ຫຼັງຈາກວັດສະດຸຖືກເລືອກ, ສິ່ງທີ່ມັກຈະຕັດສິນໃຈກ່ຽວກັບການປະຕິບັດຂອງເຄື່ອງມືແມ່ນການວັດແທກປະລິມານເຊັ່ນ: ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ລະດັບອະນຸພາກແລະຄວາມບໍລິສຸດ. ບົດ​ຄວາມ​ນີ້​ຈັດ​ຕັ້ງ​ຂະ​ຫນາດ​ຄຸນ​ນະ​ພາບ​ທີ່​ສໍາ​ຄັນ​ຂອງ​ການ​ເຄືອບ CVD SiC ໃນ​ການ​ຍອມ​ຮັບ​ແລະ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​, ການ​ຊ່ວຍ​ເຫຼືອ​ຍ້າຍ​ຈາກ "ການ​ແຂ່ງ​ຂັນ​ສະ​ເພາະ​" ກັບ "ການ​ລາຍ​ງານ​ສາ​ມາດ​ກວດ​ສອບ​ແລະ​ຄວາມ​ສ່ຽງ​ທີ່​ຄາດ​ວ່າ​ຈະ​ໄດ້​.

1.ເປັນຫຍັງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມສອດຄ່ອງໂດຍກົງມີຜົນກະທົບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນແລະປະສິດທິພາບຂອງຮູບເງົາ?

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບທີ່ບໍ່ເປັນເອກະພາບຈະປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນໃນທ້ອງຖິ່ນແລະສະພາບຂອງພື້ນຜິວ, ເຊິ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງອຸນຫະພູມແລະການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາ epitaxial. ເປົ້າຫມາຍວິສະວະກໍາປົກກະຕິແມ່ນການຄວບຄຸມຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນພາຍໃນ ± 5%, ໂດຍຈຸດວັດແທກຖືກຈັດໃສ່ໃນເຂດທີ່ສໍາຄັນຂອງພາກສ່ວນ - ບໍ່ພຽງແຕ່ເບິ່ງມູນຄ່າສະເລ່ຍເທົ່ານັ້ນ.

ສໍາລັບພາກສ່ວນເຂດຮ້ອນເຊັ່ນ: susceptors ແລະ preheat rings, ການເຄືອບແມ່ນທັງອຸປະສັກເຄມີແລະສ່ວນຫນຶ່ງຂອງເສັ້ນທາງຄວາມຮ້ອນ. ພາຍໃຕ້ຄວາມຫນານາມດຽວກັນ, ການບິດເບືອນຂະຫນາດໃຫຍ່ລະຫວ່າງແຂບແລະສູນກາງ, ຫຼືລະຫວ່າງຮ່ອງແລະພື້ນທີ່ຮາບພຽງ, ສາມາດຂະຫຍາຍການປ່ຽນແປງຄວາມສອດຄ່ອງຢູ່ຂອບຂອງປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການ.

ລາຍການທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຄວາມຫນາທີ່ຈະເບິ່ງ

• ຄວາມຫນານາມແລະຄວາມທົນທານ (ກົງກັບຂະບວນການແລະໂຄງສ້າງສ່ວນ)

• ຄວາມເປັນເອກະພາບຫຼາຍຈຸດ (ແນະນຳໃຫ້ກວມເອົາສູນກາງ, ຂອບ ແລະເຂດການປ່ຽນໂຄງສ້າງ)

• ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງການປະເຊີນໜ້າທີ່ບໍ່ສຳຄັນ ແລະ ບໍ່ສຳຄັນແມ່ນຢູ່ພາຍໃນຂອບເຂດທີ່ຍອມຮັບໄດ້ຫຼືບໍ່

2.ຕ້ອງການວັດແທກປະລິມານອັນໃດສຳລັບການຄວບຄຸມອະນຸພາກ?

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ການຄວບຄຸມອະນຸພາກບໍ່ສາມາດຢຸດຢູ່ທີ່ "ອະນຸພາກຕ່ໍາ." ມັນຄວນຈະລົງໃນຄວາມສະອາດຫນ້າດິນ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການເປັນຝຸ່ນໃນການນໍາໃຊ້. ການປະຕິບັດດ້ານວິສະວະກໍາມັກຈະໃຊ້ອະນຸພາກຕໍ່ພື້ນທີ່ຫນ່ວຍງານ, ຄວາມຫຍາບຂອງຫນ້າດິນແລະຄວາມສົມບູນຂອງການເຄືອບເປັນລາຍການກວດກາທີ່ເຂົ້າມາແລະກ່ອນທີ່ຈະນໍາໃຊ້ເຄື່ອງມື. ລະດັບອະນຸພາກເປົ້າຫມາຍອາດຈະອ້າງອີງຄໍາສັ່ງ ≤0.1/cm² ແລະຖືກຮັດຫຼືຜ່ອນຄາຍຕໍ່ຂະບວນການປູກ.

