ອາລູມີນຽມ Nitride (AlN) Wafers

1. ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ & ຂໍ້ໄດ້ປຽບ

• Ultra-wide bandgap ≈ 6.2 eV — ສູງທີ່ສຸດໃນບັນດາວັດສະດຸ semiconductor ຫຼັກ

• ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ ≈ 320 W/m·K ສໍາລັບການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ມີປະສິດທິພາບ

• ການສນວນກັນໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດ (>10¹³ Ω·ຊມ) ແລະພື້ນທີ່ການທໍາລາຍສູງ (12–15 MV/ຊມ)

• ເສັ້ນດ່າງທີ່ດີ ແລະ ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ກົງກັນກັບ GaN — ເໝາະສຳລັບໂຄງສ້າງ GaN-on-AlN heterostructures

• ທາງເລືອກຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ dislocation ຕ່ໍາທີ່ມີການຄວບຄຸມ HR-XRD rocking-curve ທີ່ໃກ້ຊິດ

• Al-face CMP (Ra ≤ 0.5 nm) ແລະ N-face MP ສໍາລັບຫນ້າດິນທີ່ກຽມພ້ອມ.

• ຫຼາຍຂະຫນາດແລະຊັ້ນຮຽນທີ່ມີຄຸນນະພາບ (P / R / D) ເພື່ອໃຫ້ກົງກັບຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດແລະການຄົ້ນຄວ້າ

2. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

• ອຸປະກອນ RF ພະລັງງານສູງສໍາລັບການສື່ສານ radar ແລະ 6G

• ໄຟຟ້າແຮງດັນສູງສໍາລັບຕາຂ່າຍໄຟຟ້າ, ສູນຂໍ້ມູນ, ແລະຍານພາຫະນະໄຟຟ້າ

• ໄຟ LED ເລິກ ultraviolet (UVC) ແລະ laser diodes

• ການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial GaN-on-AlN ແລະອຸປະກອນ heterostructure ກ້າວຫນ້າ

• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ສູງ​, ຄວາມ​ຖີ່​ສູງ​, ແລະ​ສະ​ພາບ​ແວດ​ລ້ອມ harsh ອົງປະກອບ semiconductor

3. ຂະຫນາດທີ່ມີຢູ່ & ເກຣດຄຸນນະພາບ

VeTek ສະຫນອງ AlN wafers ໃນຮູບແບບມາດຕະຖານດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້. ຂະ​ຫນາດ​ທີ່​ກໍາ​ນົດ​ເອງ​ແລະ​ສະ​ເພາະ​ສາ​ມາດ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ປຶກ​ສາ​ຫາ​ລື​ຕາມ​ການ​ຮ້ອງ​ຂໍ​.

• ຊັ້ນໃຕ້ດິນ 10 × 10 ມມ

• wafers ຂະໜາດ 1 ນິ້ວ (25.4 ມມ).

• wafers 2 ນິ້ວ (50.8 ມມ).

ເກຣດຄຸນນະພາບ: P-grade (Product), R-grade (Research), D-grade (Experimental), ຄວາມແຕກຕ່າງສ່ວນໃຫຍ່ໂດຍ HR-XRD rocking-curve FWHM ແລະຄຸນນະພາບຂອງໄປເຊຍກັນໂດຍລວມ.

4. ຂໍ້ມູນສະເພາະທາງວິຊາການ

ຕົວກໍານົດການທົ່ວໄປໃນທົ່ວຂະຫນາດ (ຄ່າປົກກະຕິ; ລະດັບການຂຶ້ນກັບບ່ອນທີ່ບັນທຶກໄວ້):

ຄວາມທົນທານທາງເລຂາຄະນິດສະເພາະຂະໜາດ:

• 10 × 10 ມມ: ຄວາມຍາວດ້ານຂ້າງ 10 ມມ± 0.5 ມມ; TTV ≤ 15 μm; Bow ≤ 15 μm

• 1-ນິ້ວ: ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 25.4 mm ± 0.5 mm; ພື້ນທີ່ໃຊ້ໄດ້≥ 90%; TTV ≤ 20 μm; Bow ≤ 20 μm; ຮາບພຽງຂັ້ນຕົ້ນ (10-10) ± 5°, ຄວາມຍາວ 8 mm ± 1 ມມ

• 2 ນິ້ວ: ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 50.8 mm ± 0.5 mm; ພື້ນທີ່ໃຊ້ໄດ້≥ 90%; TTV ≤ 30 μm; Bow ≤ 30 μm; ຄວາມຍາວແປຕົ້ນຕໍ 16 ມມ± 2 ມມ

5. ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກ VeTek AlN Wafers?

ໃນຖານະທີ່ເປັນຜູ້ສະຫນອງສະເພາະຂອງວັດສະດຸແລະອົງປະກອບ semiconductor ຂັ້ນສູງ, VeTek Semiconductor ສະຫນອງ:

• AlN ຄຸນະພາບສູງ wafers ແກ້ວດຽວກັບໄປເຊຍກັນຄວບຄຸມຄຸນນະພາບແລະ epi-ພ້ອມ

• ມີຫຼາຍຂະຫນາດແລະທາງເລືອກເກຣດເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນທັງການຜະລິດອຸປະກອນແລະໂຄງການຄົ້ນຄ້ວາ

• ໂຊລູຊັ່ນ wafer ແລະ substrate ເພີ່ມເຕີມພາຍໃຕ້ຫຼັກຊັບວັດສະດຸ semiconductor VeTek

• ສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການສໍາລັບການເລືອກວັດສະດຸແລະການຈັບຄູ່ຂະບວນການ

wafers AlN ຂອງພວກເຮົາຊ່ວຍໃຫ້ລູກຄ້າເລັ່ງການພັດທະນາຂອງ RF ພະລັງງານສູງ, ພະລັງງານແຮງດັນສູງ, ແລະອຸປະກອນ optoelectronic ເລິກ UV ທີ່ຕ້ອງການການປະສົມປະສານທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງ bandgap ultra-wide, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງ GaN ທີ່ສະເຫນີໂດຍອາລູມິນຽມ nitride.