Silicon Carbide (SiC) Ceramic Wafer Boat ແມ່ນຫຍັງ?

ໃນຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ semiconductor, ການຈັດການ, ສະຫນັບສະຫນູນ, ແລະການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນຂອງ wafers ແມ່ນອີງໃສ່ອົງປະກອບສະຫນັບສະຫນູນພິເສດ - ເຮືອ wafer. ໃນຂະນະທີ່ອຸນຫະພູມຂະບວນການເພີ່ມຂຶ້ນແລະຄວາມສະອາດແລະຄວາມຕ້ອງການຄວບຄຸມອະນຸພາກເພີ່ມຂຶ້ນ, ເຮືອ quartz wafer ແບບດັ້ງເດີມຄ່ອຍໆເປີດເຜີຍບັນຫາເຊັ່ນ: ຊີວິດການບໍລິການສັ້ນ, ອັດຕາການຜິດປົກກະຕິສູງ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ທີ່ບໍ່ດີ.Silicon carbide (SiC) ceramic wafer ເຮືອເກີດຂື້ນໃນສະພາບການນີ້ແລະໄດ້ກາຍເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການທີ່ສໍາຄັນໃນອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນຊັ້ນສູງ.

Silicon carbide (SiC) ເປັນວັດສະດຸເຊລາມິກວິສະວະກໍາທີ່ປະສົມປະສານຄວາມແຂງສູງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີເລີດ. ເຊລາມິກ SiC, ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໂດຍຜ່ານການ sintering ອຸນຫະພູມສູງ, ບໍ່ພຽງແຕ່ສະແດງໃຫ້ເຫັນການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນດີກວ່າ, ແຕ່ຍັງຮັກສາໂຄງສ້າງແລະຂະຫນາດທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນສະພາບແວດລ້ອມ oxidizing ແລະ corrosive. ດັ່ງນັ້ນ, ໃນເວລາທີ່ fabricated ເຂົ້າໄປໃນ wafer ຮູບແບບເຮືອ, ມັນສາມາດສະຫນັບສະຫນູນຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງເຊັ່ນ: ການແຜ່ກະຈາຍ, annealing, ແລະການຜຸພັງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມໂດຍສະເພາະສໍາລັບຂະບວນການຄວາມຮ້ອນທີ່ເຮັດວຽກຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 1100 ° C.

ໂຄງສ້າງຂອງເຮືອ wafer ໄດ້ຖືກອອກແບບໂດຍປົກກະຕິດ້ວຍການຕັ້ງຕາຂ່າຍໄຟຟ້າຫຼາຍຊັ້ນ, ຂະຫນານ, ສາມາດຖື wafers ຫຼາຍສິບຫຼືຫຼາຍຮ້ອຍຄົນໃນເວລາດຽວກັນ. ຄວາມໄດ້ປຽບຂອງເຊລາມິກ SiC ໃນການຄວບຄຸມຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາມີຄວາມສ່ຽງຫນ້ອຍທີ່ຈະມີການຜິດປົກກະຕິຄວາມຮ້ອນຫຼື microcracking ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການທາງຍ່າງຂຶ້ນແລະ ramp-down ອຸນຫະພູມສູງ. ນອກຈາກນັ້ນ, ເນື້ອໃນ impurity ໂລຫະສາມາດໄດ້ຮັບການຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດ, ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ພວກມັນມີຄວາມເຫມາະສົມສໍາລັບຂະບວນການທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວທີ່ສຸດຕໍ່ຄວາມສະອາດ, ເຊັ່ນ: ການຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງານ, SiC MOSFETs, MEMS, ແລະຜະລິດຕະພັນອື່ນໆ.

ເມື່ອປຽບທຽບກັບເຮືອ wafer quartz ແບບດັ້ງເດີມ, ເຮືອ wafer ຊິລິໂຄນ carbide ເຊລາມິກປົກກະຕິມີອາຍຸການບໍລິການ 3-5 ເທົ່າພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ, ເລື້ອຍໆໃນສະພາບວົງຈອນຄວາມຮ້ອນ. ຄວາມແຂງກະດ້າງແລະຄວາມຕ້ານທານທີ່ສູງຂຶ້ນຂອງພວກເຂົາເຮັດໃຫ້ການສອດຄ່ອງຂອງ wafer ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງຫຼາຍ, ເຊິ່ງຊ່ວຍປັບປຸງຜົນຜະລິດ. ສິ່ງທີ່ສໍາຄັນກວ່ານັ້ນ, ວັດສະດຸ SiC ຮັກສາການປ່ຽນແປງມິຕິຫນ້ອຍທີ່ສຸດໃນລະຫວ່າງຮອບວຽນການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມເຢັນເລື້ອຍໆ, ຫຼຸດຜ່ອນການຂັດຂອບຂອງ wafer ຫຼືການຫຼົ່ນລົງຂອງອະນຸພາກທີ່ເກີດຈາກການຜິດປົກກະຕິຂອງເຮືອ wafer.

