ສາມ-petal graphite crucible

ວິທີການຊິລິໂຄນສາມຢ່າງຂອງ veteal semetenonductor ສໍາລັບຂະບວນການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງ Silicon monocrystalline ໂດຍວັດຖຸດິບສາມກີບແມ່ນເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸ Grassic Graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ. ໂດຍຜ່ານໂຄງສ້າງສາມກີບທີ່ມີນະວັດຕະກໍາ, ແບບເຂັ້ມແຂງແບບປະສົມປະສານແບບດັ້ງເດີມ, ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຄວາມຮ້ອນແລະມີແສງສະປາຮ້ອນ, ແລະມີທົ່ງຫຍ້າທີ່ມີ semiconductor ແລະພື້ນທີ່ຜະລິດຕະພັນທີ່ສູງ.

ຈຸດເດັ່ນຂອງຂະບວນການຫຼັກ

1. ເຕັກໂນໂລຍີປຸງແຕ່ງກຣາຟເວີທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດ

ຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດສະດຸ: ການນໍາໃຊ້ຊັ້ນວາງທີ່ມີຄວາມກົດດັນດ້ວຍເນື້ອໃນຂີ້ເຖົ່າ <5ppm ຖ້າຕ້ອງການແລະພິເສດ

ຄວາມເຂັ້ມແຂງດ້ານໂຄງສ້າງ: ຫຼັງຈາກທີ່ເປັນຮູບພາບໃນເວລາ 2200 ℃, ຄວາມເຂັ້ມແຂງໂຄ້ງແມ່ນ≥45mpa, ແລະຕົວຄູນຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນ≤4.6℃4.6℃

ການບໍາບັດພື້ນຜິວ: ການເຄືອບກາກບອນ pyrolytic 10 -15μmແມ່ນຝາກໂດຍຂັ້ນຕອນ CVD ເພື່ອປັບປຸງຄວາມຕ້ານທານການຜຸພັງ (ການສູນເສຍນ້ໍາຫນັກ<,100h@100h@100h@1600℃).

2. ການອອກແບບໂຄງສ້າງປະດິດສ້າງສາມກີບດອກ

ການປະຊຸມແບບໂມດ໌: 120 °ໂຄງສ້າງສາມແສເກ່ຍ, ການຕິດຕັ້ງແລະປະສິດທິພາບໃນການຕັດສິນໃຈເພີ່ມຂຶ້ນ 300%

ການອອກແບບປົດປ່ອຍ: ໂຄງສ້າງການແບ່ງປັນການແບ່ງປັນມີປະສິດຕິຜົນຢ່າງມີປະສິດທິຜົນແລະຂະຫຍາຍຊີວິດການໃຫ້ບໍລິການເປັນຫຼາຍກ່ວາ 200 ຮອບວຽນ

ຄວາມເຫມາະສົມທີ່ເຫມາະສົມ: ຊ່ອງຫວ່າງລະຫວ່າງວາວແມ່ນ <0.1 ມມ, ແລະອຸນຫະພູມສູງກາວເຮັດໃຫ້ເກີດການຮົ່ວໄຫຼຂອງ ZERO

3. ບໍລິການປຸງແຕ່ງທີ່ກໍາຫນົດເອງ

ສະຫນັບສະຫນູນφ16 "-φ40 "40" ປັບແຕ່ງເຕັມຂະຫນາດ, ຄວບຄຸມຄວາມທົນທານຕໍ່ກໍາແພງຄວາມຫນາ± 0.5 ມມ

ໂຄງສ້າງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ gradient 1.83g / cm³ສາມາດເລືອກໄດ້ເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບໃນການແຈກຢາຍສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ

ໃຫ້ຂະບວນການເພີ່ມມູນຄ່າເຊັ່ນ: ການເຄືອບທາດ boron nitride & rhenium

ສະຖານະການການນໍາໃຊ້ແບບປົກກະຕິ

ອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic

ການຜະລິດຊິລິໂຄນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ: ເຫມາະສໍາລັບການຜະລິດຊິລິໂຄນຂະຫນາດໃຫຍ່ G12, ສະຫນັບສະຫນູນຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດ≥500kg

ແບດເຕີລີ່ TopCon Not TopCon: ການອົບພະຍົບທີ່ມີຄວາມບົກຜ່ອງດ້ານ Ultra-Latid ຮັບປະກັນຊີວິດຊົນເຜົ່າ> 2ms

ການຍົກລະດັບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ: ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບ Model Crystary Crystal Smallenge (PVI, Ferrotec, ແລະອື່ນໆ)

ການຜະລິດ semiconductor

ການຂະຫຍາຍຕົວ Silicon Silicon Semiconstalline ທີ່ມີອາຍຸ 8-12 ນິ້ວ: ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການດ້ານຄວາມສະອາດຊັ້ນເຄິ່ງ

ໄປເຊຍກັນ doped ພິເສດ: ການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນຂອງ Boron / ຄວາມເປັນໄປໄດ້ phosphorus

semicondoration ລຸ້ນທີສາມ: ຂັ້ນຕອນການກະກຽມ SIC SIC ທີ່ເຂົ້າກັນໄດ້

ພາກສະຫນາມຄົ້ນຄ້ວາວິທະຍາສາດ

ການຄົ້ນຄວ້າແລະການພັດທະນາຂອງແສງຊິໂນ Silicon ບາງໆສໍາລັບຈຸລັງແສງອາທິດຊ່ອງ

ການທົດສອບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງວັດສະດຸ Crystal Crystal (Germanium, Gallium Arsenide)

ຈໍາກັດການຄົ້ນຄວ້າຂອງພາລາມິເຕີ (3000 ℃ການທົດລອງອຸນຫະພູມສູງທີ່ສຸດໃນອຸນຫະພູມສູງສຸດ)

ລະບົບການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ

ການຢັ້ງຢືນລະບົບຄູ່ ISO 9001/14001

ສະຫນອງບົດລາຍງານການທົດສອບວັດສະດຸສໍາລັບລູກຄ້າ (ການວິເຄາະການປະກອບ XRD, SEM microstructure)

ລະບົບການຕິດຕາມຂະບວນການທັງຫມົດ (ເຄື່ອງຫມາຍເລເຊີ + Laserchain Storage)