ສິ່ງທີ່ໃຊ້ສະເພາະຂອງຊິ້ນສ່ວນເຄືອບ TAC ໃນພາກສະຫນາມ semiconductor?

ຄຸນລັກສະນະທາງກາຍະພາບຂອງການເຄືອບ COTBIDE CORBIDE (TAC)

ການນໍາໃຊ້ເຄືອບ tantalum carbide (TAC) ການເຄືອບໃນພາກສະຫນາມ semiconductor

1. ສ່ວນປະກອບ reactor ການເຕີບໂຕຂອງ Epitaxial

ການເຄືອບ TAC ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນສ່ວນປະກອບຂອງເຄື່ອງໃຊ້ສານເຄມີ (CVD) ຂອງ EpitRide (Gan) Epitaxial ແລະ Silicon Carbide (SIC) (SIC), ລວມທັງຜູ້ຂົນສົ່ງ Wafer, ຖ້ວຍຈານດາວທຽມ, ຫົວເຂົ່າແລະແກັບ. ສ່ວນປະກອບເຫຼົ່ານີ້ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຄວາມທົນທານສູງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງໃນອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຖືກຕ້ອງ. ການເຄືອບ TAC ສາມາດຂະຫຍາຍຊີວິດການບໍລິການຂອງພວກເຂົາຢ່າງມີປະສິດຕິຜົນແລະປັບປຸງຜົນຜະລິດ.

2. ສ່ວນປະກອບການເຕີບໂຕຂອງ Crystal Crystal Crystal

ໃນຂັ້ນຕອນການເຕີບໂຕຂອງປະເທດຕະຫຼອດການຂອງວັດສະດຸຕ່າງໆເຊັ່ນ SIC, Gan ແລະອາລູມີນຽມ nitride (AIN),ເຄືອບ TACຖືກນໍາໃຊ້ກັບສ່ວນປະກອບສໍາຄັນເຊັ່ນ: crucibles, ຜູ້ຂາຍ Crystal Aqu, ຄູ່ມືແຫວນແລະຕົວກອງ. ວັດສະດຸ graphite ມີການເຄືອບ TAC ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການອົບພະຍົບທີ່ບໍ່ສະອາດ, ປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງຜລຶກແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມເສື່ອມເສີຍ.

3. ສ່ວນປະກອບອຸດສາຫະກໍາອຸນຫະກອນສູງ

ການເຄືອບ TAC ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນການນໍາໃຊ້ອຸນຫະພູມສູງເຊັ່ນ: ສ່ວນປະກອບຄວາມຮ້ອນທີ່ຕ້ານທານ, ການສັກຢາ, ແຫວນປ້ອງກັນແລະອຸປະສັກ. ສ່ວນປະກອບເຫລົ່ານີ້ຈໍາເປັນຕ້ອງຮັກສາການປະຕິບັດງານທີ່ດີໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ແລະຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງ TAC ແລະຄວາມຕ້ານທານການກັດກ່ອນຂອງການເລືອກທີ່ເຫມາະສົມ.

4. ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນໃນລະບົບ MocvD

ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນຂອງກາຟິກທີ່ເຄືອບ Tac ໄດ້ຖືກນໍາສະເຫນີຢ່າງປະສົບຜົນສໍາເລັດໃນການຝາກເງິນທີ່ມີສານເຄມີທີ່ມີສານເຄມີປອດສານພິດ (MocvD). ເມື່ອປຽບທຽບກັບເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນທີ່ມີການເຄືອບ PBN, TAC ສາມາດໃຫ້ປະສິດທິພາບແລະຄວາມເປັນເອກະພາບທີ່ດີກວ່າ, ຫຼຸດຜ່ອນການປ່ອຍຝຸ່ນພະລັງງານ, ແລະຫຼຸດຜ່ອນການປ່ອຍອາຍພິດ, ເຮັດໃຫ້ມີການລະບາຍອານິຊໍານານ, ເຮັດໃຫ້ມີການປັບປຸງຄວາມສັດຊື່.

5. ບັນທຸກ WEADER

ບັນດາຜູ້ຂົນສົ່ງທີ່ມີເຄື່ອງປະດັບທີ່ມີການເຄືອບ Tac ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການກະກຽມອຸປະກອນການຜະລິດ semicondoration ລຸ້ນທີສາມເຊັ່ນ Sic, Ain ແລະ Gan. ການສຶກສາໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າອັດຕາການກັດສົມບັດຂອງການເຄືອບ TACໃນສະພາບແວດລ້ອມ ammonia ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະ hydrogen ແມ່ນຕໍ່າກ່ວາຂອງການເຄືອບ SICເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມັນສະແດງຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມທົນທານທີ່ດີກວ່າໃນການນໍາໃຊ້ໄລຍະຍາວ.