Halfmoon ສໍາລັບ LPE Reaction Chamber

Halfmoon ໃນສະພາປະຕິກິລິຍາ LPE ແມ່ນຫຍັງ?

ໃນເຄື່ອງປະຕິກອນແນວນອນ LPE ຫຼາຍ, Halfmoon ແມ່ນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງສະພາການປະກອບພາຍໃນ. ຜູ້ຜະລິດອຸປະກອນທີ່ແຕກຕ່າງກັນອາດຈະໃຊ້ໂຄງສ້າງທີ່ແຕກຕ່າງກັນເລັກນ້ອຍ, ແຕ່ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວຫນ້າທີ່ແມ່ນຄ້າຍຄືກັນ. ສ່ວນປະກອບແມ່ນປົກກະຕິແລ້ວແບ່ງອອກເປັນສ່ວນເທິງແລະຕ່ໍາ:

• ເຄິ່ງເດືອນເທິງ:ພາກສ່ວນເທິງສ່ວນໃຫຍ່ເຮັດວຽກເປັນໂຄງສ້າງສະຫນັບສະຫນູນພາຍໃນເຕົາປະຕິກອນ. ເນື່ອງຈາກມັນຢູ່ໃກ້ກັບເຂດຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງເປັນເວລາດົນນານ, ວັດສະດຸຕ້ອງມີຄວາມຫມັ້ນຄົງໂດຍບໍ່ມີການຜິດປົກກະຕິທີ່ຊັດເຈນຫຼັງຈາກວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາຊ້ອນ. ຈຸດສໍາຄັນອີກຢ່າງຫນຶ່ງແມ່ນຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ. ໃນລະຫວ່າງ SiC epitaxy, ສະພາບແວດລ້ອມຫ້ອງປະກອບດ້ວຍທາດອາຍຜິດ reactive, ສະນັ້ນຫນ້າດິນ graphite ຕ້ອງໄດ້ຮັບການປົກປ້ອງຢ່າງຖືກຕ້ອງ.
• ເຄິ່ງເດືອນລຸ່ມ:ສ່ວນຕ່ໍາແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ຢູ່ໃກ້ກັບພື້ນທີ່ທໍ່ quartz ແລະການປະກອບການຫມຸນ. ມັນມີສ່ວນຮ່ວມໃນການແນະນໍາອາຍແກັສແລະການສະຫນັບສະຫນູນກົນຈັກໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial. ເມື່ອປຽບທຽບກັບພາກສ່ວນໂຄງສ້າງ graphite ທໍາມະດາ, Halfmoon ຕ່ໍາມັກຈະປະເຊີນກັບຄວາມຕ້ອງການທີ່ສູງຂຶ້ນສໍາລັບການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນເນື່ອງຈາກການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມເຢັນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນລະຫວ່າງການປະຕິບັດງານຂອງເຕົາປະຕິກອນ.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນຂອງ VETEK Halfmoon ສໍາລັບ LPE Reaction Chamber

1. ຊັ້ນຍ່ອຍ Graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ

ວັດສະດຸພື້ນຖານແມ່ນ graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການ semiconductor. ຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດສະດຸແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນໃນ SiC epitaxy ເນື່ອງຈາກວ່າການປົນເປື້ອນຂອງໂລຫະອາດຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກແລະຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ. VETEK ໃຊ້ວັດສະດຸ graphite ບໍລິສຸດທີ່ມີລະດັບ impurity ຄວບຄຸມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກນີ້.

2. Advanced CVD SiC & TaC Coating

ອົງປະກອບຂອງ Halfmoon ສ່ວນໃຫຍ່ຖືກເຄືອບດ້ວຍ CVD SiC ເພື່ອປັບປຸງການປົກປ້ອງຫນ້າດິນພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການຫຼາຍ, ການເຄືອບ TaC ຍັງມີຢູ່. ຂໍ້ດີທົ່ວໄປຂອງໂຄງສ້າງເຄືອບປະກອບມີ:

• ຄວາມຕ້ານທານທີ່ດີກວ່າກັບທາດອາຍຜິດຂະບວນການ corrosive
• ການຜະລິດອະນຸພາກຕ່ໍາ
• ປັບປຸງຄວາມທົນທານຂອງພື້ນຜິວ
• ສະຖຽນລະພາບທີ່ດີກວ່າໃນລະຫວ່າງການວົງຈອນຄວາມຮ້ອນ

ໃນ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ປະ​ຕິ​ບັດ​, ການ​ຄັດ​ເລືອກ​ການ​ເຄືອບ​ໂດຍ​ປົກ​ກະ​ຕິ​ແມ່ນ​ຂຶ້ນ​ກັບ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ reactor​, ເຄ​ມີ​ຂອງ​ຂະ​ບວນ​ການ​, ແລະ​ຊີ​ວິດ​ການ​ບໍ​ລິ​ການ​ຄາດ​ວ່າ​ຈະ​.

3. ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ

ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມການປຸງແຕ່ງ semiconductor ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, VETEK Halfmoon ຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງມິຕິແລະຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງໃນລະຫວ່າງຮອບວຽນ epitaxial ທີ່ຍາວນານ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບອຸປະກອນ LPE ແລະ MOCVD.

4. Precision CNC Machining

VETEK ມີຄວາມສາມາດໃນການເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງ CNC ຂັ້ນສູງດ້ວຍການຄວບຄຸມມິຕິລະດັບ micron, ຮັບປະກັນຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ດີກັບໂຄງສ້າງເຄື່ອງປະຕິກອນ LPE ທີ່ສັບສົນແລະຄວາມຕ້ອງການອຸປະກອນທີ່ກໍາຫນົດເອງ.

