຄ້າ & GTMS/CTMS Hermetic Packaging Application Scenarios

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ການປະທັບຕາດ້ວຍ pin ແກ້ວຫາໂລຫະທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງເຮັດໃຫ້ຄວາມຕ້ອງການເກືອບຈໍາກັດກ່ຽວກັບຄວາມແມ່ນຍໍາ geometric ກ້ອງຈຸລະທັດແລະຄວາມສະອາດອຸນຫະພູມສູງຂອງອຸປະກອນເສີມ graphite ພິເສດ.

ລູກຄ້າໃນການຮ່ວມມືນີ້ແມ່ນ R&D ແລະວິສາຫະກິດການຜະລິດທີ່ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນເຊັນເຊີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງແລະອົງປະກອບການຫຸ້ມຫໍ່ microelectronics. ສາຍການຜະລິດຫຼັກຂອງມັນນຳໃຊ້ຂະບວນການ sintering GTMS/CTMS (Glass/Ceramic-To-Metal Seal) ຢ່າງກວ້າງຂວາງ. ໃນເຕົາປິດຜະນຶກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ເຄື່ອງປະກອບກາຟໄຟພິເສດເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນແມ່ພິມທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, ຮັບຜິດຊອບສໍາລັບການຕັ້ງຕໍາແຫນ່ງທີ່ຊັດເຈນແລະຖືຫຼາຍຮ້ອຍຫາພັນ pins ໂລຫະທີ່ດີ (ເຊັ່ນ: ໂລຫະປະສົມ Kovar) ແລະ preforms ແກ້ວ. ນັບຕັ້ງແຕ່ແຜ່ນ fixture graphite ດຽວໃນໂຄງການນີ້ວັດແທກຫນ້ອຍກວ່າ 0.01 ຕາແມັດ, ແຕ່ຢ່າງແນ່ນອນຕ້ອງຮອງຮັບເກືອບ 1,500 ຮູຈຸນລະພາກ, ຊຸດ fixture ສົມບູນລວມເກືອບ 10,000 micro-ຮູທີ່ມີຝາບາງທີ່ສຸດລະຫວ່າງຮູ. ໃນລະຫວ່າງການ sintering ອຸນຫະພູມສູງຢູ່ທີ່ 800 ° C-1000 ° C, ເສັ້ນຜ່າກາງຂອງຮູຂຸມຂົນອ່ອນໆ, ການ deviation ຕໍາແຫນ່ງ, ຫຼື detachment ຂີ້ຝຸ່ນ graphite ໂດຍກົງຈະນໍາໄປສູ່ການອຽງຂອງ pin ໂລຫະ, ຮອຍແຕກ insulation ແກ້ວ, ຫຼືແມ້ກະທັ້ງການສູນເສຍ hermeticity ຢ່າງສົມບູນ.


3. Special Graphite Micro-Hole Machining Bottlenecks & Failure Mechanisms

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ຄວາມເສື່ອມຂອງວັດສະດຸກຼາຟີດສູງ, ການສວມໃສ່ຢ່າງໄວວາຂອງຮູຈຸນລະພາກ, ແລະຄວາມທົນທານສະສົມລະດັບໄມໂຄຣນເປັນຕົວກະຕຸ້ນຫຼັກທີ່ນໍາໄປສູ່ການຂູດ batch ຂອງ fixtures graphite ລະດັບ 10,000 ຂຸມ.

