ການເຄືອບ TaC: ຜູ້ຮັກສາປະຕູຂອງຜົນຜະລິດສໍາລັບ 8 ນິ້ວ Silicon Carbide PVT Epitaxy

ການຫັນປ່ຽນ SiC 8 ນິ້ວແມ່ນສິ້ນສຸດລົງ. ການແຂ່ງຂັນຜົນຜະລິດໄດ້ເລີ່ມຂຶ້ນແລ້ວ

ຂໍ້ສະຫຼຸບທີ່ສໍາຄັນ: ໃນຍຸກ 8 ນິ້ວ, ຄວາມໄດ້ປຽບໃນການແຂ່ງຂັນມາs ຈາກຜົນຜະລິດຕໍ່ furnace, ແລະຜົນຜະລິດແມ່ນການຕັດສິນໃຈໂດຍສິ່ງທີ່ເກີດຂື້ນໃນເຂດຮ້ອນ - ດົນນານກ່ອນທີ່ການປຸງແຕ່ງ wafer ຈະເລີ່ມຕົ້ນ.

ສອງປີທີ່ຜ່ານມາ, SiC 8 ນິ້ວແມ່ນສະໄລ້ແຜນທີ່ເສັ້ນທາງ. ມື້ນີ້ມັນເປັນຄວາມເປັນຈິງຂອງຕະຫຼາດ. ຫຼາຍກວ່າ 20 ບໍລິສັດກໍາລັງສ້າງຫຼືວາງແຜນສາຍ SiC 8 ນິ້ວໃນປີ 2025, ແລະຢ່າງຫນ້ອຍອີກແປດໄດ້ເຂົ້າຮ່ວມໃນເຄິ່ງທໍາອິດຂອງປີ 2026. ລາຍໄດ້ຂອງອຸປະກອນ 8 ນິ້ວຂອງ Wolfspeed ເພີ່ມຂຶ້ນ 103% ໃນປີ 2025. Semixlab Technology ຄາດວ່າການຂົນສົ່ງ 8 ນິ້ວຈະເຕີບໂຕ 500-800% ໃນປີນີ້. ໃນປີ 2028, ນັກວິເຄາະອຸດສາຫະກໍາຄາດວ່າ wafers 8 ນິ້ວຈະຂາຍອອກ 6 ນິ້ວ, ຕະຫຼາດ SiC ບັນລຸເຖິງ 10 ຕື້ໂດລາສະຫະລັດ.

TrendForce ອະທິບາຍອຸດສາຫະກໍາທີ່ເຂົ້າສູ່ໄລຍະການຍ່ອຍອາຫານ 2-3 ປີ - ຄວາມອາດສາມາດ 6 ນິ້ວອາດຈະເກີນ, ແຕ່ຄວາມອາດສາມາດ 8 ນິ້ວທີ່ມີຜົນຜະລິດສູງຍັງຂາດແຄນ. ຜົນຜະລິດ, ບໍ່ແມ່ນຄວາມສາມາດ, ໃນປັດຈຸບັນແມ່ນ moat ໄດ້. ແລະຜົນຜະລິດມີທີ່ຢູ່: ເຂດຮ້ອນຂອງ furnace ໄດ້.

ເປັນຫຍັງ 8-Inch SiC Wafer Yield hits the Wall at the Susceptor

ກະແຈສະຫຼຸບs: ການສູນເສຍຜົນຜະລິດ 8 ນິ້ວທີ່ບໍ່ໄດ້ອະທິບາຍຫຼາຍທີ່ສຸດແມ່ນບັນຫາດ້ານຄວາມຮ້ອນໃນການປອມຕົວ - ແລະພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນແມ່ນມີຄວາມຫມັ້ນຄົງເທົ່າກັບການເຄືອບປ້ອງກັນ graphite.