ໃນດ້ານການຜະລິດ, ເຮືອ wafer silicon carbide ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນຜະລິດໂດຍຜ່ານການ sintering ປະຕິກິລິຍາ (RBSiC), sintering ຫນາແຫນ້ນ (SSiC), ຫຼື sintering ຄວາມກົດດັນ. ບາງຜະລິດຕະພັນລະດັບສູງຍັງໃຊ້ເຄື່ອງຈັກ CNC ທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາແລະການຂັດຫນ້າເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄວາມແມ່ນຍໍາລະດັບ wafer. ຄວາມແຕກຕ່າງທາງວິຊາການໃນການຄວບຄຸມສູດ, ການຄຸ້ມຄອງຄວາມບໍ່ສະອາດ, ແລະຂະບວນການ sintering ລະຫວ່າງຜູ້ຜະລິດທີ່ແຕກຕ່າງກັນມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ການປະຕິບັດສຸດທ້າຍຂອງເຮືອ wafer.

ໃນການນໍາໃຊ້ອຸດສາຫະກໍາ, ເຮືອ wafer ceramic silicon carbide ຄ່ອຍໆກາຍເປັນທາງເລືອກທີ່ມັກສໍາລັບຜູ້ຜະລິດອຸປະກອນຊັ້ນສູງໃນຂະບວນການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນ, ຈາກອຸປະກອນຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມໄປສູ່ວັດສະດຸ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ. ພວກເຂົາບໍ່ພຽງແຕ່ເຫມາະສົມສໍາລັບອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນຕ່າງໆ, ເຊັ່ນ furnaces ທໍ່ຕັ້ງແລະ furnaces oxidation ອອກຕາມລວງນອນ, ແຕ່ປະສິດທິພາບທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນອຸນຫະພູມສູງ, ສະພາບແວດລ້ອມ corrosive ສູງຍັງສະຫນອງການຮັບປະກັນທີ່ເຂັ້ມແຂງສໍາລັບຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຂະບວນການແລະຄວາມສາມາດອຸປະກອນ.

ຄວາມນິຍົມຄ່ອຍໆຂອງເຮືອ wafer ceramic ຊິລິໂຄນ carbide marks ການເລັ່ງຂອງວັດສະດຸເຊລາມິກກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ penetrating ອົງປະກອບສະຫນັບສະຫນູນຫຼັກຂອງອຸປະກອນ semiconductor. ເມື່ອປຽບທຽບກັບວັດສະດຸ quartz ແບບດັ້ງເດີມ, ຄວາມໄດ້ປຽບຂອງພວກເຂົາໃນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມເຂັ້ມງວດຂອງໂຄງສ້າງ, ແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມເມື່ອຍລ້າຄວາມຮ້ອນສະຫນອງພື້ນຖານວັດສະດຸທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ສໍາລັບການສືບຕໍ່ການວິວັດທະນາການຂອງອຸນຫະພູມທີ່ສູງຂຶ້ນແລະປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການທີ່ເຂັ້ມງວດຫຼາຍ. ໃນປັດຈຸບັນ, ເຮືອ wafer ceramic ຂະຫນາດ 6 ນິ້ວແລະ 8 ນິ້ວແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂະບວນການຜະລິດຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນໄຟຟ້າໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ 12 ນິ້ວແມ່ນຄ່ອຍໆຖືກນໍາສະເຫນີເຂົ້າໃນຂະບວນການແລະສາຍການຜະລິດທີ່ກ້າວຫນ້າ, ກາຍເປັນທິດທາງທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການຮ່ວມມືອຸປະກອນແລະອຸປະກອນໃນໄລຍະຕໍ່ໄປ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ເຮືອ wafer 2-4 ນິ້ວຍັງສືບຕໍ່ມີບົດບາດໃນເວທີການຄົ້ນຄວ້າແລະສະຖານະການຂະບວນການສະເພາະ, ເຊັ່ນການປຸງແຕ່ງ substrate LED ແລະການກວດສອບຂະບວນການ. Silicon carbide ceramic wafer ເຮືອຈະສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມໄດ້ປຽບຫຼາຍກວ່າເກົ່າໃນຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ການຄວບຄຸມຂະຫນາດ, ແລະຄວາມສາມາດຂອງ wafer, ຂັບລົດວິວັດທະນາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເຕັກໂນໂລຊີວັດສະດຸ ceramic ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.