ຜະລິດຕະພັນ
ຜະລິດຕະພັນ
ສະນັ້ນການຮ່ວມມື EPI
  • ສະນັ້ນການຮ່ວມມື EPIສະນັ້ນການຮ່ວມມື EPI
  • ສະນັ້ນການຮ່ວມມື EPIສະນັ້ນການຮ່ວມມື EPI

ສະນັ້ນການຮ່ວມມື EPI

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດນ້ໍາຊິລິໂຄນດ້ານເທິງຂອງ Silicon Carbide, Carbide Carbide, Vetek semiconductor ແມ່ນສາມາດໃຫ້ບໍລິການດ້ານເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມລະອຽດແລະເປັນເອກະພາບໃນການຄວບຄຸມຄວາມບໍລິສຸດຂອງການເຄືອບແລະຜະລິດຕະພັນຕໍ່າກວ່າ 5ppm. ຊີວິດຜະລິດຕະພັນແມ່ນປຽບທຽບກັບ SGL. ຍິນດີທີ່ຈະສອບຖາມພວກເຮົາ.
ຄະແນນ: 5.0
(ການນັບຄະແນນ: 1)

ທ່ານສາມາດຫມັ້ນໃຈໄດ້ໃນການຊື້ SiC Coated Epi Susceptor ຈາກໂຮງງານຂອງພວກເຮົາ.


ມັນ semiconductorSiC Coated Epi Susceptor ແມ່ນຖັງ Epitaxial ເປັນເຄື່ອງມືພິເສດສໍາລັບຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ semiconductor epitaxial ທີ່ມີຄວາມໄດ້ປຽບຫຼາຍ:


LPE SI EPI Susceptor Set

ant ຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດທີ່ມີປະສິດທິພາບ: SiC Coated Epi Susceptor ຂອງ VeTek Semiconductor ສາມາດຮອງຮັບ wafers ຫຼາຍອັນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະປະຕິບັດການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ຂອງຫຼາຍ wafers ພ້ອມກັນ. ຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດທີ່ມີປະສິດທິພາບນີ້ສາມາດປັບປຸງປະສິດທິພາບການຜະລິດຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະຫຼຸດຜ່ອນວົງຈອນການຜະລິດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ.

●ການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມທີ່ດີທີ່ສຸດ: SiC Coated Epi Susceptor ມີລະບົບຄວບຄຸມອຸນຫະພູມຂັ້ນສູງເພື່ອຄວບຄຸມແລະຮັກສາອຸນຫະພູມການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ຕ້ອງການໄດ້ຊັດເຈນ. ການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມທີ່ຫມັ້ນຄົງຊ່ວຍໃຫ້ບັນລຸການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊັ້ນ epitaxial ເປັນເອກະພາບແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຊັ້ນ epitaxial.

●ບັນຍາກາດທີ່ເປັນເອກະພາບ: Sic coated epi sepius ສະຫນອງບັນຍາກາດທີ່ເປັນເອກະພາບໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່, ແຕ່ລະຊະນິດແມ່ນໄດ້ຮັບການປະເຊີນກັບສະພາບການບັນຍາກາດດຽວກັນ. ສິ່ງນີ້ຊ່ວຍຫລີກລ້ຽງຄວາມແຕກຕ່າງຂອງການເຕີບໂຕລະຫວ່າງການ wafers ແລະປັບປຸງຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຊັ້ນຈັດຕັ້ງ.

● ການຄວບຄຸມຄວາມເປິເປື້ອນທີ່ມີປະສິດທິພາບ: SIC ເຄືອບການອອກແບບ epi susceptor ຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການແນະນໍາແລະການແຜ່ກະຈາຍຂອງຄວາມບໍ່ສະອາດ. ມັນສາມາດສະຫນອງການປະທັບຕາທີ່ດີແລະບັນຍາກາດທີ່ດີ, ຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງຄວາມບໍ່ສະອາດຕໍ່ຄຸນນະພາບຂອງຊັ້ນຂອງຊັ້ນຂອງ, ແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງປັບປຸງປະສິດຕິພາບຂອງອຸປະກອນແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື.

● ການພັດທະນາຂະບວນການທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ: Epi Susceptor ມີຄວາມສາມາດໃນການພັດທະນາຂະບວນການທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ການປັບຕົວຢ່າງໄວວາແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງຕົວກໍານົດການຂະຫຍາຍຕົວ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ນັກຄົ້ນຄວ້າແລະວິສະວະກອນດໍາເນີນການພັດທະນາຂະບວນການຢ່າງໄວວາແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະຄວາມຕ້ອງການທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.


ຄຸນລັກສະນະທາງກາຍະພາບຂັ້ນພື້ນຖານຂອງ CVD SIC COating:

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC
ຊັບສິນ ຄ່າປົກກະຕິ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ FCC βໄລຍະ polycrystalline, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນ (111) ຮັດກຸມ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງເຄືອບ SiC 3.21 G / CM³
cvd sic coating hardness ຄວາມແຂງຂອງ Vickers 2500 (ໂຫຼດ 500g)
ຂະຫນາດເມັດ 2-10 ມມ
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ 99.99995%
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ JiCG 640 ນາຣາ-1· ຄ-1
ອຸນຫະພູມ sublimation 2700 ℃
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural 415 MPa RT 4 ຈຸດ
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ 430 GPA 4pt ງໍ, 1300 ℃
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ 300W-1· ຄ-1
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) 4.5 × 10-6K-1


ມັນ semiconductorSiC Coated Epi Receptorຮ້ານການຜະລິດ

VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor Production Shop

ພາບລວມຂອງລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາຊິບ semiconductor epitaxy:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


ສົ່ງສອບຖາມ
ຂໍ້​ມູນ​ຕິດ​ຕໍ່
  • ທີ່ຢູ່

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, ເມືອງ Jinhua, ແຂວງ Zhejiang, ຈີນ

  • ອີເມວ

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
ຄະແນນ:
5.0
X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ. ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
ປະຕິເສດຍອມຮັບ