ເສດຖະກິດຂອງການເຄື່ອນໄຫວ 8 ນິ້ວແມ່ນງ່າຍດາຍ: ປະມານ 78% ພື້ນທີ່ wafer ນໍາໃຊ້ຫຼາຍຕໍ່ໄປເຊຍກັນ. ຟີຊິກແມ່ນໃຫ້ອະໄພຫນ້ອຍ. ການຂະຫຍາຍຮາດແວ graphite ເປັນ 200 ມມ ຂະຫຍາຍສາມໂຫມດຄວາມລົ້ມເຫຼວທີ່ບໍ່ໄດ້ລົງທະບຽນຢູ່ທີ່ 6 ນິ້ວ:

·Susceptor warpage. ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາໃນທົ່ວພາກສ່ວນ graphite 200 ມມເຮັດໃຫ້ການຜິດປົກກະຕິຂອງກ້ອງຈຸລະທັດ. ຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງຂອບ - ຕົວຂ້າຜົນຜະລິດທີ່ເດັ່ນຊັດໃນເສັ້ນ 8 ນິ້ວໃນປະຈຸບັນ - ຕິດຕາມກັບ warpage ນີ້ເລື້ອຍໆກ່ວາຄຸນນະພາບຂອງຜົງດິບ.

· ການລອຍຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນ. ເຄື່ອງຕິດຕັ້ງທີ່ເສື່ອມໂຊມບໍ່ສາມາດຮັກສາອຸນຫະພູມທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນທົ່ວ crucible ທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ. ໄປເຊຍກັນເຫັນພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ເຄື່ອນທີ່, ແລະຫນ້າການຂະຫຍາຍຕົວຕອບສະຫນອງກັບຄວາມກົດດັນແລະຂໍ້ບົກພ່ອງ.

· ການປົນເປື້ອນຊ້າ. ແຄມເປນ 8 ນິ້ວແລ່ນໄວຂຶ້ນ ແລະດົນກວ່າ. ທຸກໆ microgram ຂອງ impurity ການປ່ອຍສ່ວນ graphite ພາຍໃຕ້ການປົກປ້ອງກາຍເປັນ micropipes, pits etch, ແລະ dislocations - ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ boule ຂາຍໄດ້ແລະຂູດ.

ບໍ່ມີສິ່ງເຫຼົ່ານີ້ສະແດງຢູ່ໃນບົດລາຍງານການກວດກາ wafer ເປັນ "ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ fixture." ພວກເຂົາເຈົ້າສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງການສູນເສຍຜົນຜະລິດໂດຍບໍ່ມີສາເຫດທີ່ຊັດເຈນ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາແພງ.

ການເຄືອບ TaC ທຽບກັບ SiC Coating: ສິ່ງທີ່ປ່ຽນແປງຂ້າງເທິງ 1,600°C

ກະແຈບົດສະຫຼຸບ: ສູງກວ່າ 1,600°C, TaC ບໍ່ແມ່ນການຍົກລະດັບຊັ້ນນໍາຫຼາຍກວ່າການເຄືອບ SiC — ມັນເປັນພຽງແຕ່ເຄມີການເຄືອບທີ່ຖືເສັ້ນກ່ຽວກັບຄວາມບໍລິສຸດແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງມິຕິສໍາລັບແຄມເປນ 8 ນິ້ວເຕັມ.

ການເຄືອບ SiC ໃນ graphite ໄດ້ຮັບສະຖານທີ່ຂອງພວກເຂົາໃນຊິລິໂຄນ epitaxy ແລະຂະບວນການອຸນຫະພູມປານກາງ. ແຕ່ການເຕີບໂຕຂອງ PVT ຢູ່ທີ່ 2,200-2,400 ° C ແລະອຸນຫະພູມສູງ MOCVD ຍູ້ໄຟເຂົ້າໄປໃນລະບອບທີ່ເຄມີການເຄືອບ SiC ເຮັດວຽກຕໍ່ກັບທ່ານ:

· ສູງກວ່າປະມານ 1,600 ອົງສາເຊ, ການເຄືອບ SiC ປະຕິກິລິຍາກັບໄຮໂດເຈນ, ຂັບໄລ່ແກັສກາໄຣຟ໌ ແລະຂໍ້ບົກພ່ອງທາງລຸ່ມ.