ກ່ອນທີ່ຈະນໍາທີມງານດ້ານວິຊາການ VeTek, ລູກຄ້າໄດ້ພົບກັບຂໍ້ບົກພ່ອງທາງດ້ານເຕັກນິກທີ່ຮຸນແຮງໃນລະຫວ່າງການຜະລິດທົດລອງແລະການປຸງແຕ່ງຂະຫນາດນ້ອຍ: ຫນ້າທໍາອິດ, micro-hole chipping and tearing: Graphite is a porous brittle material; ໃນລະຫວ່າງການເຈາະຮູຈຸນລະພາກທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ຄວາມກົດດັນຂອງການຕັດໃນຂະນະນີ້ເຄື່ອງເຈາະຈຸນລະພາກເຂົ້າໄປໃນແລະອອກໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍເຮັດໃຫ້ຂອບ brittle chipping ຢູ່ປາກຂຸມ. ອັນທີສອງ, ຄວາມທົນທານທີ່ເກີດຈາກການສວມໃສ່ຂອງເຄື່ອງມື: ເມື່ອປະມວນຜົນຮູຈຸນລະພາກຫຼາຍພັນຮູຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ການສວມໃສ່ເຄື່ອງເຈາະອັນດີຈະຮຸນແຮງຂຶ້ນ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງຂຸມໃນຂຸມເລິກສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງການເສີຍໆ, ເຊິ່ງຄວາມແຕກຕ່າງຂອງພຽງແຕ່ສອງສາມໄມໂຄຣນເຮັດໃຫ້ຄວາມລົ້ມເຫຼວແລະການຂູດຂອງຊຸດອຸປະກອນທັງໝົດທີ່ມີເກືອບ 10,000 ຮູ. ອັນທີສາມ, ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນບໍ່ກົງກັນແລະການປົນເປື້ອນຝຸ່ນ: CTE ອຸນຫະພູມສູງຂອງວັດສະດຸ graphite ທໍາມະດາບໍ່ກົງກັບ pins ໂລຫະ, ແລະຂີ້ຝຸ່ນລະອຽດ sloughs ອອກໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍ, contaminating ການໂຕ້ຕອບ sintering ແກ້ວ.


4. ວິທີການບັນລຸ Micron-Level Micro-Hole Machining ສໍາລັບ GTMS Special Graphite Fixtures?

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ໂດຍຜ່ານການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງວິທີການຂອງເສັ້ນທາງເຄື່ອງມື, ການຊົດເຊີຍຄວາມໄວການຕັດແບບເຄື່ອນໄຫວ, ແລະການເຈາະຈຸນລະພາກທີ່ເຄືອບຕ້ານການຂັດຂືນທີ່ອຸທິດຕົນ, ສິ່ງທ້າທາຍຂອງການຂັດຂອບຂຸມຈຸນລະພາກແລະການສະສົມຄວາມທົນທານຂອງຂຸມເລິກແມ່ນເອົາຊະນະຢ່າງສົມບູນ.

 ​ເພື່ອ​ແກ້​ໄຂ​ຄວາມ​ຫຍຸ້ງຍາກ​ໃນ​ການ​ຂຸດ​ເຈາະ 10,000 ຮູ​ຈຸ​ລະ​ພາກ, ທີມ​ງານ VeTek R&D ​ໄດ້​ສ້າງ​ຮູບ​ແບບ kinematics ຕັດ​ຄືນ​ໃໝ່ ​ແລະ ປະຕິບັດ​ວິ​ສະ​ວະ​ກຳ​ຂະ​ບວນການ​ທີ່​ເປັນ​ລະບົບ:

· Tool Path Algorithm & Plunge Feed Reconstruction:ຄວາມໄວການປ້ອນຂໍ້ມູນທີ່ດີທີ່ສຸດ ແລະຄວາມໄວການຫມູນວຽນທີ່ແບ່ງສ່ວນຜ່ານການທົດລອງທາງອ້ອມ, ນຳໃຊ້ຍຸດທະສາດການດູດຊຶມຈຸນລະພາກເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຜົນບັງຄັບໃຊ້ຂອງເຄື່ອງກົນຢ່າງມີປະສິດທິພາບຫຼາຍກວ່າ 45%, ລົບລ້າງຄວາມບົກພ່ອງຂອງຮູປາກຂຸມຂົນຢ່າງສົມບູນ.