Epitaxy ແລະ etching ແມ່ນອະນຸພາກທີ່ລະອຽດອ່ອນ. ຖ້າການເຄືອບມີ porous, micro-cracked, ຫຼືຢູ່ໃນທ້ອງຖິ່ນທີ່ຫນາ / ບາງເກີນໄປ, ມັນມັກຈະກາຍເປັນແຫຼ່ງອະນຸພາກຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ບາງ. ການໃຫ້ຄວາມກະຈ່າງແຈ້ງໃນສະພາບພື້ນຜິວໃນການຍອມຮັບທີ່ເຂົ້າມາແມ່ນມີປະສິດຕິຜົນຫຼາຍກ່ວາການກໍາຫນົດການຕໍານິຕິຕຽນຫຼັງຈາກບັນຫາປາກົດ.

ຈຸດກວດສອບອະນຸພາກ ແລະພື້ນຜິວ

• ຮູບລັກສະນະ: ສີທີ່ເປັນເອກະພາບ, ບໍ່ມີຮູຂຸມຂົນ, ໂພງຫຼື delamination

• ບໍ່ວ່າຈະເປັນຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ (Ra) ຢູ່ໃນຂອບເຂດທີ່ຕົກລົງກັນ

• ບໍ່​ວ່າ​ຈະ​ເປັນ​ບົດ​ລາຍ​ງານ​ອະ​ນຸ​ພາກ​ຫຼື​ຄວາມ​ສະ​ອາດ​ແມ່ນ​ໄດ້​ສະ​ຫນອງ​ໃຫ້ (ຕາມ​ວິ​ທີ​ການ​ທົດ​ສອບ​ທີ່​ຕົກ​ລົງ​ກັນ​ແລະ​ກັນ​)

3.ວິທີການກວດສອບຄວາມບໍລິສຸດ, ຄວາມຫນາແລະສະພາບຫນ້າດິນໃນການກວດກາທີ່ເຂົ້າມາ?

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ມັນໄດ້ຖືກແນະນໍາໃຫ້ປະຕິບັດບົດລາຍງານຄວາມບໍລິສຸດ GDMS/ICP-OES, ຄວາມຫນາແລະຄວາມເປັນເອກະພາບ, ຮູບລັກສະນະແລະຂະຫນາດທີ່ສໍາຄັນເປັນຊຸດຂາເຂົ້າມາດຕະຖານ. ຄວາມບໍລິສຸດຂອງເຄືອບສາມາດຕໍ່າກວ່າ 5 ppm; ບາງຊຸດບັນລຸ 99.99995%. ບົດລາຍງານຄວນສ້າງແຜນທີ່ໃສ່ຈໍານວນສະເພາະ ແລະພາກສ່ວນຕ່າງໆເພື່ອການຕິດຕາມ.

ບັນຊີລາຍຊື່ການຍອມຮັບທີ່ສາມາດປະຕິບັດໄດ້ແມ່ນເປັນປະໂຫຍດຫຼາຍກ່ວາຄໍາເວົ້າທີ່ "ຕອບສະຫນອງສະເພາະ." ລາຍການຕໍ່ໄປນີ້ສາມາດຖືກຕັດຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງພືດແລະຂຽນເຂົ້າໃນການຊື້ແລະເອກະສານ IQC.

ແນະນຳລາຍການກວດສອບຂາເຂົ້າ

ກ່ອນທີ່ຈະໃຊ້ເຄື່ອງມື, ການຢັ້ງຢືນຕົວຢ່າງຂອງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງອຸນຫະພູມແລະການປະຕິບັດຂອງອະນຸພາກແມ່ນຍັງແນະນໍາໃຫ້. ບົດລາຍງານທີ່ຜ່ານບໍ່ໄດ້ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ດີທີ່ສຸດພາຍໃນປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການ, ແຕ່ມັນສາມາດຫຼຸດຜ່ອນໂອກາດທີ່ຈະປ່ອຍຂໍ້ບົກພ່ອງໃຫ້ກັບເຄື່ອງມືຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.

