ເຮືອ SiC Ceramic Wafer ແມ່ນຫຍັງ? ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ, ວັດສະດຸ & ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ໃນຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ semiconductor, ການຈັດການ, ສະຫນັບສະຫນູນ, ແລະການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນຂອງ wafers ແມ່ນອີງໃສ່ອົງປະກອບສະຫນັບສະຫນູນພິເສດ - ເຮືອ wafer. ໃນຂະນະທີ່ອຸນຫະພູມຂະບວນການເພີ່ມຂຶ້ນແລະຄວາມສະອາດແລະຄວາມຕ້ອງການຄວບຄຸມອະນຸພາກເພີ່ມຂຶ້ນ, ເຮືອ quartz wafer ແບບດັ້ງເດີມຄ່ອຍໆເປີດເຜີຍບັນຫາເຊັ່ນ: ຊີວິດການບໍລິການສັ້ນ, ອັດຕາການຜິດປົກກະຕິສູງ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ທີ່ບໍ່ດີ.Silicon carbide (SiC) ceramic wafer ເຮືອເກີດຂື້ນໃນສະພາບການນີ້ແລະໄດ້ກາຍເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການທີ່ສໍາຄັນໃນອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນຊັ້ນສູງ.

Silicon carbide (SiC) ເປັນວັດສະດຸເຊລາມິກວິສະວະກໍາທີ່ປະສົມປະສານຄວາມແຂງສູງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີເລີດ.SiC ceramics, ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໂດຍຜ່ານການ sintering ອຸນຫະພູມສູງ, ບໍ່ພຽງແຕ່ສະແດງໃຫ້ເຫັນການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນດີກວ່າ, ແຕ່ຍັງຮັກສາໂຄງສ້າງທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະຂະຫນາດໃນສະພາບແວດລ້ອມ oxidizing ແລະ corrosive. ດັ່ງນັ້ນ, ໃນເວລາທີ່ fabricated ເຂົ້າໄປໃນຮູບແບບເຮືອ wafer, ມັນສາມາດສະຫນັບສະຫນູນຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງເຊັ່ນ: ການແຜ່ກະຈາຍ, annealing, ແລະການຜຸພັງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມໂດຍສະເພາະສໍາລັບຂະບວນການຄວາມຮ້ອນທີ່ເຮັດວຽກຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 1100 ° C.

1. ເຮືອ SiC Ceramic Wafer ແມ່ນຫຍັງ?

ໂຄງສ້າງຂອງເຮືອ wafer ໄດ້ຖືກອອກແບບໂດຍປົກກະຕິທີ່ມີຫຼາຍຊັ້ນ, ການຕັ້ງຄ່າຕາຂ່າຍໄຟຟ້າຂະຫນານ, ສາມາດຖືຫຼາຍສິບຫຼືຫຼາຍຮ້ອຍຄົນຂອງ wafers ໃນເວລາດຽວກັນ. ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງເຊລາມິກ SiC ໃນການຄວບຄຸມຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາມີຄວາມສ່ຽງຫນ້ອຍທີ່ຈະມີການປ່ຽນຮູບຄວາມຮ້ອນຫຼື microcracking ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການທາງຍ່າງແລະ ramp-down ອຸນຫະພູມສູງ. ນອກຈາກນັ້ນ, ເນື້ອໃນ impurity ໂລຫະສາມາດໄດ້ຮັບການຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດ, ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ພວກມັນມີຄວາມເຫມາະສົມສໍາລັບຂະບວນການທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວທີ່ສຸດຕໍ່ຄວາມສະອາດ, ເຊັ່ນ: ການຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງານ, SiC MOSFETs, MEMS, ແລະຜະລິດຕະພັນອື່ນໆ.