· Anti-Chipping Micro-Drills & Chip Removal Flow Flow Optimization:ເຈາະຈຸນລະພາກທີ່ເຄືອບເພັດເມັດລະອຽດພິເສດທີ່ປັບແຕ່ງມາພ້ອມດ້ວຍລະບົບກຳຈັດຊິບ micro-cooling ທີ່ມີແຮງດັນລົບຂອງເຄື່ອງຊ່ວຍເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່ຂອງເຄື່ອງມືຫຼາຍກວ່າ 3 ເທົ່າ, ຮັບປະກັນເສັ້ນຜ່າສູນກາງຮູຂຸມຂົນລອຍໄປທົ່ວ 1,500 ຮູຈຸນລະພາກຕໍ່ແຜ່ນດຽວຍັງຄົງຢູ່ພາຍໃຕ້ ±0.002 ມມ.

ພາລາມິເຕີຂະບວນການ / ຂະຫນາດ

ຂະບວນການຕົ້ນສະບັບ

ຂະບວນການເພີ່ມປະສິດທິພາບ VeTek

Micro-Hole Machining Strategy Feed

ການ​ກະ​ທົບ​ຕໍ່​ຄວາມ​ໄວ​ສູງ​ຄົງ​ທີ່ (ຜົນ​ບັງ​ຄັບ​ໃຊ້​ສູງ​)

Segmented ຄວາມໄວ phased + ຍຸດທະສາດກໍາມະຈອນເຕັ້ນຈຸນລະພາກ

ການເລືອກເຄື່ອງມືເຈາະຈຸນລະພາກ

ເຄື່ອງເຈາະ micro tungsten carbide ແບບບໍ່ເຄືອບແບບດັ້ງເດີມ

ເຈາະຈຸນລະພາກທີ່ເຄືອບເພັດດ້ວຍເມັດອັນດີພິເສດພິເສດທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ

ການຖອດຊິບຮູເລິກ ແລະເຮັດຄວາມເຢັນ

ການກຳຈັດຊິບເປົ່າລົມແບບທຳມະດາ (ການສະສົມຂອງຂີ້ຝຸ່ນ)

ການດູດເອົາກໍາມະຈອນເຕັ້ນແຮງດັນທາງລົບສູງ + Airflow micro-adjustment

ການຄວບຄຸມການຂັດຮູປາກ

ອັດ​ຕາ​ການ chipping ຂອບ​> 8​%

ຮູຂຸມຂົນສົມບູນ ແລະລຽບ, ອັດຕາການແຕກ < 0.05%


5. ການຜະລິດ ແລະ ການປະຕິບັດການກວດກາສໍາລັບແຜ່ນທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງ CTE-Matched Special Graphite Fixture Plates

ສະຫຼຸບຫຼັກ:graphite ພິເສດທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງທີ່ເລືອກທີ່ກົງກັບໂລຫະປະສົມ Kovar CTE ສ້າງຕັ້ງວົງປິດຂອງ 'Optical + CMM' ການກວດກາຢ່າງເຕັມທີ່ແລະການທໍາຄວາມສະອາດ ultrasonic, ບັນລຸການຈັດສົ່ງສູນຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງ 10,000 ຮູ.

 

ຮູບທີ 2 - ລາຍລະອຽດຕົວຈິງຂອງແຜ່ນຕິດກາຟຟີດພິເສດທີ່ມີການຂັດຜິວເປັນສູນ ແລະ ຮູຈຸນລະພາກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ

· ການແກ້ໄຂການປັບຕົວວັດສະດຸ:ຖືກເລືອກຢ່າງເຂັ້ມງວດ ກຣາຟ໌ພິເສດ isostatic ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ ປະກອບດ້ວຍໂຄງສ້າງຈຸນລະພາກທີ່ຫນາແຫນ້ນ ແລະ ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນສູງທີ່ດີເລີດ. ຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) ສູງທີ່ກົງກັບໂລຫະປະສົມ Kovar, ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍສະກັດກັ້ນຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນ sintering ອຸນຫະພູມສູງແລະການ detachment micro-ຂີ້ຝຸ່ນ.