4.ຄໍາແນະນໍາພາກປະຕິບັດສໍາລັບວິສະວະກອນໃນການຈັດຕໍາແຫນ່ງທີ່ມີຄຸນນະພາບ

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ຂຽນຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຫນາ, ອະນຸພາກ / ພື້ນຜິວແລະຄວາມບໍລິສຸດເຂົ້າໄປໃນຂໍ້ຍອມຮັບທີ່ປະຕິບັດໄດ້, ແລະຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີບົດລາຍງານເພື່ອວາງແຜນຫນຶ່ງຕໍ່ຫນຶ່ງທີ່ມີຈໍານວນຫລາຍ. ເມື່ອຄວາມຜິດປົກກະຕິເກີດຂຶ້ນ, ທໍາອິດປຽບທຽບເຄື່ອງມືອື່ນໆໃນຫຼາຍອັນດຽວກັນແລະການປ່ຽນແປງຂະບວນການ, ຫຼັງຈາກນັ້ນຕັດສິນໃຈວ່າຈະຍົກລະດັບການແກ້ໄຂວັດສະດຸ.

ລຳດັບທີ່ແນະນຳ:

1. ໃນສະເພາະການຊື້, ກໍານົດຄວາມທົນທານຄວາມຫນາ, ເປົ້າຫມາຍຄວາມສອດຄ່ອງ, ວິທີການຄວາມບໍລິສຸດແລະຂໍ້ຈໍາກັດ, ແລະຄວາມຕ້ອງການຮູບລັກສະນະ.

2. ທີ່ເຂົ້າມາ, ກວດເບິ່ງບົດລາຍງານຕໍ່ກັບຫຼາຍທາງດ້ານຮ່າງກາຍ; ຕົວຢ່າງຂະຫນາດແລະຮູບລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນ.

3. ຫຼັງ​ຈາກ​ຫຼາຍ​ຫຼື​ການ​ປ່ຽນ​ແປງ​ຂະ​ບວນ​ການ​ໃຫມ່​, ດໍາ​ເນີນ​ການ batch ຂະ​ຫນາດ​ນ້ອຍ​ກ່ຽວ​ກັບ​ເຄື່ອງ​ມື​ເພື່ອ​ກວດ​ສອບ​ການ​ເຂົ້າ​ແລະ​ຄວາມ​ເປັນ​ເອ​ກະ​ພາບ​.

4. ໃນເວລາທີ່ອາຍຸການຫຼືອະນຸພາກມີຄວາມຜິດປົກກະຕິ, ສືບສວນຂໍ້ມູນການເຄືອບແລະ furnace / ຂະບວນການຂະຫນານ; ຫຼີກ​ລ້ຽງ​ການ​ສະ​ແດງ​ໃຫ້​ເຫັນ​ເຫດ​ຜົນ​ດຽວ​.

5.ກໍລະນີສຶກສາ: ຊ່ອງຫວ່າງການຍອມຮັບທີ່ຄວາມຫນາສະເລ່ຍໄດ້ຜ່ານໄປແຕ່ຂອບບໍ່ສໍາເລັດ

ສະຫຼຸບຫຼັກ:ລາຍງານພຽງແຕ່ຄວາມຫນາສະເລ່ຍແມ່ນບໍ່ພຽງພໍ. ການເຮັດໃຫ້ບາງໆ ຫຼື ໜາຢູ່ບໍລິເວນຂອບ ແລະ ເຂດການຫັນປ່ຽນໂຄງສ້າງເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມສ່ຽງໂດຍກົງຕໍ່ອະນຸພາກ ແລະ ຄວາມຮ້ອນ. ການຍອມຮັບຕ້ອງລະບຸຄວາມສອດຄ່ອງຫຼາຍຈຸດ ແລະສະຖານທີ່ການວັດແທກ - ບໍ່ພຽງແຕ່ວ່າຄ່າສະເລ່ຍຂອງດິສກ໌ຕົກຢູ່ໃນຄວາມທົນທານນາມເທົ່ານັ້ນ.