· ອັດຕາການກັດກ່ອນຂອງ TaC ແລ່ນປະມານ6 × ຕ່ໍາກວ່າການເຄືອບ SiC ໃນ ammonia ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະຫຼາຍກ່ວາ 10 × ຕ່ໍາໃນ hydrogen ອຸນຫະພູມສູງ.— ສອງບັນຍາກາດທີ່ຄອບຄຸມຫ້ອງການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ທັນສະໄຫມ

· ພາກສ່ວນທີ່ເຄືອບ SiC ລອດຊີວິດໄດ້ຫຼາຍສິບຮອບວຽນຄວາມຮ້ອນ, ການເຄືອບ TaC ລອດຊີວິດໄດ້ຫຼາຍຮ້ອຍຄົນ

Tantalum carbide ແມ່ນອຸປະກອນປະຕິບັດພຽງແຕ່ທີ່ນໍາເອົາສິ່ງທັງຫມົດນີ້ໄປຫາຕາຕະລາງໃນເວລາດຽວ

ວິທີການ TaC-Coated Graphite Parts ຈ່າຍສໍາລັບຕົນເອງໃນການຂະຫຍາຍຕົວ PVT

ຂໍ້ສະຫຼຸບທີ່ສໍາຄັນ: ເຂດຮ້ອນທີ່ທົນທານຕໍ່ຍາວນານບໍ່ແມ່ນການປະຫຍັດການບໍາລຸງຮັກສາ - ມັນຖືກຟື້ນຕົວຄືນໃນເວລາ furnace, crystals ຟື້ນຕົວ, ແລະສົ່ງຜົນໃຫ້ຄູ່ແຂ່ງຂອງທ່ານສູນເສຍໃນຂະນະທີ່ furnaces ເປີດ.

ການໂຕ້ຖຽງເງິນແມ່ນ blunt. ການເປີດເຕົາໄຟໃນຕົ້ນໆສໍາລັບການບໍາລຸງຮັກສາຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຕິດຕັ້ງ, ໄລຍະເວລາຂຶ້ນ, ພື້ນທີ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ສະຖຽນລະພາບຄືນໃຫມ່, ແລະສິ່ງໃດກໍ່ຕາມທີ່ຄິດຕັນແມ່ນການຂະຫຍາຍຕົວໃນລະດັບກາງ. ການວິເຄາະອຸດສາຫະກໍາເຮັດໃຫ້ການທົດແທນອຸປະກອນໃນທຸກໆ 50-200 ຮອບວຽນການຂະຫຍາຍຕົວ, ແລະສັງເກດວ່າຜູ້ສະຫນອງການເຄືອບ TaC ຫນ້ອຍກວ່າ 10 ທີ່ມີຄຸນວຸດທິມີຢູ່ໃນທົ່ວໂລກ - ເຫດຜົນຫນຶ່ງຜູ້ຜະລິດ wafer ມີຄຸນສົມບັດທີ່ສອງຢ່າງຫ້າວຫັນ.

ຂໍ້ມູນພາກສະໜາມສະແດງໃຫ້ເຫັນສິ່ງທີ່ລະບົບ TaC ທີ່ເຂັ້ມແຂງສົ່ງໃຫ້:

· ໃນການບໍລິການ PVT ຢູ່ SiCrystal (ກຸ່ມ Rohm), ອົງປະກອບກຼາຟຟິກທີ່ເຄືອບ CVD TaC ແລະການເຄືອບຄາບອນ pyrolytic ໄດ້ຂະຫຍາຍການໃຊ້ crucible ຄືນໃໝ່ເຖິງ 200 ຊົ່ວໂມງດ້ວຍການສູນເສຍນ້ໍາຫນັກທີ່ອຸນຫະພູມສູງສູນ, ແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ micropipe ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ etch-pit.

· ໃນ GaN/SiC epitaxy, ເຄື່ອງຕິດທີ່ເຄືອບ TaC ໄດ້ສົ່ງ 2–3× ອາຍຸການທຽບເທົ່າ SiC-coated.

· ໃນປັດຈຸບັນໂຄງການຂອງຈີນໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນຊິ້ນສ່ວນທີ່ເຄືອບ TaC ເກີນ 600 ຊົ່ວໂມງຂອງຊີວິດການບໍລິການ - ພື້ນຖານການສະຫນອງໄດ້ຍ້າຍອອກໄປໃນຄວາມຢາກຮູ້ຂອງຫ້ອງທົດລອງ.

ຮູບແບບແມ່ນສອດຄ່ອງ: ເມື່ອເຂດຮ້ອນຄົງທີ່, ຜົນຜະລິດດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້. ໃນເວລາທີ່ມັນບໍ່, ບໍ່ມີຈໍານວນຂອງການປັບ downstream ຟື້ນຕົວການສູນເສຍ.

ວິທີການຮັບຮອງຜູ້ສະຫນອງການເຄືອບ TaC ສໍາລັບ 8-Inch SiC Epitaxy

ຂໍ້ສະຫຼຸບທີ່ສໍາຄັນ: ມີຄຸນສົມບັດໃນຫຼັກຖານທີ່ສາມາດກວດສອບໄດ້ - ບົດລາຍງານຄວາມບໍລິສຸດຫຼາຍລະດັບ, ຂໍ້ມູນການຜູກມັດ, ແລະເວທີອຸປະກອນທີ່ມີຊື່ - ບໍ່ເຄີຍຢູ່ໃນເອກະສານຂໍ້ມູນຢ່າງດຽວ.

ເຄື່ອງດູດ 8 ນິ້ວບໍ່ແມ່ນສ່ວນ 6 ນິ້ວທີ່ຂະຫຍາຍໄດ້. ພື້ນທີ່ເຄືອບທີ່ໃຫຍ່ກວ່າຈະຂະຫຍາຍທຸກສິ່ງທ້າທາຍໃນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ການຍຶດເກາະ, ຄວາມດັນຄວາມຮ້ອນ, ສົງຄາມ, ແລະການປ່ອຍອະນຸພາກ. ກ່ອນທີ່ທ່ານຈະມອບສາຍການຜະລິດໃຫ້ກັບຜູ້ສະຫນອງ, ໃຫ້ກົດໃສ່ຫ້າຈຸດ:

1. capabil ຮູບແບບຂະຫນາດໃຫຍ່ມັນy, proven not projected. ຖາມວ່າເສັ້ນຜ່າສູນກາງໃດທີ່ພວກເຂົາເຄືອບໃນການຜະລິດ, ບໍ່ແມ່ນຢູ່ໃນຫຼັກການ. ສິ່ງອໍານວຍຄວາມສະດວກໃນການເຄືອບເຖິງ Ø750 ມມ ຮັກສາຮາດແວ 8 ນິ້ວໄດ້ດີພາຍໃນປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການ; Ø200 ມມຢູ່ຂອບຂອງຄວາມສາມາດຂອງຜູ້ສະຫນອງແມ່ນມີຄວາມສ່ຽງທີ່ທ່ານຈະຈ່າຍໃນພາຍຫລັງ.

2. ຂໍ້ມູນຄວາມບໍລິສຸດທີ່ທ່ານສາມາດ audມັນ. ຮ້ອງຂໍລາຍງານ GDMS ແລະ D-SIMS ກ່ຽວກັບຈໍານວນຕົວຈິງ. CVD TaC ທີ່ດີທີ່ສຸດໃນຊັ້ນຮຽນທີ່ດີທີ່ສຸດແລ່ນຢູ່ທີ່ຄວາມບໍລິສຸດ 99.99953%, ມີອົງປະກອບຂອງການປ່ຽນແປງ (Fe, Ni, Cu) ຕ່ໍາກວ່າ 1 ppm.

3. ການຍຶດເກາະຕ້ອງການ. ເທກໂນໂລຍີ Buffer-layer ທີ່ມີຄວາມແຮງຜູກມັດສູງກວ່າ 3 MPa ແລະ CTE ທີ່ຈັບຄູ່ກັບ graphite ແມ່ນສິ່ງທີ່ຢຸດການ delamination ໃນທົ່ວຫຼາຍຮ້ອຍຮອບວຽນຂອງສະພາບແວດລ້ອມຫາ 2,300 ° C. ການເຄືອບທີ່ປອກເປືອກໃນເວລາແລ່ນ 40 ແມ່ນຮ້າຍແຮງກວ່າທີ່ບໍ່ມີການເຄືອບ.