5. ຊີວິດການບໍລິການຍາວ

ໂດຍຜ່ານເທກໂນໂລຍີການຍືດຫມັ້ນຂອງການເຄືອບທີ່ດີທີ່ສຸດແລະການປຸງແຕ່ງວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ອົງປະກອບຂອງ VETEK Halfmoon ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມທົນທານທີ່ດີເລີດພາຍໃຕ້ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາຊ້ອນແລະທາດອາຍຜິດຂະບວນການ corrosive, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການບໍາລຸງຮັກສາແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການດໍາເນີນງານທັງຫມົດ.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບດ້ານວິຊາການ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

VETEK Halfmoon ສໍາລັບ LPE Reaction Chamber ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ:

• ລະບົບ epitaxy Silicon Carbide (SiC).
• ເຄື່ອງປະຕິກອນແນວນອນ LPE
• ອຸປະກອນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ semiconductor epitaxial
• ຫ້ອງຂະບວນການ CVD ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ
• ລະບົບສະຫນາມຄວາມຮ້ອນຂອງ semiconductor ຂັ້ນສູງ
• ລະບົບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ SiC
• ການຜະລິດ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ

ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາແມ່ນເຂົ້າກັນໄດ້ກັບແພລະຕະຟອມອຸປະກອນຕົ້ນຕໍໃນອຸດສາຫະກໍາຫຼາຍຮູບແບບແລະສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ຕາມຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າຫຼືເຄື່ອງປະຕິກອນສະເພາະ.

ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກ VETEK Semiconductor?

VETEK Semiconductor ໄດ້ສຸມໃສ່ອົງປະກອບ graphite semiconductor ແລະເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ນັບຕັ້ງແຕ່ປີ 2016, ບໍລິສັດໄດ້ສືບຕໍ່ພັດທະນາຄວາມສາມາດຂອງຕົນໃນການປຸງແຕ່ງການບໍລິສຸດ, ເຄື່ອງຈັກ graphite ຄວາມແມ່ນຍໍາ, ແລະການຜະລິດການເຄືອບ CVD ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ semiconductor.

ຄວາມ​ສາ​ມາດ VETEK​:

• ປະສົບການກັບອົງປະກອບ SiC epitaxy ແລະພາກສ່ວນເຄື່ອງປະຕິກອນ
• ການຜະລິດການເຄືອບ CVD SiC ແລະ TaC ພາຍໃນ
• ການຄວບຄຸມການເຮັດຄວາມສະອາດວັດສະດຸລະດັບ semiconductor
• ການຜະລິດແບບກໍາຫນົດເອງໂດຍອີງໃສ່ຮູບແຕ້ມຫຼືຕົວຢ່າງ
• ຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດທີ່ຫມັ້ນຄົງສໍາລັບຄໍາສັ່ງ batch
• ການສະຫນອງຂອງຄວາມຮູ້ສຶກ graphite ແລະວັດສະດຸພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ
• ລະບົບການຄຸ້ມຄອງຄຸນນະພາບ ISO9001
• ສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການສໍາລັບລູກຄ້າຕ່າງປະເທດ

FAQ

(1) ຫນ້າທີ່ຂອງ Halfmoon ໃນເຕົາປະຕິກອນ LPE ແມ່ນຫຍັງ?

ອົງປະກອບ Halfmoon ສະຫນັບສະຫນູນການຊີ້ນໍາການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, ການເຊື່ອມໂຍງໂຄງສ້າງສະພາ, ການຄຸ້ມຄອງອຸນຫະພູມ, ແລະການຫມຸນຂອງ susceptor ພາຍໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາ epitaxial.

(2) Halfmoon ຕິດຕໍ່ໂດຍກົງກັບ wafer ບໍ?

ປົກກະຕິບໍ່ມີ. ໃນໂຄງສ້າງເຕົາປະຕິກອນ LPE ສ່ວນໃຫຍ່, Halfmoon ຢູ່ອ້ອມຮອບສະພາການແທນທີ່ຈະສໍາຜັດກັບ wafer ໂດຍກົງ.

(3) ເປັນ​ຫຍັງ​ຈຶ່ງ​ໃຊ້ SiC ຫຼື TaC ເຄືອບ​ໃນ​ດ້ານ​?

ການເຄືອບແມ່ນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນສໍາລັບການປ້ອງກັນ. ໃນລະຫວ່າງ SiC epitaxy, ພາກສ່ວນ graphite ໄດ້ຖືກສໍາຜັດກັບອຸນຫະພູມສູງແລະທາດອາຍຜິດ reactive ເປັນເວລາດົນນານ. ການເຄືອບຊ່ວຍປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແລະຫຼຸດຜ່ອນການສວມໃສ່ຂອງພື້ນຜິວແລະການສ້າງອະນຸພາກ.

(4) ພາກສ່ວນສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ບໍ?

ແມ່ນແລ້ວ. ພາກສ່ວນ Halfmoon ສ່ວນຫຼາຍແມ່ນເຮັດຕາມໂຄງສ້າງຂອງເຕົາປະຕິກອນແລະຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າ, ເພາະວ່າຂະຫນາດແລະລາຍລະອຽດການຕິດຕັ້ງມັກຈະແຕກຕ່າງກັນລະຫວ່າງເວທີອຸປະກອນ.