ວົງແຫວນຄູ່ມື CVD TAC ເຄືອບແຫວນສາມໃບ

ວັດສະດຸ Silicon Carbide Singlerate ດຽວແມ່ນປະເພດຂອງວັດສະດຸໄປເຊຍ, ເຊິ່ງເປັນຂອງວັດສະດຸທີ່ມີ semiconductor ກ້ວາງ. ມັນມີຂໍ້ດີຂອງຄວາມຕ້ານທານແຮງດັນສູງ, ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຖີ່ສູງ, ແລະຄວາມຖີ່ຂອງການກະກຽມອຸປະກອນໄຟຟ້າພະລັງງານແລະວິທະຍາສາດວິທະຍຸໄມໂຄຣ. ໃນປະຈຸບັນ, ວິທີການຕົ້ນຕໍສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງການຂົນສົ່ງລະບົບອາຍເລືອດ (ວິທີການ PVT), ວິທີການສູງສຸດຂອງອຸນຫະພູມສູງ

ການຂົນສົ່ງ Vapor ທາງດ້ານຮ່າງກາຍ (PVT) ແມ່ນດີ - ເຕັກນິກທີ່ຖືກສ້າງຕັ້ງຂື້ນສູງເພື່ອໃຫ້ມີການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາຂະຫນາດໃຫຍ່. ໃນຂະບວນການນີ້, Crystal Aquel ແມ່ນຕັ້ງຢູ່ເທິງສຸດຂອງ crucible, ໃນຂະນະທີ່ຜົງດິບ, ໃຊ້ເປັນວັດຖຸດິບ, ແມ່ນຖືກຈັດໃສ່ໃນດ້ານລຸ່ມທີ່ຖືກຄຶງ. ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມກົດດັນຕ່ໍາພາຍໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ປິດ, sublimates ຜົງ sic. ຂັບເຄື່ອນໂດຍຄວາມແຕກຕ່າງຂອງອຸນຫະພູມແລະຄວາມແຕກຕ່າງທີ່ເຂັ້ມຂົ້ນ, ຊະນິດທີ່ມີນ້ໍາຖ້ວມກ້າວຂື້ນໄປສູ່ພາກພື້ນໃກ້ກັບທ່າເຮືອໃກ້ໆກັບແນວພັນ. ເມື່ອໄດ້ຮັບການສະຫນັບສະຫນູນຂອງລັດທີ່ຖືກຍົກເລີກ, ການກວດສອບທີ່ຖືກຕ້ອງຕາມກົດຫມາຍ, ອະນຸຍາດໃຫ້ຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນກວ່າຂະຫນາດແລະປະເພດສະເພາະຂອງ Crystal ຂອງ Sic Sic.

CVD TAC ເຄືອບສາມ - ແຫວນຄູ່ມື Petal ໃຫ້ໃຊ້ງານຫນ້າທີ່ທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດ. ຕົ້ນຕໍ, ມັນຊ່ວຍເພີ່ມລະດັບກົນຈັກ Fluid ໂດຍການຊີ້ນໍາການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, ຮັບປະກັນວ່າພື້ນທີ່ການເຕີບໂຕຂອງ Crystal ໄດ້ຮັບການປະເຊີນຫນ້າກັບບັນຍາກາດທີ່ເປັນເອກະພາບ. ນອກຈາກນັ້ນ, ມັນຈະລະລາຍຄວາມຮ້ອນຢ່າງມີປະສິດຕິຜົນໃນໄລຍະການເຕີບໂຕຂອງ Crystal Crystal Sic. ໂດຍການຮັກສາເມັດພືດທີ່ເຫມາະສົມ, ມັນຊ່ວຍເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງສະພາບການຈະເລີນເຕີບໂຕສໍາລັບການເກັບກູ້ຂອງ SIC ແລະການຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງການແຈກຢາຍອຸນຫະພູມທີ່ເກີດຈາກອຸນຫະພູມທີ່ເກີດຈາກການແຈກຢາຍອຸນຫະພູມທີ່ບໍ່ເທົ່າກັນ.