ລະຫັດ QR
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
ຜະລິດຕະພັນ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ


ແຟັກ
+86-579-87223657

ອີເມວ

ທີ່ຢູ່
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, ເມືອງ Jinhua, ແຂວງ Zhejiang, ຈີນ
ໃນການຜະລິດ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ, ແຜ່ນ ceramic ພາຍໃນ chuck electrostatic (ESC) ແມ່ນຫຼາຍກ່ວາການສະຫນັບສະຫນູນງ່າຍດາຍ. ມັນກໍານົດຂອບເຂດການປະຕິບັດຂອງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງອຸນຫະພູມ wafer, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງການຍຶດ, ແລະການເຮັດຊ້ໍາຂະບວນການ. ເນື່ອງຈາກຂໍ້ຂອງອຸປະກອນຫົດຕົວລົງ ແລະ ງົບປະມານຄວາມຮ້ອນເຄັ່ງຕຶງຂຶ້ນ, ແຜ່ນຮອງອາລູມິນຽມແບບດັ້ງເດີມ (Al₂O₃) ບໍ່ສາມາດຕອບສະໜອງໄດ້ກັບຄວາມຕ້ອງການຂອງ plasma etch, CVD, ແລະເຄື່ອງມື lithography ຂັ້ນສູງ. ຄວາມເປັນຈິງນີ້ກໍາລັງຊຸກຍູ້ຜູ້ຜະລິດ ESC ໄປສູ່ອາລູມິນຽມ nitride (AlN) ceramics.
ສໍາລັບບໍລິສັດທີ່ອອກແບບແລະສ້າງ chucks electrostatic, ຊັ້ນ ceramic ແມ່ນການໂຕ້ຕອບຄວາມຮ້ອນແລະໄຟຟ້າຕົ້ນຕໍກັບ wafer ໄດ້. ມັນຕ້ອງສົ່ງຄວາມຮ້ອນຢ່າງລວດໄວ, ເປັນເອກະພາບໃນຂະນະທີ່ຮັກສາຄຸນສົມບັດ dielectric ທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການຍຶດ electrostatic ທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້. ຢູ່ໃນເສັ້ນຂະບວນການຂັ້ນສູງ, ເຖິງແມ່ນວ່າການປັບລະດັບອຸນຫະພູມຂະຫນາດນ້ອຍຫຼື wafer warpage ສາມາດແປເປັນການສູນເສຍຜົນຜະລິດ. ດັ່ງນັ້ນການເລືອກວັດສະດຸແມ່ນບໍ່ມີທາງເລືອກອີກຕໍ່ໄປ - ມັນເປັນການຕັດສິນໃຈດ້ານວິສະວະກໍາຫຼັກທີ່ຂັບເຄື່ອນໂດຍຂໍ້ຈໍາກັດທາງດ້ານຮ່າງກາຍຂອງອາລູມິນຽມແລະຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ຊັດເຈນຂອງ AlN.
ວິສະວະກອນ ESC ເລືອກ AlN ເພາະວ່າມັນແກ້ໄຂຂໍ້ບົກຜ່ອງຂອງອາລູມິນຽມໂດຍກົງໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ. ການປຽບທຽບຂ້າງລຸ່ມນີ້ຊີ້ໃຫ້ເຫັນຄວາມແຕກຕ່າງທີ່ກ່ຽວຂ້ອງທີ່ສຸດ:
|
ຊັບສິນ |
ອາລູມີນາ (Al₂O₃) |
ອະລູມີນຽມໄນທຣິກ (AlN) |
ຜົນກະທົບຕໍ່ການປະຕິບັດ ESC |
|
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (W/m·K) |
25–35 |
170–220 |
AlN ປະມານ 6 ເທົ່າຕົວນໍາທີ່ສູງຂຶ້ນເຮັດໃຫ້ອຸນຫະພູມ wafer ມີຄວາມເປັນເອກະພາບພາຍໃນ ±0.5 °C ຫຼືດີກວ່າໃນ wafers 300 ມມ, ຫຼຸດຜ່ອນຈຸດຮ້ອນທີ່ເຮັດໃຫ້ເກີດການປ່ຽນແປງຂອງຂະບວນການ. |
|
CTE (ppm/K) |
~7–8 |
~4.5 |
AlN ຈັບຄູ່ຊິລິໂຄນຢ່າງໃກ້ຊິດ (~3 ppm/K). ອັນນີ້ຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມກົດດັນດ້ານຄວາມຮ້ອນ ແລະ bow wafer, ເຮັດໃຫ້ wafers ບາງໆແລະປ່ອງຢ້ຽມປະຕິບັດການອຸນຫະພູມທີ່ກວ້າງຂຶ້ນ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນມີຄຸນຄ່າສໍາລັບຂະບວນການ warpage-sensitive. |
|
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Dielectric & Resistivity |
ເລີດ |
ເລີດ |
ວັດສະດຸທັງສອງສະຫນັບສະຫນູນ J-R ຫຼື Coulombic clamping ທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້. ການຄັດເລືອກສຸດທ້າຍແມ່ນຂຶ້ນກັບເປົ້າຫມາຍຄວາມຕ້ານທານທີ່ແນ່ນອນແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທີ່ຕ້ອງການໂດຍການອອກແບບ chuck. |
|
ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ |
ສູງ |
ປານກາງຫາສູງ |
Alumina ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງໃນການງໍ, ແຕ່ຖືກອອກແບບຢ່າງຖືກຕ້ອງແລະສະຫນັບສະຫນູນ AlN substrates ສົ່ງຫຼາຍກ່ວາຄວາມເຂັ້ມແຂງພຽງພໍສໍາລັບວົງຈອນຫນ້າທີ່ ESC. |
ຊ່ອງຫວ່າງ conductivity ຄວາມຮ້ອນແມ່ນການຕັດສິນໃຈ. ການ conductivity ທີ່ສູງຂຶ້ນແປເປັນການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມທີ່ເຄັ່ງຄັດ, ການຕອບສະຫນອງຄວາມຮ້ອນໄວ, ແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຂະບວນການທີ່ດີກວ່າໃນທົ່ວ wafers ຂະຫນາດໃຫຍ່ - ຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ຈະກາຍເປັນທີ່ບໍ່ສາມາດຕໍ່ລອງໄດ້ຍ້ອນວ່າ nodes ຍ້າຍຕ່ໍາກວ່າ 5 nm ແລະ 3 nm.
ແຜ່ນ AlN ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແມ່ນພຽງແຕ່ຈຸດເລີ່ມຕົ້ນ. ການເຊື່ອມໂຍງສົບຜົນສໍາເລັດເຂົ້າໄປໃນ ESC ທີ່ກຽມພ້ອມໃນການຜະລິດຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຄວາມສາມາດເພີ່ມເຕີມຈາກຜູ້ສະຫນອງເຊລາມິກ:
1. ໂລຫະທີ່ຊັດເຈນສໍາລັບເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນແລະ electrodes.ຮູບແບບວົງຈອນ tungsten ຫຼື molybdenum ສະລັບສັບຊ້ອນຕ້ອງໄດ້ຮັບການພິມອອກ, ແຜ່ນ, ຫຼືໄຟຮ່ວມກັນດ້ວຍການຍຶດຫມັ້ນທີ່ເຂັ້ມແຂງແລະການນໍາທີ່ຫມັ້ນຄົງ. ຮູບເງົາຫນາແລະຂະບວນການ HTCC ທີ່ລອດຊີວິດຈາກການເຜົາໄຫມ້ແມ່ນມີຄວາມຈໍາເປັນສໍາລັບການປະຕິບັດໄຟຟ້າທີ່ສອດຄ່ອງຕະຫຼອດຊີວິດຂອງ chuck.
2. ການສໍາເລັດຮູບຫນ້າ nanoscale ແລະຄວາມຮາບພຽງ.ໃບໜ້າສຳຜັດ wafer ຕ້ອງການຄວາມຮາບພຽງຂອງແສງ (ໂດຍປົກກະຕິ TTV ຕ່ຳກວ່າ 1 µm) ແລະ ຄວບຄຸມຄວາມຫຍາບຈຸນລະພາກ. ພື້ນຜິວສໍາເລັດຮູບດ້ວຍ Ra ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງພາຍໃຕ້ 10 nm ປັບປຸງການຕິດຕໍ່ຄວາມຮ້ອນແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການຕິດ wafer.
3. ການຜູກມັດທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ກັບແຜ່ນຮອງໂລຫະ.ບໍ່ວ່າຜູ້ສະຫນອງຈະສະຫນອງການປະກອບເຫຼັກ AlN-stainless-stainless ກ່ອນ brazed ຫຼືກະກຽມພື້ນຜິວສໍາລັບການຜູກມັດລູກຄ້າ, ຄວາມທົນທານ shear ພິສູດແລະຂໍ້ມູນວົງຈອນຄວາມຮ້ອນແມ່ນຈໍາເປັນເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມສົມບູນຂອງກົນຈັກໃນໄລຍະຍາວ.
ແຜ່ນຂໍ້ມູນຢ່າງດຽວແມ່ນບໍ່ພຽງພໍ. ຜູ້ສ້າງ ESC ຄວນກົດດັນຄູ່ຮ່ວມງານທີ່ມີທ່າແຮງໃນຈຸດຕໍ່ໄປນີ້:
1. ການນໍາຄວາມຮ້ອນຈາກຫຼາຍໄປຫາຫຼາຍມີຄວາມສອດຄ່ອງຫຼາຍປານໃດ, ແລະວິທີການວັດແທກໃດທີ່ຢືນຢັນມັນ?
2. ທ່ານສາມາດສະຫນອງຊຸດຄຸນລັກສະນະອຸປະກອນທີ່ສົມບູນທີ່ປະກອບມີຄົງທີ່ dielectric ແລະການສູນເສຍ tangent ໃນຄວາມຖີ່ແລະອຸນຫະພູມທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ?
3. ທ່ານຮັບປະກັນຄວາມຮາບພຽງ (TTV, bow) ແລະຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ (Ra) ແນວໃດ?
4. ມີລະບົບການຫລໍ່ຫລອມໂລຫະໃດແດ່, ແລະມີຄວາມເຂັ້ມແຂງໃນການຍຶດເກາະ (ຕົວຢ່າງ, ຜົນການທົດສອບປອກເປືອກ) ທ່ານສາມາດສະແດງໃຫ້ເຫັນໄດ້ບໍ?
5. ທ່ານສະເຫນີທາງເລືອກໃນການປະກອບຍ່ອຍເຊັ່ນ pre-metallization ຫຼື brazing ກັບ baseplates ທີ່ກໍານົດໄວ້ບໍ? ການບໍລິການເຫຼົ່ານີ້ສາມາດຫຼຸດເວລາລວມ ແລະຄວາມສ່ຽງຕໍ່າລົງ.
ການເຄື່ອນຍ້າຍຈາກອາລູມິນຽມໄປສູ່ອາລູມິນຽມ nitride ແມ່ນຫນຶ່ງໃນການຕັດສິນໃຈທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງສຸດທີ່ຜູ້ຜະລິດ ESC ສາມາດເຮັດໄດ້ໃນເວລາທີ່ກໍານົດເປົ້າຫມາຍຄວາມຕ້ອງການຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນຂອງໂຫນດຂັ້ນສູງ. ການຫັນປ່ຽນ, ແນວໃດກໍ່ຕາມ, ບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນການແລກປ່ຽນວັດສະດຸ. ມັນຕ້ອງການຜູ້ສະຫນອງທີ່ເຂົ້າໃຈການປຸງແຕ່ງເຊລາມິກ, ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ, ໂລຫະ, ແລະການເຊື່ອມໂຍງທີ່ເປັນປະໂຫຍດ.
ທີ່ VeTek Semiconductor, ພວກເຮົາສະຫນັບສະຫນູນລະບົບນິເວດອຸປະກອນ semiconductor ດ້ວຍວິທີແກ້ໄຂເຊລາມິກທີ່ກ້າວຫນ້າທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະວັດສະດຸທີ່ກ່ຽວຂ້ອງທີ່ຖືກອອກແບບສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການທີ່ຕ້ອງການ. ຈຸດສຸມຂອງພວກເຮົາກ່ຽວກັບຄຸນນະພາບວັດສະດຸ, ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງຂະບວນການ, ແລະການສະຫນອງທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຊ່ວຍໃຫ້ ESC ແລະຄູ່ຮ່ວມງານອຸປະກອນປ່ຽນຂໍ້ໄດ້ປຽບພາຍໃນຂອງ AlN ເຂົ້າໄປໃນການອອກແບບ chuck ທີ່ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ປະສິດທິພາບສູງ.
ຖ້າທ່ານກໍາລັງປະເມີນ AlN substrates ຫຼືອົງປະກອບເຊລາມິກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງສໍາລັບແພລະຕະຟອມ chuck electrostatic ຮຸ່ນຕໍ່ໄປຂອງທ່ານ, ພວກເຮົາເຊີນທ່ານປຶກສາຫາລືກ່ຽວກັບຄວາມຕ້ອງການດ້ານວິຊາການຂອງທ່ານກັບທີມງານຂອງພວກເຮົາ. ຕິດຕໍ່ VeTek Semiconductor ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບຂໍ້ມູນວັດສະດຸ, ຂໍ້ມູນຄວາມສາມາດ, ແລະການສະຫນັບສະຫນູນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ເຫມາະສົມກັບເປົ້າຫມາຍການອອກແບບຂອງທ່ານ.
+86-579-87223657
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, ເມືອງ Jinhua, ແຂວງ Zhejiang, ຈີນ
ສະຫງວນລິຂະສິດ © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. ສະຫງວນລິຂະສິດທັງໝົດ.
Links | Sitemap | RSS | XML | ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ |