ຜະລິດຕະພັນ
CVD SiC coated Graphite Susceptor ສໍາລັບ Wafer Carrier
  • CVD SiC coated Graphite Susceptor ສໍາລັບ Wafer CarrierCVD SiC coated Graphite Susceptor ສໍາລັບ Wafer Carrier

CVD SiC coated Graphite Susceptor ສໍາລັບ Wafer Carrier

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor ສໍາລັບ Wafer Carrier ແມ່ນອົງປະກອບສະຫນັບສະຫນູນ wafer ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບຂະບວນການ epitaxy semiconductor. ຜະລິດຕະພັນດັ່ງກ່າວໃຊ້ graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງເປັນ substrate ແລະຖືກເຄືອບດ້ວຍຊັ້ນ CVD silicon carbide (SiC) ເປັນເອກະພາບ, ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ແລະການຄວບຄຸມອະນຸພາກ. ໃນຖານະເປັນອົງປະກອບ susceptor graphite ທີ່ສໍາຄັນ, ມັນສະຫນັບສະຫນູນໂດຍກົງ wafers ພາຍໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາແລະຊ່ວຍຮັກສາການແຜ່ກະຈາຍອຸນຫະພູມເອກະພາບແລະເງື່ອນໄຂການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ທີ່ຫມັ້ນຄົງ.

1. ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງຜະລິດຕະພັນ


  • ວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ:ວັດສະດຸ graphite ລະດັບ semiconductor ແລະໂຄງສ້າງການເຄືອບ SiC ຫນາແຫນ້ນຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນແລະປັບປຸງຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງ CVD SiC coated graphite susceptor.
  • ເອກະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ:ໂຄງສ້າງ graphite ທີ່ດີທີ່ສຸດແລະການເຄືອບ SiC ສະຫນອງການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມ wafer ເປັນເອກະພາບ.
  • ຄວາມຕ້ານທານທາງເຄມີຊັ້ນສູງ:ການເຄືອບ SiC ທີ່ຫນາແຫນ້ນສະຫນອງຄວາມຕ້ານທານທີ່ເຂັ້ມແຂງຕໍ່ກັບອາຍແກັສຂະບວນການແລະສະພາບແວດລ້ອມ corrosive.
  • ຊີວິດການບໍລິການຍາວ:ຄວາມແຂງສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ປັບປຸງຄວາມທົນທານພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂ epitaxy ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.
  • ການຜະລິດອະນຸພາກຕໍ່າ:ພື້ນຜິວ CVD SiC ທີ່ຫນາແຫນ້ນຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການປ່ອຍອະນຸພາກແລະປັບປຸງຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງຂະບວນການ wafer.
  • ຄວາມສາມາດໃນການອອກແບບທີ່ກໍາຫນົດເອງ:ມີຢູ່ໃນຂະຫນາດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ໂຄງສ້າງ, ແລະການຕັ້ງຄ່າຕາມຄວາມຕ້ອງການອຸປະກອນ.



2. ຂໍ້ກໍານົດດ້ານວິຊາການ

ລາຍການ
ຄ່າປົກກະຕິ
ວັດສະດຸຍ່ອຍ
Graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
ວັດສະດຸເຄືອບ
CVD Silicon Carbide (SiC)
ຄວາມບໍລິສຸດ SiC
≥99.999%
ຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບ
100 ± 20 μm (ປັບແຕ່ງໄດ້)
ຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບ
ຄວບຄຸມພາຍໃນ 10 μmລະຫວ່າງ batch
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການເຄືອບ CVD SiC
3.21 g/cm³
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ
300 W/m·K
ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ
4.5 × 10⁻⁶/ກ

3. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ


  • ຂະບວນການ SiC Epitaxy:ຕົວອ່ອນ graphite ຖືກນໍາໃຊ້ເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ wafer ໃນອຸປະກອນ SiC epitaxy, ສະຫນັບສະຫນູນ substrates SiC ໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxy ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.
  • ຂະບວນການ Epitaxy Silicon:ນໍາໃຊ້ໃນເຕົາປະຕິກອນຊິລິໂຄນ epitaxial ສໍາລັບສະຫນັບສະຫນູນ wafers ແລະຮັກສາສະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ຫມັ້ນຄົງ.
  • MOCVD Epitaxy:VETEK graphite susceptors ເຫມາະສໍາລັບ MOCVD, LED epitaxy, GaN epitaxy, silicon epitaxy, ແລະຂະບວນການຜະລິດ semiconductor ອື່ນໆທີ່ຕ້ອງການຄວາມເປັນເອກະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ..
  • ອຸປະກອນການຜະລິດ semiconductor:ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບແພລະຕະຟອມ epitaxy ຕ່າງໆ, ລວມທັງ furnaces ລວງນອນ LPE, Aixtron, NuFlare, ແລະອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.



4. ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກ VETEK?

VETEK ສະໜອງການປັບແຕ່ງ CVD SiC coated graphite susceptor solutions ປະສົມປະສານການ purification graphite, ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ, ການເຄືອບ CVD, ແລະຄວາມສາມາດໃນການກວດກາ. ຜະລິດຕະພັນ graphite susceptor ລະດັບ semiconductor ຂອງພວກເຮົາມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບເປັນແບບດຽວກັນ, ປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ແລະອາຍຸການໃຊ້ງານຍາວສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ carrier wafer.

Hot Tags: CVD SiC Coated Graphite Susceptor, Graphite Susceptor, SiC Coated Graphite Wafer Carrier, Semiconductor Epitaxy Susceptor, MOCVD Graphite Susceptor, SiC Wafer Carrier, CVD SiC Graphite Susceptor
ສົ່ງສອບຖາມ
ຂໍ້​ມູນ​ຕິດ​ຕໍ່
  • ທີ່ຢູ່

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, ເມືອງ Jinhua, ແຂວງ Zhejiang, ຈີນ

  • ອີເມວ

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ. ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
ປະຕິເສດຍອມຮັບ