· ການກວດກາຮ່ວມກັນ ແລະທຳຄວາມສະອາດເລິກ:ສາຍການຄວບຄຸມຄຸນະພາບໄດ້ນໍາສະເຫນີລະບົບການເສີມຂອງ 'ເຄື່ອງມືວັດແທກຮູບພາບທາງ Optical + ເຄື່ອງວັດແທກການປະສານງານອັດຕະໂນມັດເຕັມຮູບແບບ (CMM)'. ການຖ່າຍຮູບ optical ສະແກນຊ່ອງຫວ່າງຂອງອາເລ 10,000 ຮູຢ່າງໄວວາ, ໃນຂະນະທີ່ CMM ກວດສອບຄວາມເລິກຂອງຂຸມ perpendicularity ແລະສະຖານທີ່ groove spatial; ສຸດທ້າຍໄດ້ເສີມດ້ວຍການທໍາຄວາມສະອາດ ultrasonic gradient ຫຼາຍຂັ້ນຕອນເພື່ອເອົາສິ່ງເສດເຫຼືອ graphite ທີ່ຕົກຄ້າງຢ່າງສິ້ນເຊີງເລິກພາຍໃນຂຸມ micro-blind, ເຖິງຄວາມສະອາດ semiconductor-grade.


6. ຄຳຖາມທີ່ຖາມເລື້ອຍໆ (FAQ)

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ການໃຫ້ຄໍາຕອບດ້ານວິສະວະກໍາແບບມືອາຊີບກ່ຽວກັບການຄັດເລືອກວັດສະດຸຕິດຕັ້ງ GTMS/CTMS, ຂີດຈໍາກັດຄວາມທົນທານຂອງຮູຈຸນລະພາກ, ແລະຊີວິດການບໍລິການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.

 

ຮູບທີ 3 - VeTek High-Precision CNC Machining Center

Q: ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງຂຸມຕໍາ່ສຸດທີ່ແລະຄວາມທົນທານສູງສຸດສໍາລັບການເຄື່ອງຈັກໃນຮູຈຸນລະພາກຂອງອຸປະກອນກາຟຟີດພິເສດທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງແມ່ນຫຍັງ?
A:VeTek ມີຄວາມສາມາດໃນການເຄື່ອງຈັກຈຸນລະພາກສໍາລັບເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງຂຸມຕ່ໍາກວ່າ 0.2 ມມ. ຄວາມທົນທານຂອງເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂຸມສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ພາຍໃນ ± 0.003 ມມ, ແລະຄວາມຮອບຕົວທີ່ແທ້ຈິງເຊັ່ນດຽວກັນກັບຄວາມທົນທານຕໍ່ຕໍາແຫນ່ງສໍາລັບ 1,500 ຮູໃນແຜ່ນດຽວສາມາດບັນລຸ ± 0.005 ມມ, ມີຄວາມພໍໃຈຢ່າງເຕັມທີ່ຂອງ pin ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ GTMS ຄວາມຕ້ອງການການຫຸ້ມຫໍ່.

ຖາມ: ເປັນຫຍັງຕ້ອງ GTMS hermetic sintering fixtures ກົງກັບ CTE ຂອງໂລຫະປະສົມ Kovar?
A:ໃນ​ລະ​ຫວ່າງ​ວົງ​ຈອນ sintering 800°C–1000°C, ຖ້າ​ຫາກ​ວ່າ CTE ຂອງ fixture ແລະ pins ໂລ​ຫະ​ບໍ່​ສອດ​ຄ່ອງ, ຄວາມ​ກົດ​ດັນ shear ທີ່​ເກີດ​ຈາກ​ການ​ຫົດ​ຕົວ​ຂອງ​ຄວາມ​ເຢັນ​ຈະ​ເຮັດ​ໃຫ້​ການ​ຍ້າຍ pin, ຮ່າງ​ກາຍ​ແກ້ວ​ແຕກ, ຫຼື​ຄວາມ​ລົ້ມ​ເຫຼວ​ປະ​ທັບ​ຕາ. ການຈັບຄູ່ CTE ທີ່ຊັດເຈນຮັບປະກັນການຂະຫຍາຍແລະການຫົດຕົວແບບ synchronized, ປັບປຸງຜົນຜະລິດ hermetic.

