ລະຫັດ QR
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
ຜະລິດຕະພັນ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ


ແຟັກ
+86-579-87223657

ອີເມວ

ທີ່ຢູ່
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, ເມືອງ Jinhua, ແຂວງ Zhejiang, ຈີນ
Porous graphiteເປັນວັດສະດຸກາກບອນທີ່ຖືກວິສະວະກໍາທີ່ມີເຄືອຂ່າຍຂອງຮູຂຸມຂົນພາຍໃນໂຄງສ້າງ graphite ຂອງມັນ. ລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນຂອງມັນປະກອບມີ porosity, pore-size distribution, permeability, bulk density and thermal properties. ໃນການຜະລິດ semiconductor, ອົງປະກອບ graphite porous ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ເລືອກໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ໃນ silicon carbide (SiC) Physical Vapor Transport (PVT) system-growth crystal-groths to support specific gas-transport and thermal-field functions. ການປະຕິບັດຂອງວັດສະດຸແມ່ນຂຶ້ນກັບຊັ້ນ graphite, ໂຄງສ້າງ pore, ຄວາມບໍລິສຸດແລະສະພາບການດໍາເນີນງານ.
ໂຄງປະກອບການ porous ຂອງ graphite
Porous Graphite ແມ່ນຜະລິດຕະພັນໂຄງສ້າງ porous ທີ່ເຮັດດ້ວຍ graphite ເປັນວັດສະດຸພື້ນຖານ. ວັດສະດຸຂອງມັນແມ່ນເຮັດດ້ວຍ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ. ຕົວກໍານົດການທາງດ້ານຮ່າງກາຍຂອງ VeTek Semiconductor Porous Graphite ແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມຂະບວນການຜະລິດແລະການນໍາໃຊ້ສະເພາະ. ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນຕົວກໍານົດການທາງດ້ານຮ່າງກາຍທົ່ວໄປ:
ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບທົ່ວໄປຂອງgraphite porous
ລໍາ
ພາລາມິເຕີ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ
0.89 g/ຊມ3
ແຮງບີບອັດ
8.27 MPa
ແຮງບິດ
8.27 MPa
ຄວາມແຮງ tensile
1.72 MPa
ຄວາມຕ້ານທານສະເພາະ
130Ω-inX10-5
ຮູຂຸມຂົນ
50%
ຂະຫນາດຂອງຮູຂຸມຂົນສະເລ່ຍ
70um
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ
12W/M*K
Porous Graphite ແມ່ນເຮັດດ້ວຍ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະມີການປະຕິບັດໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງ, ສະຖຽນລະພາບທາງເຄມີແລະລັກສະນະອື່ນໆ. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາການປຸງແຕ່ງ semiconductor.
ໃນຂະບວນການປຸງແຕ່ງ semiconductor, Porous Graphite ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນລັກສະນະດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
ປະສົມປະສານກັບການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີຂອງ Porous Graphite ເຊັ່ນ: ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ທີ່ດີກັບສານເຄມີສ່ວນໃຫຍ່ເຊັ່ນ: ອາຊິດ, ເປັນດ່າງ, ແລະ solvents, Porous Graphite ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນ sintering ອຸນຫະພູມສູງແລະອຸປະກອນການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນ. ຕົວຢ່າງເຊັ່ນ, Porous Graphite ສາມາດນໍາໃຊ້ເປັນຊັ້ນ, ອຸປະກອນ insulation ຫຼືອຸປະກອນສະຫນັບສະຫນູນສໍາລັບ furnace ອຸນຫະພູມສູງ.
ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ,
SiC Crystal Growth Porous Graphite Componentມີການນໍາໃຊ້ໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດແລະສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນເພື່ອສະຫນອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບແລະຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າທີ່ຫມັ້ນຄົງ. ດັ່ງນັ້ນ, ຜະລິດຕະພັນນີ້ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນຂະບວນການແຜ່ກະຈາຍຫຼືການຜຸພັງຂອງການປຸງແຕ່ງ semiconductor ເປັນແຫຼ່ງການແຜ່ກະຈາຍຫຼືອຸປະກອນ electrode.
ໂຄງສ້າງ porous ຂອງ Graphite ສາມາດກັ່ນຕອງແລະຊໍາລະອາຍແກັສທີ່ໃຊ້ໃນການປຸງແຕ່ງ semiconductor, ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກທີ່ເປັນໄປໄດ້, ແລະຮັບປະກັນຄວາມສະອາດສູງໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງ. ດ້ວຍໂຄງສ້າງ porous ແລະການ permeability ອາກາດທີ່ດີ, ພາກສ່ວນ Porous Graphite ຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນພື້ນຖານແລະ fixture ໃນລະບົບການດູດຊຶມສູນຍາກາດເພື່ອແກ້ໄຂ wafers ຫຼືອົງປະກອບອື່ນໆໂດຍຜ່ານການ adsorption ສູນຍາກາດປະສິດທິພາບ.
ໂດຍການປັບຂະບວນການ sintering ຂອງ graphite, VeTek Semiconductor ສາມາດປັບແຕ່ງວັດສະດຸ graphite porous ທີ່ມີຂະຫນາດ pore ທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະ porosities ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.
Porous Graphite SiC Crystal Growth Porous Graphite ສາມກີບດອກ Graphite Crucible
ໃນຄວາມເປັນຈິງ, VeTek Semiconductor ມີຕໍາແຫນ່ງຊັ້ນນໍາຂອງຕະຫຼາດຢ່າງແທ້ຈິງໃນຕະຫຼາດ graphite susceptor ເຄືອບ sic ຂອງຈີນ, ຕະຫຼາດ graphite crucible ເຄືອບ tac ແລະຕະຫຼາດຖາດ graphite ເຄືອບ silicon carbide. VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດຈີນມືອາຊີບ, ຜູ້ສະຫນອງ, ໂຮງງານຜະລິດຜະລິດຕະພັນ Graphite ພິເສດ, ເຊັ່ນ:SiC Crystal Growth Porous Graphite, ການເຄືອບຄາບອນ Pyrolytic, ການເຄືອບຄາບອນ Vitreous, Isotropic Graphite, Siliconized Graphiteແລະແຜ່ນ Graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ. ພວກເຮົາມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະສະຫນອງການແກ້ໄຂຂັ້ນສູງສໍາລັບຜະລິດຕະພັນ Graphite ພິເສດຕ່າງໆສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.
ຖ້າທ່ານມີຄໍາຖາມໃດໆຫຼືຕ້ອງການລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ, ກະລຸນາຢ່າລັງເລທີ່ຈະຕິດຕໍ່ກັບພວກເຮົາ.
Mob/WhatsAPP: +86-180 6922 0752
ອີເມວ: anny@veteksemi.com
+86-579-87223657
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, ເມືອງ Jinhua, ແຂວງ Zhejiang, ຈີນ
ສະຫງວນລິຂະສິດ © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. ສະຫງວນລິຂະສິດທັງໝົດ.
Links | Sitemap | RSS | XML | ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ |