ສະຫຼຸບຫຼັກ:ການເລືອກ CVD SiC ທີ່ຖືກຕ້ອງ, ການເຄືອບ TaC ຫຼື Solid SiC ໂດຍກົງກໍານົດລະດັບອະນຸພາກແລະອົງປະກອບຕະຫຼອດຊີວິດຂອງເສັ້ນ epitaxy / etching. ບົດຄວາມນີ້ໃຫ້ຂອບເຂດການຄັດເລືອກທີ່ຊັດເຈນໂດຍອຸນຫະພູມ, ບັນຍາກາດແລະຂະບວນການ, ຈັບຄູ່ກັບວິທີແກ້ໄຂການທົດແທນອຸປະກອນທີ່ສໍາຄັນແລະ metrics ທີ່ສໍາຄັນ, ຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານຕັດສິນໃຈໄວແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງ.

ໃນຂະບວນການຂອງ GaN MOCVD, ຕົວຕ້ານທານທີ່ເຄືອບ SiC ທີ່ອີງໃສ່ graphite ສາມາດເຮັດວຽກຢ່າງຫມັ້ນຄົງເປັນເວລາຫຼາຍຮ້ອຍຊົ່ວໂມງຢູ່ທີ່ 1100 ° C ພາຍໃຕ້ບັນຍາກາດ NH₃ / H₂; ແນວໃດກໍ່ຕາມ, ເນື່ອງຈາກຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງຂອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມແຕກຕ່າງຕະຫຼອດຊີວິດຂອງເຄືອບລະຫວ່າງຂອບແລະສູນກາງອາດຈະເກີນ 50%. ໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC PVT, ເມື່ອອຸນຫະພູມເກີນ 1600 ອົງສາເຊ, ການເຄືອບ SiC ຈະເລີ່ມອ່ອນເພຍແລະເສື່ອມໂຊມ, ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການສະຫຼັບກັບການເຄືອບ TaC ຫຼືການແກ້ໄຂ SiC ແຂງ. ຜົນສະທ້ອນຂອງການເລືອກວັດສະດຸອົງປະກອບທີ່ບໍ່ຖືກຕ້ອງ - ດີທີ່ສຸດ, ການປ່ຽນເຄື່ອງບໍລິໂພກທຸກໆ 2-3 ເດືອນ; ທີ່ຮ້າຍແຮງທີ່ສຸດ, ການຂູດຂອງເຕົາອົບທັງຫມົດຂອງ wafers ເນື່ອງຈາກການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກ. ບົດຄວາມນີ້ຖືກຂຽນໂດຍທີມງານດ້ານວິຊາການ VeTek Semiconductor (ພາຍໃຕ້ການຊີ້ນໍາຂອງດຣ Xiao), ຈຸດປະສົງເພື່ອສ້າງກອບການຕັດສິນໃຈລະບົບຂອງ "ຮູບແບບອຸປະກອນ → ເງື່ອນໄຂຂະບວນການ → ການຄັດເລືອກອົງປະກອບ → ຄວາມຄາດຫວັງຕະຫຼອດຊີວິດ" ສໍາລັບວິສະວະກອນ epitaxy / etching / PVT, ຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານຈັບຄູ່ວັດສະດຸ, ອະນຸພາກຄວບຄຸມ, ແລະການປະເມີນຜູ້ສະຫນອງຢ່າງໄວວາ.

1. ວິທີການເລືອກການເຄືອບ SiC, ການເຄືອບ TaC ຫຼື SiC ແຂງໂດຍອີງໃສ່ເງື່ອນໄຂຂະບວນການ?

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ຕັດສິນໃຈຕາມສາມມິຕິຂອງ “ອຸນຫະພູມ → ບັນຍາກາດ → ປະເພດຂະບວນການ”: ການຈັດລໍາດັບຄວາມສໍາຄັນຂອງການເຄືອບ CVD SiC ທີ່ ≤1600°C; ເລືອກ TaC ສໍາລັບ> 2000 ° C ຫຼືບັນຍາກາດທີ່ມີ corrosive ທີ່ເຂັ້ມແຂງ; ຈັດລຳດັບຄວາມສຳຄັນຂອງ Solid SiC ສຳລັບການແກະສະຫຼັກ ແລະ ສະຖານະການຄວາມສະອາດສູງສຸດ.

ໃນເວລາທີ່ເລືອກສາຍການຜະລິດຕົວຈິງ, ວິສະວະກອນສ່ວນຫຼາຍມັກຖາມວ່າ: "ສໍາລັບອຸປະກອນ Aixtron / Veeco ຂອງຂ້ອຍ, ແລ່ນ GaN ຫຼື SiC epitaxy, ໃນອຸນຫະພູມໃດແລະພາຍໃຕ້ບັນຍາກາດໃດ, ຂ້ອຍຄວນໃຊ້ການເຄືອບໃດ?" ຄໍາຕອບແມ່ນບໍ່ສັບສົນ, ແຕ່ສາມມິຕິຕ້ອງໄດ້ຮັບການເຊື່ອມຕໍ່ກັນ.

ປ່ອງຢ້ຽມອຸນຫະພູມແມ່ນເກນທໍາອິດ

ການເຄືອບ CVD SiC ຍັງສາມາດຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຕ່ໍາກວ່າປະມານ 2000-2100 ° C. ນອກເຫນືອຈາກຂອບເຂດນີ້, ການລະເຫີຍທີ່ບໍ່ສອດຄ່ອງກັນ (ການລະເຫີຍຂອງຊິລິຄອນທີ່ມັກ) ເກີດຂື້ນ, ເຊິ່ງນໍາໄປສູ່ການຫຍາບຄາຍຂອງພື້ນຜິວແລະອະນຸພາກເພີ່ມຂຶ້ນ. ການເຄືອບ TaC ມີຈຸດລະລາຍສູງເຖິງ 3880°C ແລະສາມາດຮັກສາຄວາມດັນອາຍໄດ້ຕໍ່າຫຼາຍເຖິງແມ່ນວ່າໃນສະພາບແວດລ້ອມການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຜລຶກ PVT ສູງກວ່າ 2400°C. Solid SiC ບໍ່ມີບັນຫາການໂຕ້ຕອບການເຄືອບ-substrate ແລະເຫມາະສົມສໍາລັບ etching chamber ອົງປະກອບທີ່ຂຶ້ນກັບການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາ.

ບັນຍາກາດແລະການກັດກ່ອນກໍານົດຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງສານເຄມີເຄືອບ

ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີທາດອາຍແກັສ NH₃, H₂ ຫຼື chlorine, ການເຄືອບ SiC ປະຕິບັດໄດ້ດີ, ແຕ່ອັດຕາການກັດກ່ອນຂອງ SiC ໂດຍ hydrogen ອຸນຫະພູມສູງແມ່ນສູງກວ່າ TaC ຫຼາຍ. ຂໍ້​ມູນ​ການ​ທົດ​ລອງ​ສະ​ແດງ​ໃຫ້​ເຫັນ​ວ່າ​ອັດ​ຕາ​ການ corrosion ຂອງ TaC ໃນ ammonia ອຸ​ຫະ​ພູມ​ສູງ​ແມ່ນ​ປະ​ມານ 1/6 ຂອງ SiC, ແລະ​ໃນ hydrogen ມັນ​ສາ​ມາດ​ຕ​່​ໍ​າ​ເຖິງ 1/10. ດັ່ງນັ້ນ, ເງື່ອນໄຂມາດຕະຖານສໍາລັບ SiC epitaxy ຫຼື GaN MOCVD ສ່ວນຫຼາຍແມ່ນໃຊ້ການເຄືອບ SiC, ໃນຂະນະທີ່ສະຖານະການການກັດກ່ອນຫຼືອຸນຫະພູມສູງທີ່ສຸດຕ້ອງປ່ຽນເປັນ TaC.

ປະ​ເພດ​ຂະ​ບວນ​ການ​ແລະ​ການ​ຈັບ​ຄູ່​ຫນ້າ​ທີ່​ອົງ​ປະ​ກອບ​

• GaN MOCVD / Si epitaxy: ບູລິມະສິດ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ + CVD SiC coated susceptor, preheat ring

• ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ SiC PVT: ແນະນໍາຢ່າງແຂງແຮງການເຄືອບ TaC ສໍາລັບອົງປະກອບເຂດຮ້ອນ graphite

• ການແກະສະຫຼັກໃນ plasma (ວົງໂຟກັສ, ແລະອື່ນໆ): ກຼາຟ໌ແຂງ SiC ຫຼື SiC-coated ທັງສອງເປັນໄປໄດ້, ຂຶ້ນກັບຄວາມຕ້ອງການອະນຸພາກແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ.

• ພາກສ່ວນທີ່ສຳຄັນຂອງ Chamber ທີ່ລະອຽດອ່ອນຕໍ່ອະນຸພາກ: ຈັດລຳດັບຄວາມສຳຄັນຂອງ Solid SiC ໂດຍບໍ່ມີສ່ວນຕິດຕໍ່ເຄືອບ

ຮູບທີ 1 – ງານວາງສະແດງສິນຄ້າຫຼັກຂອງ VeTek

2. ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງ Aixtron/Veeco Graphite Susceptor ແລະການແກ້ໄຂການທົດແທນແບບກຳນົດເອງ

ສະຫຼຸບຫຼັກ:VeTek ສະຫນັບສະຫນູນການປັບແຕ່ງ 1: 1 ໂດຍອີງໃສ່ຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າຫຼືອາໄຫຼ່ຕົ້ນສະບັບ, ກວມເອົາເວທີໃຫຍ່ເຊັ່ນ Aixtron G10, Veeco K465i, ASM Epsilon, ແລະອື່ນໆ. ຜະລິດຕະພັນມາດຕະຖານສາມາດສົ່ງໄດ້ໄວ; ພາກສ່ວນທີ່ກຳນົດເອງໂດຍປົກກະຕິແລ້ວຈະໃຊ້ເວລາ 3-6 ອາທິດ.