ຫມາຍເຫດວິສະວະກໍາ:

ຫຼັງຈາກ ກSiC epitaxyເສັ້ນໄດ້ນໍາສະເຫນີຂໍ້ກໍາຫນົດໃຫມ່CVD SiC ເຄືອບsusceptor, IQC ໄດ້ກວດເບິ່ງບົດລາຍງານຜູ້ສະຫນອງ: ຄວາມຫນານາມແລະຄວາມຫນາຂອງແຜ່ນໂດຍສະເລ່ຍແມ່ນທັງສອງຢູ່ໃນຄວາມທົນທານທີ່ໄດ້ຕົກລົງ, ຄວາມບໍລິສຸດ GDMS ຜ່ານໄປ, ແລະຮູບລັກສະນະທີ່ບໍ່ປາກົດວ່າມີຄວາມຜິດປົກກະຕິທີ່ຊັດເຈນ, ດັ່ງນັ້ນ lots ໄດ້ຖືກປ່ອຍອອກມາໃນເຄື່ອງມື. ຫຼັງ​ຈາກ​ແລ່ນ​ປະມານ 20 ອັນ, ບາງ​ຖາດ​ໄດ້​ສະແດງ​ໃຫ້​ເຫັນ​ອະນຸພາກ​ທີ່​ເພີ່ມ​ຂຶ້ນ​ເລື້ອຍໆ ແລະ​ການ​ເຮັດ​ໃຫ້​ຟິມ​ທ້ອງ​ຖິ່ນ​ບາງໆ​ຢູ່​ໃນ​ເຂດ​ທີ່​ສອດ​ຄ້ອງ​ກັນ​ຂອງ wafer, ໃນຂະນະທີ່​ຖາດ​ອື່ນໆ​ຈາກ​ຫຼາຍ​ອັນ​ດຽວ​ກັນ​ເຮັດ​ຕາມ​ປົກກະຕິ. ການແຜ່ກະຈາຍອາຍແກັສຂະບວນການໄດ້ຖືກສົງໃສໃນຕອນທໍາອິດ, ແຕ່ໃນເວລາທີ່ສະພາການດຽວກັນໄດ້ຖືກປ່ຽນກັບຄືນໄປບ່ອນ trays ເກົ່າ, ບັນຫາແຂບໄດ້ຫຼຸດລົງຢ່າງຊັດເຈນ, ຊີ້ໃຫ້ເຫັນເຖິງ lot ໃຫມ່ຂອງມັນເອງ. ການວັດແທກຄວາມຫນາຫຼາຍຈຸດກ່ຽວກັບພາກສ່ວນທີ່ລົ້ມເຫລວທຽບກັບສ່ວນປົກກະຕິຫຼາຍອັນຫຼັງຈາກນັ້ນໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ: ສະເລ່ຍຂອງແຜ່ນແມ່ນແນ່ນອນຢູ່ໃນ spec, ແຕ່ຈຸດທີ່ຢູ່ໃກ້ກັບຂອບນອກແມ່ນເປັນລະບົບປະມານ 8% ຫາ 12% ບາງໆ, ແລ້ວເກີນເປົ້າຫມາຍຄວາມເປັນເອກະພາບພາຍໃນຂອງພືດ ± 5%; ເຂດບາງໆໄດ້ທັບຊ້ອນກັນເຂດອະນຸພາກສູງ. ສາເຫດຂອງຮາກແມ່ນ traced ກັບອັດຕາເງິນຝາກຢູ່ໃນຮ່ອງແລະວົງນອກບໍ່ໄດ້ຖືກປັບຢ່າງເຕັມສ່ວນສໍາລັບໂຄງສ້າງນັ້ນ; ບົດ​ລາຍ​ງານ​ລາຍ​ຈ່າຍ​ໄດ້​ສະ​ຫນອງ​ໃຫ້​ພຽງ​ແຕ່​ສະ​ເລ່ຍ​, ໂດຍ​ບໍ່​ມີ​ການ​ແບ່ງ​ປັນ​ຫຼາຍ​ຈຸດ​ໄດ້​ຕົກ​ລົງ​. ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ເສັ້ນດັ່ງກ່າວໄດ້ຂຽນວ່າ "ກາງ + ຂອບ + ການຫັນປ່ຽນຮ່ອງ" ຄວາມເປັນເອກະພາບຫຼາຍຈຸດເຂົ້າໄປໃນການກວດສອບທີ່ເຂົ້າມາທີ່ບັງຄັບແລະລາຍງານທີ່ຈໍາເປັນເພື່ອປະກອບມີແຜນທີ່ຈຸດວັດແທກ. ຫຼັງຈາກຜູ້ສະຫນອງໄດ້ປັບປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການວົງແຫວນນອກໃນຈໍານວນຫລາຍຕໍ່ມາ, ອະນຸພາກຂອບແລະການປ່ຽນແປງຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາໄດ້ກັບຄືນສູ່ລະດັບປະຫວັດສາດ. ກໍລະນີນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ: ສະເລ່ຍໃນ spec ບໍ່ໄດ້ຫມາຍຄວາມວ່າຄວາມເປັນເອກະພາບໃນ spec. ສໍາລັບຕົວອ່ອນທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວດ້ານຄວາມຮ້ອນ, ການຍອມຮັບໂດຍບໍ່ມີຄວາມຫນາຫຼາຍຈຸດແລະຂໍ້ມູນສະຖານທີ່ສາມາດເຮັດໃຫ້ຂໍ້ບົກພ່ອງໃນທ້ອງຖິ່ນເຂົ້າໄປໃນສາຍ. ການຂຽນຮູບແບບການວັດແທກຈຸດແລະເປົ້າຫມາຍຄວາມສອດຄ່ອງເຊັ່ນ: ± 5% ເຂົ້າໄປໃນຂໍ້ມູນສະເພາະແມ່ນມີປະສິດທິພາບຫຼາຍກ່ວາການໂຕ້ຖຽງຫຼັງຈາກນັ້ນວ່າ "ບົດລາຍງານສາມາດຍອມຮັບໄດ້."

6.FAQ

1. ຄວາມຫນາ ±5% ເປັນມາດຕະຖານບັງຄັບບໍ?

ມັນເປັນເປົ້າຫມາຍວິສະວະກໍາທົ່ວໄປ, ບໍ່ແມ່ນມາດຕະຖານທາງດ້ານກົດຫມາຍທີ່ເປັນເອກະລັກ. ຂອບເຂດທີ່ເຄັ່ງຄັດກວ່າຫຼືກວ້າງກວ່າເລັກນ້ອຍສາມາດຕົກລົງກັບຜູ້ສະຫນອງໂດຍອີງໃສ່ໂຄງສ້າງສ່ວນແລະຄວາມອ່ອນໄຫວຂອງຂະບວນການ. ສິ່ງທີ່ ສຳ ຄັນແມ່ນການຄຸ້ມຄອງຈຸດວັດແທກແລະການລາຍງານການຕິດຕາມ.

2. ≤0.1/cm² ນຳໃຊ້ກັບທຸກຂະບວນການບໍ?

ມັນເປັນຄໍາສັ່ງອ້າງອີງຂອງຂະຫນາດ. ເງື່ອນໄຂສຸດທ້າຍຄວນປະຕິບັດຕາມສະພາ, ຂະບວນການແລະຄວາມຕ້ອງການຜົນຜະລິດຂອງພືດ, ດ້ວຍວິທີການທົດສອບແລະກົດລະບຽບການຕັດສິນທີ່ຂຽນໄວ້ໃນສະເພາະ.

3. ບົດລາຍງານຄວາມບໍລິສຸດຢ່າງດຽວພຽງພໍບໍ?

ຕໍາ່ສຸດທີ່, ຄວາມບໍລິສຸດ, ຄວາມຫນາ / ຄວາມສອດຄ່ອງແລະຮູບລັກສະນະ (ບວກກັບ metrics ດ້ານ) ຄວນຈະມີຮ່ວມກັນ; ການຈັບຄູ່ມິຕິຍັງມີຜົນກະທົບຕໍ່ການໃຊ້ເຄື່ອງມື.

4. ຈະເປັນແນວໃດຖ້າບົດລາຍງານຜ່ານໄປແຕ່ອະນຸພາກໃນເຄື່ອງມືຍັງສູງ?

ທໍາອິດປຽບທຽບເຄື່ອງມືອື່ນໆໃນຫຼາຍອັນດຽວກັນ, ການປ່ຽນແປງຂະບວນການ / ການບໍາລຸງຮັກສາທີ່ຜ່ານມາແລະສະຖານະການທໍາຄວາມສະອາດ, ຫຼັງຈາກນັ້ນປະເມີນວ່າການແກ້ໄຂການເຄືອບຫຼືປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການຕ້ອງການປັບ. ກວດຂ້າມກັບໜ້າການເລືອກ-ການຕັດສິນໃຈ ແລະອຸປະກອນ-ເຂົ້າກັນໄດ້ໃນກຸ່ມ ຖ້າຈຳເປັນ.

5. ການຊ່ວຍເຫຼືອດ້ານຄຸນນະພາບໃດແດ່ທີ່ VeTek ສາມາດສະຫນອງໄດ້?

GDMS/ICP-OES ແລະບົດລາຍງານການວິເຄາະທີ່ຄ້າຍຄືກັນ, ຂໍ້ມູນຄວາມຫນາແລະຄວາມເປັນເອກະພາບ, ການກວດສອບຕົວຢ່າງ, ແລະການສື່ສານດ້ານວິຊາການກ່ຽວກັບຄວາມຜິດປົກກະຕິ (ລວມທັງພາສາອັງກິດ) ສາມາດສະຫນອງໃຫ້.

7.ສະຫຼຸບແລະຂັ້ນຕອນຕໍ່ໄປ

ຫຼັງຈາກວັດສະດຸທີ່ຖືກຕ້ອງຖືກເລືອກ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ການຄວບຄຸມອະນຸພາກແລະຄວາມບໍລິສຸດຕັດສິນໃຈວ່າຫຼາຍຊະນິດສາມາດເຂົ້າໄປໃນປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການຢ່າງຫມັ້ນຄົງ. ການຂຽນສາມຂໍ້ນີ້ເຂົ້າໄປໃນຂໍ້ຍອມຮັບທີ່ສາມາດກວດສອບໄດ້ແລະຮຽກຮ້ອງໃຫ້ລາຍງານແຜນທີ່ເປັນຈໍານວນຫລາຍແມ່ນວິທີໂດຍກົງທີ່ສຸດເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ເຄື່ອງມື.

ຖ້າທ່ານຕ້ອງການວັດແທກການຍອມຮັບສໍາລັບພາກສ່ວນສະເພາະໃດຫນຶ່ງຫຼືຊ່ວຍຕີຄວາມຫມາຍລາຍງານ, ທ່ານຍິນດີຕ້ອນຮັບກັບທີມງານດ້ານວິຊາການ VeTek. ທ່ານດຣ Xiao ແລະທີມງານວິສະວະກໍາສາມາດຊ່ວຍໃນການຈັດຕໍາແຫນ່ງສະເພາະ, ການກວດສອບຕົວຢ່າງແລະການວິເຄາະຜິດປົກກະຕິ.

ສໍາລັບເຫດຜົນການຄັດເລືອກ, ເບິ່ງ:VETEK | ວິທີການເລືອກການເຄືອບ SiC, ການເຄືອບ TaC ຫຼື SiC ແຂງໂດຍເງື່ອນໄຂຂະບວນການ; ສໍາລັບກອບເຕັມ, ເບິ່ງຫນ້າເສົາຫຼັກຂອບເຂດການປະຕິບັດຂອງ CVD SiC, TaC ແລະ Solid SiC ໃນຂະບວນການ Epitaxy ແລະ Etching.

ການອ້າງອີງຫຼັກ ແລະແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ

1. ວິສະວະກໍາພາຍໃນ VeTek Semiconductor ແລະການປະຕິບັດການຍອມຮັບຂອງລູກຄ້າ.

2. ຄໍາອະທິບາຍ Metric ກ່ຽວກັບຄວາມບໍລິສຸດ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະການຄວບຄຸມອະນຸພາກໃນ CVD Coating Consumables Selection Engineering Handbook for Semiconductor Epitaxy & Etching Equipment.

3. ເວັບໄຊທ໌ຢ່າງເປັນທາງການຂອງ VeTek ຜະລິດຕະພັນແລະອຸປະກອນດ້ານວິຊາການ: https://www.veteksemicon.com/silicon-carbide-coating

ໝາຍເຫດ: ຕົວເລກຄວາມເປັນເອກະພາບ, ອະນຸພາກ ແລະ ຄວາມບໍລິສຸດໃນຂໍ້ຄວາມແມ່ນການອ້າງອີງທາງວິສະວະກຳແບບປົກກະຕິ; ມູນຄ່າຕົວຈິງປະຕິບັດຕາມຂໍ້ກໍານົດຂອງສັນຍາແລະຜົນການວັດແທກ.

ຜູ້ຂຽນ: VeTek Semiconductor Technical Engineering Team (ສໍາເລັດພາຍໃຕ້ການຊີ້ນໍາຂອງ Dr. Xiao)

ສໍາລັບການສົນທະນາດ້ານວິຊາການເພີ່ມເຕີມຫຼືການປະເມີນຕົວຢ່າງ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໂດຍຜ່ານເວັບໄຊທ໌ທາງການ.