2. Quartz vs SiC vs Graphite Wafer Boats: ການປຽບທຽບວັດສະດຸ

ເມື່ອປຽບທຽບກັບເຮືອ wafer quartz ແບບດັ້ງເດີມ, ເຮືອ wafer ຊິລິໂຄນ carbide ceramic ປົກກະຕິແລ້ວມີອາຍຸການບໍລິການ 3-5 ເທົ່າພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ, ເລື້ອຍໆໃນສະພາບວົງຈອນຄວາມຮ້ອນ. ຄວາມແຂງກະດ້າງແລະຄວາມຕ້ານທານທີ່ສູງຂຶ້ນຂອງພວກເຂົາເຮັດໃຫ້ການສອດຄ່ອງຂອງ wafer ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງຫຼາຍ, ເຊິ່ງຊ່ວຍປັບປຸງຜົນຜະລິດ. ສິ່ງທີ່ສໍາຄັນກວ່ານັ້ນ, ວັດສະດຸ SiC ຮັກສາການປ່ຽນແປງທາງດ້ານມິຕິຫນ້ອຍໃນລະຫວ່າງຮອບວຽນຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມເຢັນເລື້ອຍໆ, ຫຼຸດຜ່ອນການຂັດຂອບຂອງ wafer ຫຼືການຫຼົ່ນລົງຂອງອະນຸພາກທີ່ເກີດຈາກການຜິດປົກກະຕິຂອງເຮືອ wafer.

3. ປະເພດຂອງວັດສະດຸເຮືອ Silicon Carbide Wafer

ບໍ່ແມ່ນເຮືອ wafer SiC ທັງຫມົດແມ່ນຜະລິດຈາກຊັ້ນ ceramic ດຽວກັນ. ເສັ້ນທາງການຜະລິດທີ່ແຕກຕ່າງກັນຜະລິດຈຸລະພາກທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະລັກສະນະການປະຕິບັດ.

3.1 Silicon Carbide (RSiC) ຣີຄຣີສຕັນ

Recrystallized SiC ຖືກນໍາໃຊ້ໃນວິສະວະກໍາອົງປະກອບເຊລາມິກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ອີງຕາມຊັ້ນຮຽນທີ, ມັນອາດຈະສະແດງ porosity ເປີດທີ່ສໍາຄັນ, ເຊິ່ງຕ້ອງໄດ້ຮັບການພິຈາລະນາໃນເວລາທີ່ການປະເມີນການປົນເປື້ອນ, ການເຮັດຄວາມສະອາດແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງຂະບວນການ.

3.2 Sintered Silicon Carbide (SSiC)

Pressureless-sintered SiC ສາມາດສະຫນອງໂຄງສ້າງເຊລາມິກທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ມີຄວາມແຂງສູງ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກແລະການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ. ຄຸນ​ສົມ​ບັດ​ທີ່​ແທ້​ຈິງ​ແມ່ນ​ຂຶ້ນ​ກັບ​ການ​ຜະ​ລິດ​, ຂະ​ບວນ​ການ sintering ແລະ​ຊັ້ນ​ວັດ​ສະ​ດຸ​.

3.3 ປະຕິກິລິຍາຜູກມັດ Silicon Carbide (RBSiC / SiSiC)

SiC ຜູກມັດປະຕິກິລິຍາໂດຍທົ່ວໄປປະກອບດ້ວຍໄລຍະຊິລິຄອນທີ່ຕົກຄ້າງ. ນີ້ສາມາດມີອິດທິພົນຕໍ່ອຸນຫະພູມການບໍລິການສູງສຸດແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງສານເຄມີ, ດັ່ງນັ້ນການຈໍາກັດການດໍາເນີນງານຂອງມັນບໍ່ຄວນຖືກສົມມຸດວ່າຄືກັນກັບຂອງ RSiC ຫຼື SSiC.

3.4 SiC-Coated Graphite Wafer Carriers

ເຮືອບັນທຸກ wafer graphite ເຄືອບ SiC ແມ່ນການກໍ່ສ້າງທີ່ແຕກຕ່າງກັນຈາກເຮືອ wafer ceramic monolithic SiC.

ມັນໃຊ້ substrate graphite ປ້ອງກັນໂດຍການເຄືອບ SiC ເງິນຝາກ. ການອອກແບບດັ່ງກ່າວອາດຈະສະເຫນີຂໍ້ໄດ້ປຽບໃນສະພາບແວດລ້ອມການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນສະເພາະ, ແຕ່ຄວາມສົມບູນຂອງການເຄືອບ, ແຄມຂອງ exposed ແລະການປົນເປື້ອນທີ່ເປັນໄປໄດ້ຕ້ອງໄດ້ຮັບການປະເມີນ.

4. ການຄາດຄະເນໃນອະນາຄົດ

ໃນການນໍາໃຊ້ອຸດສາຫະກໍາ, ເຮືອ wafer ceramic silicon carbide ຄ່ອຍໆກາຍເປັນທາງເລືອກທີ່ມັກສໍາລັບຜູ້ຜະລິດອຸປະກອນຊັ້ນສູງໃນຂະບວນການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນ, ຈາກອຸປະກອນຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມໄປສູ່ວັດສະດຸ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ. ພວກມັນບໍ່ພຽງແຕ່ເຫມາະສົມສໍາລັບອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນຕ່າງໆ, ເຊັ່ນ furnaces ທໍ່ຕັ້ງແລະ furnaces oxidation ອອກຕາມລວງນອນ, ແຕ່ປະສິດທິພາບທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນອຸນຫະພູມສູງ, ສະພາບແວດລ້ອມ corrosive ສູງຍັງສະຫນອງການຮັບປະກັນທີ່ເຂັ້ມແຂງສໍາລັບຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຂະບວນການແລະຄວາມສາມາດອຸປະກອນ.

ຄວາມນິຍົມຄ່ອຍໆຂອງເຮືອ wafer ceramic ຊິລິໂຄນ carbide marks ການເລັ່ງຂອງວັດສະດຸເຊລາມິກກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ penetrating ອົງປະກອບສະຫນັບສະຫນູນຫຼັກຂອງອຸປະກອນ semiconductor. ເມື່ອປຽບທຽບກັບວັດສະດຸ quartz ແບບດັ້ງເດີມ, ຄວາມໄດ້ປຽບຂອງພວກເຂົາໃນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມເຂັ້ມງວດຂອງໂຄງສ້າງ, ແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມເຫນື່ອຍລ້າຄວາມຮ້ອນສະຫນອງພື້ນຖານວັດສະດຸທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ສໍາລັບການສືບຕໍ່ການວິວັດທະນາການຂອງອຸນຫະພູມທີ່ສູງຂຶ້ນແລະປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການທີ່ເຂັ້ມງວດຫຼາຍ. ໃນປັດຈຸບັນ, ເຮືອ wafer ceramic ຂະຫນາດ 6 ນິ້ວແລະ 8 ນິ້ວແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂະບວນການຜະລິດຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນໄຟຟ້າໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ 12 ນິ້ວແມ່ນຄ່ອຍໆຖືກນໍາສະເຫນີເຂົ້າໃນຂະບວນການແລະສາຍການຜະລິດທີ່ກ້າວຫນ້າ, ກາຍເປັນທິດທາງທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບໄລຍະຕໍ່ໄປຂອງການຮ່ວມມືອຸປະກອນແລະວັດສະດຸ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ເຮືອ wafer 2-4 ນິ້ວຍັງສືບຕໍ່ມີບົດບາດໃນເວທີການຄົ້ນຄວ້າແລະສະຖານະການຂະບວນການສະເພາະ, ເຊັ່ນການປຸງແຕ່ງ substrate LED ແລະການກວດສອບຂະບວນການ. Silicon carbide ceramic wafer ເຮືອຈະສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມໄດ້ປຽບຫຼາຍກວ່າເກົ່າໃນຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ການຄວບຄຸມຂະຫນາດ, ແລະຄວາມສາມາດຂອງ wafer, ຂັບລົດວິວັດທະນາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເຕັກໂນໂລຊີວັດສະດຸ ceramic ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.

FAQs

1. ຫນ້າທີ່ຕົ້ນຕໍຂອງເຮືອ wafer ແມ່ນຫຍັງ?

ເຮືອ wafer ຖື wafers semiconductor ໃນຕໍາແຫນ່ງທີ່ມີຊ່ອງຫວ່າງຢ່າງຖືກຕ້ອງໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງ furnace. ຫນ້າທີ່ຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນການສະຫນັບສະຫນູນກົນຈັກ, ການສອດຄ່ອງ wafer ແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ກັບສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການຄວາມຮ້ອນແລະສານເຄມີ.

2. ເຮືອ wafer SiC ແລະເຮືອ wafer quartz ມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນແນວໃດ?