ສິ່ງທີ່ນັກວິສະວະກອນຫຼາຍຄົນກັງວົນຫຼາຍທີ່ສຸດບໍ່ແມ່ນ "ວ່າມັນສາມາດເຮັດໄດ້ບໍ," ແຕ່ "ວ່າມັນສາມາດມີຄວາມຫມັ້ນຄົງຄືກັບຊິ້ນສ່ວນຕົ້ນສະບັບ, ໃນເວລານໍາພາທີ່ສາມາດຄວບຄຸມໄດ້, ແລະມີບົດລາຍງານການກວດກາຄົບຖ້ວນ." ຫນຶ່ງໃນຄວາມສາມາດຫຼັກຂອງ VeTek ແມ່ນການປັບແຕ່ງເຕັມຮູບແບບຕາມຮູບແຕ້ມໃນຂະນະທີ່ຍັງເຫມາະສົມກັບຍີ່ຫໍ້ອຸປະກອນທີ່ສໍາຄັນ.

ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງອຸປະກອນຕົ້ນຕໍ ອ້າງອິງດ່ວນ

ຕາຕະລາງຂ້າງລຸ່ມນີ້ສາມາດນໍາໃຊ້ໄດ້ໂດຍກົງສໍາລັບການກວດກາດ້ານວິຊາການພາຍໃນຫຼືການປະເມີນຜົນການຈັດຊື້:

ໃນໂຄງການຕົວຈິງ, ພວກເຮົາມັກຈະໄດ້ຮັບເຄື່ອງອາໄຫຼ່ຕົ້ນສະບັບຫຼືຮູບແຕ້ມ CMM ຈາກລູກຄ້າ. ທີມງານວິຊາການຈະ, ຫຼັງຈາກຢືນຢັນການຈັບຄູ່ພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມທົນທານຂອງມິຕິລະດັບ, ໃຫ້ຂໍ້ສະເຫນີແນະກ່ຽວກັບຄວາມບໍລິສຸດຂອງ substrate, ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບແລະ roughness ຂອງຫນ້າດິນ, ແລະສະຫນອງຕົວຢ່າງສໍາລັບການຢັ້ງຢືນໃນເຄື່ອງມືຂອງລູກຄ້າ.

3. ຕົວຊີ້ວັດທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບ CVD SiC Coating Thickness Uniformity ແລະການຄວບຄຸມອະນຸພາກ

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ຄວບຄຸມພາຍໃນ ± 5%, ຄວາມຫນາແຫນ້ນໃກ້ຄຽງກັບມູນຄ່າທາງທິດສະດີ, ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຫນ້າດິນທີ່ຄວບຄຸມໄດ້ແມ່ນຫຼັກໃນການສະກັດກັ້ນການຫຼົ່ນລົງຂອງຝຸ່ນແລະການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກ. ເປົ້າໝາຍຄວາມບໍລິສຸດແມ່ນຕ່ຳກວ່າ 5 ppm, ໂດຍມີສິ່ງປົນເປື້ອນໂລຫະທີ່ສຳຄັນຕິດຕາມໂດຍ GDMS/ICP-OES.

ບັນຫາອະນຸພາກແມ່ນເກືອບຝັນຮ້າຍຂອງວິສະວະກອນ epitaxy ທຸກ. ເມື່ອການເຄືອບມີຈຸດບາງໆ, ຮູຂຸມຂົນຫຼື micro-cracks, ຝຸ່ນຈະຫຼົ່ນລົງພາຍໃຕ້ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາຊ້ອນແລະການໂຈມຕີກ໊າຊ corrosive, ຍົກສູງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງ wafer ໂດຍກົງ.

ຄວາມຫນາແລະຄວາມເປັນເອກະພາບ

ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ CVD SiC ປົກກະຕິແມ່ນ 100-200 μm. ຜ່ານຕົວກໍານົດການຂະບວນການແລະການຄວບຄຸມພາກສະຫນາມໄຫຼ, VeTek ສະຖຽນລະພາບຄວາມຫນາແຫນ້ນພາຍໃນ ± 5%. ຫຼັງຈາກຫຼາຍກວ່າ 1000 ວົງຈອນການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ (ອຸນຫະພູມຫ້ອງ ↔ 1100 ° C), ການເຄືອບບໍ່ສະແດງໃຫ້ເຫັນການ delamination ແລະສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມເຂັ້ມງວດຂອງ GaN MOCVD ຂໍ້ກໍານົດຂອງ particle defects ≤0.1/cm².

ຄວາມບໍລິສຸດແລະການກວດກາ

ຄວາມບໍລິສຸດໂດຍລວມຂອງການເຄືອບແລະອົງປະກອບສາມາດຕ່ໍາກວ່າ 5 ppm, ມີບາງຜະລິດຕະພັນເຖິງ 99.99995%. ພວກເຮົາໃຊ້ ICP-OES ແລະ GDMS ສໍາລັບການວິເຄາະໂລຫະຕາມຮອຍເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມບໍ່ສະອາດທີ່ສໍາຄັນເຊັ່ນ Fe ແລະ Ni ຍັງຄົງຢູ່ໃນລະດັບທີ່ຄວບຄຸມໄດ້, ຫຼີກເວັ້ນການແຊກແຊງກັບ doping ຊັ້ນ epitaxial ຫຼືຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ.

ຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະສະພາບຫນ້າດິນ

ຊັ້ນ polycrystalline β-SiC ທີ່ສ້າງຂຶ້ນໂດຍຂະບວນການ CVD ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ໃກ້ຄຽງກັບຄ່າທາງທິດສະດີ (ປະມານ 3.21 g / cm³) ທີ່ມີ porosity ຕ່ໍາທີ່ສຸດ. ຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ (Ra) ສາມາດໄດ້ຮັບການປັບຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງຂະບວນການລູກຄ້າ, ຮັບປະກັນ interlocking ກົນຈັກພຽງພໍໃນຂະນະທີ່ຫຼີກເວັ້ນການກາຍເປັນແຫຼ່ງການຜະລິດອະນຸພາກ.

ຮູບທີ 2 - ບົດລາຍງານການກວດກາ GDMS ສໍາລັບການເຄືອບ CVD SiC

4. ກໍລະນີສຶກສາ: ການແກ້ໄຂແຂບສີເຫຼືອງເພື່ອປັບປຸງຜົນຜະລິດການເຄືອບຈາກ 50% ເປັນ 90%

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ໂດຍການຄວບຄຸມອັດຕາເງິນຝາກເບື້ອງຕົ້ນແລະການໄຫຼເຂົ້າທີ່ຊັດເຈນເພື່ອລົບລ້າງຄວາມເຄັ່ງຕຶງຈຸນລະພາກ, VeTek ປັບປຸງຜົນຜະລິດການເຄືອບຂອງ MOCVD graphite susceptor ຂອງລູກຄ້າຈາກປະມານ 50% ຫາ 90%, ແລະຂະຫຍາຍຊີວິດການບໍລິການຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.

ນີ້ແມ່ນເລື່ອງທີ່ແທ້ຈິງທີ່ເກີດຂຶ້ນໃນສາຍການຜະລິດ. ລູກຄ້າໄດ້ລາຍງານວ່າມີສີເຫຼືອງຂອງແຂບແລະແນວໂນ້ມທີ່ຈະປອກເປືອກບາງຕົວອ່ອນຂອງ graphite, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ຜົນຜະລິດການເຄືອບໂດຍລວມຂອງ batch ຫຼຸດລົງປະມານ 50% ເປັນເວລາດົນນານ, ເຊິ່ງມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການບໍາລຸງຮັກສາສູງແລະຄວາມສ່ຽງຕໍ່ wafer.

ຫຼັງຈາກທີມງານວິຊາການນໍາໂດຍທ່ານດຣ Xiao ແຊກແຊງ, ທັງສອງທິດທາງແມ່ນສຸມໃສ່ການ: ທໍາອິດ, ອັດຕາເງິນຝາກໃນໄລຍະເບື້ອງຕົ້ນແມ່ນໄວເກີນໄປ, ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມກົດດັນພາຍໃນການສະສົມຂອງເຄືອບ; ອັນທີສອງ, ຄວາມແຕກຕ່າງຂອງພາກສະ ໜາມ ການໄຫຼລະຫວ່າງຂອບແລະເຂດສູນກາງເຮັດໃຫ້ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງທ້ອງຖິ່ນຫຼືຄວາມຫນາຕ່ໍາກວ່າ. ໂດຍການເພີ່ມປະສິດທິພາບອັດຕາສ່ວນ MTS/H₂, ໂປຣໄຟລ໌ອຸນຫະພູມເງິນຝາກ ແລະການອອກແບບພື້ນທີ່ການໄຫຼເຂົ້າຂອງການຕິດຕັ້ງ, ຄວາມດັນຈຸນລະພາກໄດ້ຖືກປ່ອຍອອກມາຢ່າງມີປະສິດທິພາບ. ໃນທີ່ສຸດ, ຜົນຜະລິດການເຄືອບຂອງ batch ແລະການຜະລິດຕໍ່ມາຄົງທີ່ສູງກວ່າ 90%, ວົງຈອນການທົດແທນຂອງລູກຄ້າໄດ້ຖືກຂະຫຍາຍອອກຢ່າງຊັດເຈນ, ແລະການຮ້ອງທຸກຂອງອະນຸພາກຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.

ກໍລະນີນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນ: "ສາມາດເຄືອບ" ແມ່ນພຽງແຕ່ຈຸດເລີ່ມຕົ້ນ; "ການເຄືອບຢ່າງຫມັ້ນຄົງ, ທົນທານ, ຍາວ, ແລະຄວບຄຸມອະນຸພາກ" ແມ່ນນັກວິສະວະກອນທີ່ມີຄຸນຄ່າທີ່ແທ້ຈິງສົນໃຈ. ຂໍ້ມູນເວົ້າດັງກວ່າການໂຄສະນາໃດໆ.

ຮູບ 3 - ຄວາມບໍລິສຸດສູງ CVD Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor ທີ່ມີສີພື້ນຜິວທີ່ເປັນເອກະພາບແລະບໍ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ

5. ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງພາກສ່ວນ SiC ແຂງ ແລະ ເຄືອບ Graphite ແລະສະຖານະການນຳໃຊ້

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ຊິ້ນສ່ວນ graphite ເຄືອບມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາແລະການຕອບສະຫນອງຄວາມຮ້ອນໄວ, ເຫມາະສໍາລັບ epitaxy susceptors ຫຼາຍທີ່ສຸດ; Solid SiC ບໍ່ມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການໂຕ້ຕອບແລະການຕໍ່ຕ້ານ plasma ທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ເຫມາະສົມສໍາລັບອົງປະກອບ etching ຄວາມຕ້ອງການສູງແລະສະຖານະການຕະຫຼອດຊີວິດ ultra-long.

ກອງປະຊຸມການຄັດເລືອກຈໍານວນຫຼາຍຕໍ່ສູ້ກັບ: ພວກເຮົາຄວນໃຊ້ graphite ເຄືອບຫຼືໄປໂດຍກົງກັບ Solid SiC? ທັງສອງນີ້ແມ່ນບໍ່ພຽງແຕ່ກ່ຽວກັບ "ອັນໃດດີກວ່າ," ແຕ່ເປັນການຊື້ຂາຍລະຫວ່າງສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທັງຫມົດຂອງຄວາມເປັນເຈົ້າຂອງ (TCO).

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງພາກສ່ວນ graphite ເຄືອບ:ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ຮ້ອນ substrate ສູງ​, ຄວາມ​ຮ້ອນ​ໄວ​, ການ​ຄວບ​ຄຸມ​ຄ່າ​ໃຊ້​ຈ່າຍ​; ການເຄືອບສະຫນອງອຸປະສັກເຄມີແລະການສະກັດກັ້ນອະນຸພາກ. ເຫມາະສໍາລັບຂະຫນາດໃຫຍ່ GaN/SiC susceptors epitaxy ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຄວາມສອດຄ່ອງຄວາມຮ້ອນສູງ.

ຂໍ້ດີຂອງ Solid SiC:Monolithic β-SiC ທີ່ບໍ່ມີການໂຕ້ຕອບການເຄືອບ substrate, ບໍ່ມີຄວາມສ່ຽງ delamination; ຄວາມບໍລິສຸດສາມາດບັນລຸ 5N-7N, ທົນທານຕໍ່ການເຊາະເຈື່ອນຂອງ plasma ທີ່ໂດດເດັ່ນ, ເຫມາະສໍາລັບພາກສ່ວນທີ່ມີຄວາມສໍາຄັນເຊັ່ນ: ແຫວນໂຟກັສແລະຫົວອາບນ້ໍາ, ຕະຫຼອດຊີວິດເຖິງ 2000+ ຊົ່ວໂມງ.

6. ອົງປະກອບການຄຸ້ມຄອງວົງຈອນຊີວິດເຕັມຮູບແບບ ແລະຄຸນຄ່າຂອງການທໍາຄວາມສະອາດ ແລະການຟື້ນຟູ

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ຈາກການຕິດຕາມການຕິດຕັ້ງແລະການເຕືອນໄພຜິດປົກກະຕິໄປສູ່ການທໍາຄວາມສະອາດແລະການຟື້ນຟູແບບມືອາຊີບ, ການສ້າງການຄຸ້ມຄອງແບບວົງປິດສາມາດຫຼຸດຜ່ອນ TCO ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະຫຼຸດລົງຄວາມຖີ່ຂອງການຈັດຊື້ສ່ວນໃຫມ່. VeTek ໃຫ້ບໍລິການທໍາຄວາມສະອາດສະເພາະສໍາລັບ Aixtron/Veeco ແລະອຸປະກອນອື່ນໆ.

ໂຮງງານຫຼາຍແຫ່ງປະຕິບັດຊິ້ນສ່ວນທີ່ເຄືອບເປັນ “ໃຊ້ ແລະ ຖິ້ມ” ເຄື່ອງບໍລິໂພກ. ໃນຄວາມເປັນຈິງ, ຫຼັງຈາກການທໍາຄວາມສະອາດແລະການຟື້ນຟູແບບມືອາຊີບ, ບາງສ່ວນຂອງສ່ວນປະກອບສາມາດຟື້ນຟູໄດ້ໃນລະດັບອະນຸພາກແລະປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນຢູ່ໃກ້ກັບພາກສ່ວນໃຫມ່, ໂດຍສະເພາະແມ່ນ susceptors ແລະວົງ preheat ສໍາລັບເວທີ Aixtron ແລະ Veeco.