ຖາມ: ຂະບວນການທໍາຄວາມສະອາດ ultrasonic ຮັບປະກັນວ່າບໍ່ມີຂີ້ຝຸ່ນ graphite ຕົກຄ້າງຢູ່ໃນຮູຈຸນລະພາກເລິກແນວໃດ?
A:ພວກເຮົາໃຊ້ລະບົບການຜະລິດ ultrasonic gradient ຫຼາຍຄວາມຖີ່ລວມກັບນ້ໍາ deionized ແລະສື່ທໍາຄວາມສະອາດພິເສດ. ການນໍາໃຊ້ຜົນກະທົບ cavitation ຄວາມຖີ່ສູງ, ອະນຸພາກ graphite ລະອຽດເລິກເຂົ້າໄປໃນຮູຈຸນລະພາກແລະຮູຕາບອດໄດ້ຖືກລອກອອກຫມົດ, ປະຕິບັດຕາມໂດຍການເປົ່າໄນໂຕຣເຈນທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະການອົບແຫ້ງສູນຍາກາດເພື່ອບັນລຸການຂົນສົ່ງທີ່ສະອາດໃນລະດັບ semiconductor.


7. Summary & Engineering Support ການບໍລິການ

ໃນພາກສະຫນາມຂອງ semiconductor ແລະ microelectronics ການຫຸ້ມຫໍ່ hermetic, ຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງເຄື່ອງຈັກໃນລະດັບ micron ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງ thermodynamic ຂອງຜູ້ບັນທຸກໂດຍກົງກໍານົດຜົນຜະລິດການຫຸ້ມຫໍ່ແລະການນໍາໃຊ້ອຸປະກອນ. ອີງໃສ່ການສະສົມຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ, ແລະການຜະລິດອົງປະກອບ semiconductor ທີ່ສໍາຄັນ, VeTek ໄດ້ເອົາຊະນະອຸປະສັກການຜະລິດລະດັບອຸດສາຫະກໍາຂອງ 1,500 micro-holes ຢ່າງຫນາແຫນ້ນຢູ່ໃນ 0.01.ແຜ່ນ, ຮັບຮູ້ການຈັດສົ່ງການຜະລິດມະຫາຊົນທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ສູງຂອງ 10,000 ຂຸມ graphite fixtures ພິເສດ.

ໃນຖານະເປັນວິສາຫະກິດການຜະລິດໄດ້ສຸມໃສ່ການການພັດທະນາຂອງ CVD SiC, ການເຄືອບ TaC, Solid SiC, ແລະວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ສໍາຄັນແລະອົງປະກອບ., VeTek ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງສະຫນອງການແກ້ໄຂອຸປະກອນການປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor, ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, ແລະພາກສະຫນາມຂະບວນການອຸນຫະພູມສູງ.  ໃນເວລາດຽວກັນ, ການແກ້ໄຂຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນການຫຸ້ມຫໍ່ hermetic, sintering ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະຕໍາແຫນ່ງທີ່ຊັດເຈນ, VeTek ໃຫ້ບໍລິການວິສະວະກໍາລວມທັງ.ການຄັດເລືອກວັດສະດຸ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ, ແລະການສະຫນັບສະຫນູນການຜະລິດທີ່ກໍາຫນົດເອງ

ຖ້າທ່ານກໍາລັງຊອກຫາອົງປະກອບ graphite ທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບຂະບວນການຜະນຶກ hermetic GTMS / CTMS, ຫຼືຕ້ອງການການຈັບຄູ່ວັດສະດຸ, ການເພີ່ມປະສິດທິພາບໂຄງສ້າງ, ແລະການກວດສອບຕົວຢ່າງ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ທີມງານວິສະວະກໍາ VeTek. ພວກເຮົາຈະໃຫ້ການຊ່ວຍເຫຼືອດ້ານເຕັກນິກແບບຄົບວົງຈອນຈາກການເລືອກວັດສະດຸຈົນເຖິງການຜະລິດທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ.


ຮູບທີ 4 - ມຸມເບິ່ງພາໂນຣາມາຂອງວັດສະດຸພິເສດ VeTek R&D ແລະຖານການຜະລິດຄວາມຊັດເຈນ

ຂ່າວທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
ຝາກຂໍ້ຄວາມໃຫ້ຂ້ອຍ
X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ.ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