ແຜ່ນ Graphite Disc ໄດ້ຮັບ

Vetek Semiconductor's Graphite Disc Susceptor, ຜະລິດຕະພັນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບຂະບວນການຜະລິດ semiconductor ກ້າວຫນ້າ. ແຜ່ນ susceptor graphite ຂອງພວກເຮົາຖືກອອກແບບມາເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງອຸດສາຫະກໍາແລະສະຫນອງການປະຕິບັດພິເສດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື. Graphite Disc Susceptor ນີ້ແມ່ນ OEM ສໍາລັບເວທີເຄື່ອງປະຕິກອນດາວເຄາະ AIX G5.

Gan-on-si mocvd ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການຜະລິດທີ່ເປັນສ່ວນປະເທດທີ່ນໍາພາ, ແລະເຕົາປະຕິຮູບແບບ Aixtron G5 ຊ່ວຍປັບປຸງຜົນຜະລິດແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງເວທີ Mocvd. ຮູບແບບທີ່ເປັນເອກະພາບທີ່ເປັນເອກະພາບເຕັມຮູບແບບຢ່າງເຕັມສ່ວນໃນຫ້າ 200mm, ໂດຍໃຊ້ເຄື່ອງຈັກຊິມຊິລິໂຄນທີ່ມີຄວາມຫນາ (ຫນາ.

Vetek Semiconductor's High-Purity Graphite Disc Susceptor ສໍາລັບ GaN-on-Si MOCVD, ການແກ້ໄຂທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ແລະປະຫຍັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍສໍາລັບຂະບວນການຜະລິດ semiconductor ກ້າວຫນ້າ.

ແຜ່ນ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງພວກເຮົາຖືກອອກແບບໂດຍສະເພາະເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຂະບວນການ GaN-on-Si MOCVD. ດ້ວຍຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນຂອງມັນ, ມັນສາມາດທົນກັບເງື່ອນໄຂອຸນຫະພູມທີ່ຕ້ອງການໂດຍປົກກະຕິຕັ້ງແຕ່ 800 ° C ຫາ 1100 ° C, ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ດີທີ່ສຸດໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເກັບມ້ຽນ.

ວັດສະດຸ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ໃຊ້ໃນເຄື່ອງດູດແຜ່ນຂອງພວກເຮົາໃຫ້ຄວາມຕ້ານທານສານເຄມີທີ່ດີເລີດ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຂົ້າກັນໄດ້ກັບແອມໂມເນຍ (NH3) ແລະຄາຣະວາໂລຫະອິນຊີທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປໃນ GaN-on-Si MOCVD. ນີ້ກໍາຈັດຄວາມຕ້ອງການເພີ່ມເຕີມການເຄືອບ SiC, ການຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດໂດຍບໍ່ມີການປະນີປະນອມປະສິດທິພາບ.

ເຄື່ອງດູດແຜ່ນ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງ Vetek Semiconductor ສະເຫນີການແກ້ໄຂທີ່ມີປະສິດທິພາບດ້ານຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໂດຍບໍ່ມີການປະນີປະນອມຕໍ່ຄຸນນະພາບ. ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ຄວາມທົນທານ, ແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ກັບຂະບວນການ GaN-on-Si MOCVD ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບຜູ້ຜະລິດ semiconductor. ໄວ້ໃຈ Vetek Semiconductor ເພື່ອຈັດສົ່ງເຄື່ອງດູດແຜ່ນ graphite ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການຂອງການຜະລິດ GaN-on-Si MOCVD ຂອງທ່ານ.