ມັນ​ໄດ້​ຖືກ​ແນະ​ນໍາ​ໃຫ້​ສ້າງ​ບັນ​ທຶກ​ວົງ​ຈອນ​ຊີ​ວິດ​ທີ່​ງ່າຍ​ດາຍ​: ການ​ບັນ​ທຶກ​ເວ​ລາ​ການ​ຕິດ​ຕັ້ງ​, ຊົ່ວ​ໂມງ​ການ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ສະ​ສົມ​, ສະ​ພາບ​ຫນ້າ​ດິນ​ຫຼັງ​ຈາກ​ການ​ທໍາ​ຄວາມ​ສະ​ອາດ​ແຕ່​ລະ​ຄົນ​, ແລະ​ຜົນ​ການ​ທົດ​ສອບ​ການ​ເຂົ້າ​. ພຽງແຕ່ໃນເວລາທີ່ການເຄືອບສະແດງໃຫ້ເຫັນການອອກເຫຼືອງຢ່າງຈະແຈ້ງ, delamination ທ້ອງຖິ່ນ, ຫຼືການເກີນຂອງອະນຸພາກຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຄວນການຕັດສິນໃຈທົດແທນໄດ້ຖືກກະຕຸ້ນ, ແທນທີ່ຈະຂູດອອກກ່ອນໄວອັນຄວນໂດຍອີງໃສ່ຄວາມຮູ້ສຶກ.

ຮູບທີ 4 – CVD SiC Coating Graphite Parts ບໍລິການທໍາຄວາມສະອາດ

7. ຈຸດປະເມີນຜູ້ສະໜອງ ແລະ ຄວາມສາມາດໃນການບໍລິການ VeTek

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ສຸມໃສ່ລະບົບ ISO9001, ບົດລາຍງານການກວດກາຄົບຖ້ວນສົມບູນ (GDMS/ICP-OES), ການສະຫນັບສະຫນູນຕົວຢ່າງ, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືໃນເວລານໍາພາ, ແລະຄວາມສາມາດໃນການສື່ສານດ້ານວິຊາການພາສາອັງກິດ. VeTek ມີການຊ່ວຍເຫຼືອ 24/7 ແລະປະສົບການການບໍລິການລູກຄ້າຢູ່ຕ່າງປະເທດ.

ສໍາລັບລູກຄ້າສາກົນຫຼືໂຮງງານທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການດ້ານຄຸນວຸດທິຂອງຜູ້ສະຫນອງທີ່ເຄັ່ງຄັດ, ຈຸດຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນສໍາຄັນໂດຍສະເພາະ:

• ລະບົບຄຸນນະພາບ: ISO9001, ຂະບວນການຄວບຄຸມແລະ traceable.

• ຄວາມສາມາດໃນການກວດກາ: ສະຫນອງບົດລາຍງານການວິເຄາະວັດສະດຸທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບການເຄືອບແລະ substrate.

• ຕົວຢ່າງແລະເວລານໍາ: ສະຫນັບສະຫນູນການປະເມີນຕົວຢ່າງ; ຜະລິດຕະພັນມາດຕະຖານຈັດສົ່ງຢ່າງໄວວາ, ພາກສ່ວນທີ່ກໍາຫນົດເອງໂດຍປົກກະຕິ 3-6 ອາທິດ, ຄໍາສັ່ງດ່ວນສາມາດເລັ່ງການເຈລະຈາໄດ້.

• ການສື່ສານດ້ານວິຊາການ: ທັງຝ່າຍຂາຍແລະທີມງານວິສະວະກໍາສາມາດສື່ສານພາສາອັງກິດໄດ້ຢ່າງຄ່ອງແຄ້ວ, ຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການສື່ສານສໍາລັບລູກຄ້າຢູ່ຕ່າງປະເທດ.

• ການຕອບສະຫນອງຫລັງການຂາຍ: ສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການແລະການຊ່ວຍເຫຼືອການວິເຄາະຄວາມລົ້ມເຫຼວໃນເວລາທີ່ການເຄືອບຫຼືອົງປະກອບສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຜິດປົກກະຕິ.

ຮູບທີ 5 – ການສັ່ງຊື້ສິນຄ້າ VeTek ຂະບວນການເຕັມ

8. FAQ

(1). ຜະລິດຕະພັນສະຫນັບສະຫນູນການປັບແຕ່ງຢ່າງເຕັມທີ່ໂດຍອີງໃສ່ຮູບແຕ້ມບໍ? ອຸປະກອນທີ່ສໍາຄັນໃດທີ່ມັນກົງກັນ?

ແມ່ນແລ້ວ. ສາມາດປັບແຕ່ງ susceptor, preheat ring, diversion ring, halfmoon, focus ring, etc., ເຫມາະສົມກັບເວທີເຊັ່ນ Aixtron G10, Veeco, ASM, AMEC, TEL.