ເຮືອ wafer ເຊລາມິກ SiC ໂດຍທົ່ວໄປສະຫນອງການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ສູງຂຶ້ນແລະຄວາມສາມາດກົນຈັກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງຫຼາຍສໍາລັບຊັ້ນຮຽນທີ່ເຫມາະສົມ. ເຮືອ wafer Quartz ມີການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາຫຼາຍແລະຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂະບວນການ furnace semiconductor ທີ່ສະອາດສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ. ວັດສະດຸທີ່ຕ້ອງການແມ່ນຂຶ້ນກັບເງື່ອນໄຂການດໍາເນີນງານ.

3. ເຮືອ wafer ເຊລາມິກ SiC ສາມາດທົນອຸນຫະພູມແນວໃດ?

ບໍ່ມີຂອບເຂດຈໍາກັດອຸນຫະພູມດຽວສໍາລັບເຮືອ wafer ceramic SiC ທັງຫມົດ. ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ສູງ​ສຸດ​ແມ່ນ​ຂຶ້ນ​ກັບ​ຊັ້ນ SiC​, ບັນ​ຍາ​ກາດ furnace​, ການ​ໂຫຼດ​ກົນ​ຈັກ​, ໄລ​ຍະ​ເວ​ລາ exposure ແລະ​ວົງ​ຈອນ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​. ອົງປະກອບສໍາເລັດຮູບຕ້ອງມີຄຸນສົມບັດສໍາລັບເງື່ອນໄຂຂະບວນການທີ່ມີຈຸດປະສົງ.

4. SiC wafer ເຮືອທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການແຜ່ກະຈາຍແລະການຜຸພັງ?

ແມ່ນແລ້ວ, ເຮືອ wafer ເຊລາມິກ SiC ທີ່ຖືກຄັດເລືອກຢ່າງຖືກຕ້ອງແລະມີຄຸນສົມບັດສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນການແຜ່ກະຈາຍແລະການຜຸພັງ. ເຄມີຂອງວັດສະດຸ, ຄວາມສະອາດພື້ນຜິວ, ການອອກແບບກົນຈັກແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ກັບອາຍແກັສຂະບວນການຕ້ອງໄດ້ຮັບການກວດສອບ.

5. ເຮືອ wafer ceramic SiC ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ບໍ?

ເຮືອ wafer ສາມາດໄດ້ຮັບການວິສະວະກໍາສໍາລັບການຕັ້ງຄ່າ furnace ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ຂະຫນາດ wafer, ຈໍານວນສະລັອດຕິງ, pitches ແລະເລຂາຄະນິດສະຫນັບສະຫນູນ, ຂຶ້ນກັບຄວາມເປັນໄປໄດ້ການຜະລິດແລະການກວດສອບການອອກແບບ.

6. ແມ່ນຫຍັງຄືຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງເຮືອແຂງ SiC ແລະ SiC-coated graphite wafer?

ເຮືອ wafer ceramic SiC ແຂງໃຊ້ຮ່າງກາຍເຊລາມິກ, ໃນຂະນະທີ່ SiC-coated graphite carriers ໃຊ້ substrate graphite ທີ່ມີຊັ້ນ SiC ປ້ອງກັນ. ການຕອບສະຫນອງຄວາມຮ້ອນຂອງພວກເຂົາ, ກົນໄກການລົ້ມເຫຼວ, ຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນແລະຂໍ້ຈໍາກັດການບໍລິການແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ.

7. ແມ່ນຫຍັງທີ່ເປັນສາເຫດຂອງການສ້າງອະນຸພາກໃນເຮືອ wafer?

ສາເຫດທີ່ເປັນໄປໄດ້ລວມມີການຂັດກົນຈັກ, ເລຂາຄະນິດຕິດຕໍ່ wafer ທີ່ບໍ່ເຫມາະສົມ, ການສ້າງຟິມທີ່ຖືກຝາກໄວ້, ຄວາມເສຍຫາຍຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມບົກຜ່ອງດ້ານຫນ້າດິນແລະການປົນເປື້ອນໃນລະຫວ່າງການຈັດການຫຼືການເຮັດຄວາມສະອາດ. ການວິເຄາະສາເຫດຂອງຮາກຄວນພິຈາລະນາອຸປະກອນການຂົນສົ່ງແລະຂະບວນການ furnace ຕົວຈິງ.