ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ SIC SIC

MOCVD ແມ່ນເທັກໂນໂລຍີການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຮູບເງົາບາງໆທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor, optoelectronic ແລະ microelectronic. ໂດຍຜ່ານເທກໂນໂລຍີ MOCVD, ຮູບເງົາວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງສາມາດຖືກຝາກໄວ້ໃນຊັ້ນຍ່ອຍ (ເຊັ່ນ: ຊິລິໂຄນ, sapphire, silicon carbide, ແລະອື່ນໆ).

ໃນອຸປະກອນ MOCVD, ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ SiC Coating graphite MOCVD ສະຫນອງສະພາບແວດລ້ອມຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບແລະຫມັ້ນຄົງຢູ່ໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາອຸນຫະພູມສູງ, ອະນຸຍາດໃຫ້ປະຕິກິລິຍາເຄມີໄລຍະອາຍແກັສດໍາເນີນການ, ດັ່ງນັ້ນການຝາກຮູບເງົາບາງໆທີ່ຕ້ອງການຢູ່ເທິງພື້ນຜິວ substrate.

ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ SiC Coating graphite MOCVD ຂອງ VeTek Semiconductor ແມ່ນເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸ graphite ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີການເຄືອບ SiC. The SiC Coated graphite heater MOCVD ຜະລິດຄວາມຮ້ອນໂດຍຜ່ານຫຼັກການຂອງຄວາມຮ້ອນຕໍ່ຕ້ານ.

ຫຼັກຂອງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ MOCVD graphite Coating SiC ແມ່ນ substrate graphite. ກະແສໄຟຟ້າຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍຜ່ານການສະຫນອງພະລັງງານພາຍນອກ, ແລະລັກສະນະການຕໍ່ຕ້ານຂອງ graphite ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສ້າງຄວາມຮ້ອນເພື່ອບັນລຸອຸນຫະພູມສູງທີ່ຕ້ອງການ. ການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນ graphite ແມ່ນດີເລີດ, ເຊິ່ງສາມາດເຮັດຄວາມຮ້ອນໄດ້ໄວແລະຖ່າຍທອດອຸນຫະພູມໃຫ້ທົ່ວຫນ້າຂອງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນທັງຫມົດ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ການເຄືອບ Sic ບໍ່ມີຜົນກະທົບຕໍ່ການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນຂອງ graphite, ຊ່ວຍໃຫ້ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນຕອບແທນການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມຢ່າງໄວວາແລະຮັບປະກັນການແຈກຢາຍອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບ.

graphite ບໍລິສຸດແມ່ນມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການຜຸພັງພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂອຸນຫະພູມສູງ. ການເຄືອບ SiC ປະສິດທິຜົນແຍກ graphite ຈາກການຕິດຕໍ່ໂດຍກົງກັບອົກຊີເຈນ, ດັ່ງນັ້ນການປ້ອງກັນປະຕິກິລິຍາ oxidation ແລະຍືດອາຍຸຂອງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ອຸປະກອນ MOCVD ໃຊ້ອາຍແກັສ corrosive (ເຊັ່ນ: ammonia, hydrogen, ແລະອື່ນໆ) ສໍາລັບ vapor deposition ສານເຄມີ. ຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີຂອງສານເຄືອບ SiC ເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນຂອງທາດອາຍຜິດເຫຼົ່ານີ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບແລະປົກປ້ອງ substrate graphite.

ພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ, ວັດສະດຸ Graphite Graphite ທີ່ບໍ່ສາມາດປ່ອຍເຂົ້າກາກບອນ, ເຊິ່ງຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນນະພາບຂອງການຝາກຂອງຮູບເງົາ. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງການເຄືອບ SIC ຫ້າມການປ່ອຍເຂົ້າກາກບອນ, ໃຫ້ຂະບວນການ Mocvd ໄດ້ຖືກປະຕິບັດໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສະອາດ, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງ semiconductor ທີ່ມີຄວາມສະອາດສູງ.

ສຸດທ້າຍ, ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນຂອງ Sic Graphite ແມ່ນຖືກອອກແບບໃນວົງມົນຫຼືຮູບຊົງປົກກະຕິອື່ນໆເພື່ອຮັບປະກັນອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບຢູ່ເທິງຫນ້າດິນຍ່ອຍ. ຄວາມເປັນເອກະພາບອຸນຫະພູມແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຮູບເງົາຫນາ, ໂດຍສະເພາະໃນຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງ MOCI-epita-such ເຊັ່ນ: Gan ແລະ Inp.

VeTeK Semiconductor ໃຫ້ບໍລິການປັບແຕ່ງແບບມືອາຊີບ. ຄວາມສາມາດດ້ານເຄື່ອງຈັກແລະການເຄືອບ SiC ຊັ້ນນໍາຂອງອຸດສາຫະກໍາເຮັດໃຫ້ພວກເຮົາສາມາດຜະລິດເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນລະດັບສູງສຸດສໍາລັບອຸປະກອນ MOCVD, ເຫມາະສໍາລັບອຸປະກອນ MOCVD ສ່ວນໃຫຍ່.

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC

ການເຄືອບ semetonductor sic coating cragrite mocvd