(2). ຮັບປະກັນຄວາມບໍລິສຸດແນວໃດ? ຄວບຄຸມຄວາມເປື້ອນຂອງໂລຫະໃນລະດັບໃດ?

ການເຄືອບແລະຄວາມບໍລິສຸດຂອງອົງປະກອບສາມາດຕ່ໍາກວ່າ 5 ppm, ບາງເຖິງ 99.99995%. ICP-OES, GDMS ແລະອຸປະກອນອື່ນໆແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການວິເຄາະການຕິດຕາມ, ໂດຍມີບົດລາຍງານຄົບຖ້ວນສົມບູນ.

(3). ຈະເປັນແນວໃດກ່ຽວກັບຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະຊີວິດການບໍລິການຂອງການເຄືອບ CVD SiC / TaC?

ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຫນາແມ່ນຄວບຄຸມໂດຍປົກກະຕິພາຍໃນ ± 5%, ຄວາມຫນາ 100-200 μm. ພາຍ​ໃຕ້​ປ່ອງ​ຢ້ຽມ​ຂະ​ບວນ​ການ​ທີ່​ເຫມາະ​ສົມ​, ຊີ​ວິດ​ຂອງ GaN MOCVD susceptor ສາ​ມາດ​ບັນ​ລຸ​ລະ​ດັບ 500-1000 ຊົ່ວ​ໂມງ​; ສະຖານະການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງສູງສຸດຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການປ່ຽນໄປໃຊ້ TaC ຫຼື Solid SiC.

(4). ການທົດສອບຕົວຢ່າງໄດ້ຮັບການສະຫນັບສະຫນູນບໍ? ເວລານໍາປົກກະຕິສໍາລັບຄໍາສັ່ງຈໍານວນຫລາຍແມ່ນຫຍັງ?

ການປະເມີນຕົວຢ່າງແມ່ນສະຫນັບສະຫນູນ. ຜະລິດຕະພັນມາດຕະຖານສາມາດສົ່ງໄດ້ໄວ; ພາກສ່ວນທີ່ກຳນົດເອງໂດຍປົກກະຕິແລ້ວຈະໃຊ້ເວລາ 3-6 ອາທິດ, ຂຶ້ນກັບຄວາມຊັບຊ້ອນຂອງການອອກແບບ ແລະປະລິມານ. ຄໍາສັ່ງດ່ວນສາມາດເລັ່ງເວລາການເຈລະຈາ.

(5). ການຢັ້ງຢືນລະບົບຄຸນນະພາບໃດແດ່ທີ່ມີຢູ່? ບົດລາຍງານການກວດກາແລະການສະຫນັບສະຫນູນຫລັງການຂາຍສາມາດສະຫນອງໄດ້ບໍ?

ລະບົບການຄຸ້ມຄອງຄຸນນະພາບ ISO9001 ຢູ່ໃນສະຖານທີ່. ບົດລາຍງານການວິເຄາະວັດສະດຸແລະການເຄືອບສາມາດສະຫນອງໃຫ້, ຄຽງຄູ່ກັບການສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການອອນໄລນ໌ 24/7. ການສື່ສານພາສາອັງກິດສໍາລັບລູກຄ້າຕ່າງປະເທດແມ່ນ seamless.

9. ບົດສະຫຼຸບ ແລະ ຂັ້ນຕອນຕໍ່ໄປ

ການເລືອກແມ່ນບໍ່ເຄີຍກ່ຽວກັບ "ການເລືອກລາຄາແພງທີ່ສຸດ" ຫຼື "ເລືອກທີ່ຫນາທີ່ສຸດ," ແຕ່ກ່ຽວກັບ "ການຊອກຫາການແກ້ໄຂທີ່ມີຄວາມສົມດຸນທີ່ດີທີ່ສຸດຂອງການປະຕິບັດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍພາຍໃຕ້ອຸປະກອນ, ປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການແລະງົບປະມານຂອງອະນຸພາກ." ພວກເຮົາຫວັງວ່າປື້ມຄູ່ມືນີ້ຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານສ້າງກອບການຕັດສິນໃຈໄດ້ໄວ: ທໍາອິດໃຫ້ເບິ່ງອຸນຫະພູມແລະບັນຍາກາດ, ຫຼັງຈາກນັ້ນໃຫ້ກົງກັບການເຄືອບຫຼື Solid SiC, ແລະສຸດທ້າຍໃຫ້ຄວາມຖືກຕ້ອງຕະຫຼອດຊີວິດແລະການປະຕິບັດຂອງອະນຸພາກດ້ວຍຂໍ້ມູນ.