4. ການຄຸ້ມຄອງຄວາມສອດຄ່ອງກ່ຽວກັບເລຂາຄະນິດທີ່ແທ້ຈິງ. ຊັ້ນ 30–40 μm ເອກະພາບຕ້ອງຖືຜ່ານຕົວອ່ອນຂອງດາວເຄາະ, ການປົກຫຸ້ມ, ວົງແຫວນ, ແລະພາກສ່ວນເຄິ່ງດວງ - ບໍ່ພຽງແຕ່ຄູປອງທົດສອບແບບຮາບພຽງ.

5. ປະຫວັດການຜະລິດy ສຸດເຄື່ອງ​ມື​ຂອງ​ທ່ານ​. ປະສົບການພາກສະຫນາມກ່ຽວກັບ AIXTRON G5/G10, LPE, ASM, ແລະເວທີ PVT ຊັ້ນນໍາ, ສະຫນັບສະຫນູນໂດຍ 3 μm-class machining ແລະ in-house GDMS, SEM, XRD, ແລະການທົດສອບ scratch, ບອກທ່ານວ່າຜູ້ສະຫນອງໄດ້ແກ້ໄຂບັນຫາທີ່ທ່ານກໍາລັງຈະພົບແລ້ວ.

ບົດສະຫຼຸບ

ການຫັນປ່ຽນ 8 ນິ້ວໃຫ້ລາງວັນແກ່ບໍລິສັດທີ່ປະຕິບັດຕໍ່ວັດສະດຸພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນເປັນຍຸດທະສາດ. ຜູ້ຜະລິດ substrate ລາຍງານຜົນຜະລິດທີ່ justify capex ຂອງເຂົາເຈົ້າແມ່ນຜູ້ທີ່ເຂດຮ້ອນຢູ່ຄົງທີ່ສໍາລັບຫຼາຍຮ້ອຍຊົ່ວໂມງ; ຄົນທີ່ປະຕິບັດຕໍ່ຮາດແວທີ່ເຄືອບເປັນລາຍການຊື້ແມ່ນຜູ້ທີ່ເບິ່ງແຜນທີ່ຂອບ.

ທີ່ VeTek Semiconductor, ພວກເຮົາຜະລິດCVD TaC-coated graphite ອົງປະກອບ- ແຜ່ນຮອງດາວເຄາະ ແລະ wafer, ການປົກຫຸ້ມຂອງ susceptor, crucibles, ແລະ porous TaC ສໍາລັບການຄວບຄຸມ sublimation — ທີ່ 99.99953% ຄວາມບໍລິສຸດການເຄືອບ, > 3 MPa ຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງພັນທະບັດ, ການປົກຫຸ້ມຂອງ conformal 30-40 μm, ແລະຄວາມສາມາດໃນການເຄືອບສູງເຖິງ Ø750 ມມ. ພາກສ່ວນຂອງພວກເຮົາດໍາເນີນການໃນການຜະລິດໃນເວທີ AIXTRON, LPE, ແລະ ASM, ແລະໄດ້ສົ່ງ crucible 200 ຊົ່ວໂມງ reuse ໃນການບໍລິການ PVT corrosion ສູງທີ່ບໍລິສັດ substrate Rohm Group. ທຸກໆພາກສ່ວນສົ່ງກັບ GDMS/D-SIMS traceability ຈາກສູນ R&D ສອງບ່ອນທີ່ການລົງທຶນ R&D ເກີນ 30% ຂອງລາຍໄດ້ປະຈໍາປີ.

ອົງປະກອບທີ່ມີຄຸນສົມບັດສໍາລັບ ramp 8 ນິ້ວ, ຫຼືຊອກຫາແຫຼ່ງທີສອງເພື່ອທໍາລາຍຄວາມສ່ຽງຕ່ອງໂສ້ການສະຫນອງເຂດຮ້ອນຂອງທ່ານ?ຕິດຕໍ່ທີມງານວິສະວະກໍາຂອງພວກເຮົາສໍາລັບການປະເມີນຕົວຢ່າງກ່ຽວກັບ furnace ແລະຕົວກໍານົດການຂະບວນການຂອງທ່ານ. ພາກສ່ວນມາດຕະຖານສົ່ງມາຈາກຫຼັກຊັບ; ພາກສ່ວນທີ່ກໍາຫນົດເອງໂດຍປົກກະຕິຈັດສົ່ງໃນ 3-6 ອາທິດ.

