ເທັກໂນໂລຍີ ແລະວິທີແກ້ໄຂ

ການເລືອກ CVD SiC ທີ່ຖືກຕ້ອງ, ການເຄືອບ TaC ຫຼື Solid SiC ໂດຍກົງກໍານົດລະດັບອະນຸພາກແລະອົງປະກອບຕະຫຼອດຊີວິດຂອງເສັ້ນ epitaxy / etching. ບົດຄວາມນີ້ໃຫ້ຂອບເຂດການຄັດເລືອກທີ່ຊັດເຈນໂດຍອຸນຫະພູມ, ບັນຍາກາດແລະຂະບວນການ, ຈັບຄູ່ກັບວິທີແກ້ໄຂການທົດແທນອຸປະກອນທີ່ສໍາຄັນແລະ metrics ທີ່ສໍາຄັນ, ຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານຕັດສິນໃຈໄວແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງ.

ຄົ້ນພົບວ່າເທັກໂນໂລຍີເລເຊີແບບນ້ຳຂອງ VeTek ໃຫ້ຄວາມເປັນເອກະພາບ Φ0.15mm ໂດຍຜ່ານຮູໃນ 2mm SiC substrates ທີ່ບໍ່ມີ taper, HAZ ໜ້ອຍທີ່ສຸດ ແລະໃຫ້ຜົນຜະລິດສູງສຳລັບການນຳໃຊ້ semiconductor.

ບັນຫາດ້ານວິຊາການທີ່ທ້າທາຍທີ່ສຸດສໍາລັບອຸປະກອນ semiconductor pins lift hollow ບໍ່ແມ່ນການເຄືອບດ້ານນອກ, ແຕ່ບັນລຸການເຄືອບ CVD ທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະເປັນເອກະພາບໃນກໍາແພງພາຍໃນຂອງໂຄງສ້າງເປັນຮູ. ຈາກການຄວບຄຸມຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງການເຄືອບພາຍໃນເຖິງການຮັບປະກັນຄວາມສະອາດພາຍໃນ, ທຸກໆຂັ້ນຕອນຂອງຂະບວນການມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ຜົນຜະລິດຂອງ wafer. ບົດ​ຄວາມ​ນີ້​ວິ​ເຄາະ​ຄວາມ​ທ້າ​ທາຍ​ຫຼັກ​ຂອງ​ການ​ເຄືອບ​ການ​ຍົກ​ເປັນ​ຮູ​ໃນ​ຝາ​ແລະ​ເສັ້ນ​ທາງ​ວິ​ຊາ​ການ​ທີ່​ສໍາ​ຄັນ​.