ຖ້າທ່ານກໍາລັງປະເມີນການແກ້ໄຂການທົດແທນສໍາລັບ susceptors, preheat rings ຫຼືອົງປະກອບຂອງເຂດຮ້ອນໃນ Aixtron, Veeco ຫຼືເວທີອື່ນໆ, ທ່ານຍິນດີຕ້ອນຮັບກັບທີມງານດ້ານວິຊາການ VeTek ໂດຍກົງ. ພວກເຮົາສາມາດໃຫ້ຄໍາແນະນໍາການປັບແຕ່ງ, ການສະຫນັບສະຫນູນຕົວຢ່າງແລະບົດລາຍງານການກວດກາທີ່ສົມບູນໂດຍອີງໃສ່ຮູບແຕ້ມຫຼືອາໄຫຼ່ທີ່ມີຢູ່ຂອງທ່ານ. ດຣ Xiao ແລະທີມງານວິສະວະກໍາພ້ອມທີ່ຈະປຶກສາຫາລືການເພີ່ມປະສິດທິພາບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນຫຼືການພັດທະນາໂຄງສ້າງພິເສດກັບທ່ານໄດ້ທຸກເວລາ.

ສໍາລັບລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນແລະຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການເພີ່ມເຕີມ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ.

ການອ້າງອີງຫຼັກ ແລະແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ

1. ຂໍ້ມູນດ້ານວິສະວະກໍາພາຍໃນຂອງ VeTek Semiconductor — ອາຍຸການທົນທານຕໍ່ກາໄຟທີ່ເຄືອບ SiC ປະມານ 500–1000 ຊົ່ວໂມງພາຍໃຕ້ຂະບວນການ GaN MOCVD, ຜົນຜະລິດການເຄືອບປັບປຸງຈາກ 50% ເປັນ 90% ຫຼັງຈາກການແກ້ໄຂຂອບສີເຫຼືອງ, ແລະກໍລະນີປະຕິບັດອື່ນໆ [1].

2. T/CASME 2000-2025 ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະດ້ານເຕັກນິກຂອງ Silicon Carbide Coated Graphite Susceptors ສໍາລັບ Semiconductor Epitaxy — ລະບຸຂໍ້ກໍານົດດ້ານວິຊາການສໍາລັບ SiC-coated graphite susceptors ກະກຽມໂດຍຂະບວນການ CVD ກ່ຽວກັບ substrates isostatic graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ນໍາໃຊ້ກັບຜະລິດຕະພັນ semiconductor epitaxy.

3. T/CASME 2085-2025 ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງຜະລິດຕະພັນເຄືອບ Tantalum Carbide ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ Silicon Carbide Crystal — ຂໍ້ກໍາຫນົດດ້ານວິຊາການສໍາລັບຜະລິດຕະພັນ graphite ເຄືອບ TaC ໃນສະຖານະການການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC.

4. Nakamura et al., "ການເຄືອບ tantalum carbide sintered ສຸດ substrates graphite: ການເຄືອບປ້ອງກັນທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ສູງສໍາລັບການຂະຫຍາຍໃຫຍ່ຫຼວງແລະ epitaxial," Applied Physics Letters, Vol. 106, 082108, 2015. — ຢືນຢັນວ່າການເຄືອບ TaC ສາມາດປົກປ້ອງພື້ນຜິວກຼາຟໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ (> 2000°C) ແລະບັນຍາກາດທີ່ກັດເຊາະຢ່າງແຂງແຮງ, ສ້າງຂອບເຂດປະສິດທິພາບທີ່ຊັດເຈນກັບສານເຄືອບ SiC.

5. Wang et al., "ຜົນກະທົບຂອງຊັ້ນ buffer carbonized ຕໍ່ການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງ SiC on Si," Journal of Crystal Growth, Vol. 199, pp. 564–567, 1999. — ສົນທະນາກ່ຽວກັບຜົນກະທົບຂອງຊັ້ນ buffer ແລະການຄວບຄຸມ morphology ດ້ານໃນຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC CVD, ດັດສະນີໂດຍ Scopus ແລະ Web of Science.

ໝາຍເຫດ: ຂໍ້ມູນຕະຫຼອດຊີວິດ ແລະປະສິດທິພາບໃນຂໍ້ຄວາມແມ່ນຄ່າອ້າງອີງປົກກະຕິ. ການປະຕິບັດຕົວຈິງໄດ້ຮັບຜົນກະທົບຈາກເງື່ອນໄຂຂະບວນການສະເພາະ, ສະຖານະການອຸປະກອນແລະລະດັບການບໍາລຸງຮັກສາ. ກະລຸນາກວດສອບດ້ວຍການວັດແທກຕົວຈິງ.

ຜູ້ຂຽນ:ທີມງານວິສະວະກໍາດ້ານວິຊາການ VeTek Semiconductor (ສໍາເລັດພາຍໃຕ້ການຊີ້ນໍາຂອງດຣ Xiao)

ສໍາລັບການສົນທະນາດ້ານວິຊາການເພີ່ມເຕີມຫຼືການປະເມີນຕົວຢ່າງ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໂດຍຜ່ານເວັບໄຊທ໌ທາງການ.