FAQ

Q1:ການເຄືອບ TaC ສາມາດທົນກັບອຸນຫະພູມໃດ?

Tantalum carbide melts ຢູ່​ທີ່​ປະ​ມານ 3,880°C — ທີ່​ສູງ​ທີ່​ສຸດ​ຂອງ carbides binary ທັງ​ຫມົດ​. ໃນການຜະລິດ, ອົງປະກອບກຣາຟທີ່ເຄືອບ TaC ໃຫ້ບໍລິການຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຢູ່ທີ່ 2,300–2,600 ອົງສາ C ໃນບັນຍາກາດ H₂ ແລະ NH₃ corrosive.

Q2:Hເຮືອກາໄບທີ່ເຄືອບ TaC ດົນນານໃນການເຕີບໂຕຂອງ PVT ບໍ?

ຜົນໄດ້ຮັບໃນພາກສະຫນາມເອກະສານສາມາດບັນລຸ 200 ຊົ່ວໂມງຂອງ crucible reuse ກັບສູນການສູນເສຍນ້ໍາອຸນຫະພູມສູງ, ແລະໂຄງການຊັ້ນນໍາໄດ້ເກີນ 600 ຊົ່ວໂມງຂອງຊີວິດການບໍລິການການເຄືອບ. ໄລຍະການທົດແທນແບບປົກກະຕິແລ່ນ 50-200 ຮອບວຽນການຂະຫຍາຍຕົວຂຶ້ນກັບຂະບວນການ.

Q3:ຂ້ອຍຄວນເລືອກ TaC ໃນໄລຍະການເຄືອບ SiC ເມື່ອໃດ?

ຕໍ່າກວ່າ 1,600 ອົງສາ C, ການເຄືອບ SiC ຍັງຄົງເປັນທາງເລືອກທີ່ດີ, ປະຫຍັດ. ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຜລຶກ SiC PVT ແລະ MOCVD epitaxy ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ - ບ່ອນທີ່ hydrogen ແລະ ammonia ໂຈມຕີ fixture - ອັດຕາການກັດກ່ອນຂອງ TaC 6–10 × ແລະຊີວິດການຂີ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ຍາວກວ່າເຮັດໃຫ້ມັນເປັນການຕັດສິນໃຈດ້ານວິສະວະກໍາທີ່ປອດໄພກວ່າ.

ເອກະສານອ້າງອີງ:

1. Wolfspeed. "ບົດລາຍງານປີງົບປະມານ 2025 - ການເຕີບໂຕຂອງລາຍໄດ້ຂອງອຸປະກອນໃນຕະຫລາດຈີນ 8 ນິ້ວ." 2025.

2. TrendForce. "ບົດລາຍງານການວິເຄາະຕະຫຼາດອຸປະກອນພະລັງງານ SiC ທົ່ວໂລກ 2026." ລາຍງານສະບັບເລກທີ RP260401AC, 2026.

3. ເຕັກໂນໂລຊີປັດຈຸບັນ. "ການເຄືອບ TaC ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ Semiconductor ອຸນຫະພູມສູງ." ເອກະສານຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການ, 2025.

ວິສະວະກອນ Nickwu ມີປະສົບການ 15 ປີໃນ R&D ຂອງການເຄືອບ CVD ແລະວັດສະດຸເຂດຮ້ອນທີ່ມີຄາບອນ. ລາວໄດ້ນໍາພາໂຄງການແນະນໍາການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ສໍາລັບອົງປະກອບ graphite ເຄືອບ TaC ທໍາອິດຂອງຈີນທີ່ໃຊ້ໃນ 8 ນິ້ວ SiC epitaxy. ລາວໄດ້ເຂົ້າຮ່ວມໃນການອອກແບບເຂດຮ້ອນຈໍານວນຫລາຍແລະໂຄງການການວິເຄາະຄວາມລົ້ມເຫຼວສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ແລະຖືສິດທິບັດປະດິດສ້າງເຈັດທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບວັດສະດຸເຂດຮ້ອນ.