ການເຄືອບ tac craucible

deals semiconductor ຂອງCVD TAC Coated Cruciblesປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນຫຼີ້ນບົດບາດສໍາຄັນຕໍ່ໄປນີ້ໃນຂັ້ນຕອນການເຕີບໂຕຂອງ PvT Crystal Sic

ວິທີການຂອງ PVT ຫມາຍເຖິງການວາງ CRYSOL CLOSSE PROSTAL AOLD ຢູ່ເທິງສຸດຂອງ TAC Coated of the Coated CruCible, ແລະວາງຜົງດິບເປັນວັດຖຸດິບຢູ່ທາງລຸ່ມຂອງໄມ້ທີ່ແຫ້ງ. ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ໃກ້ຊິດຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມກົດດັນຕ່ໍາ, ແລະພາຍໃຕ້ການກະທໍາຂອງຄວາມແຕກຕ່າງຂອງອຸນຫະພູມແລະຄວາມແຕກຕ່າງຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນ, Theຜົງ Sicຖືກໂອນໄປສູ່ບໍລິເວນໃກ້ຄຽງຂອງໄປເຊຍກັບແນວພັນ, ແລະໄປຮອດສະພາບທີ່ເຕັມທີ່ຫຼັງຈາກ recrystallization. ເພາະສະນັ້ນ, ວິທີການ PVT ສາມາດບັນລຸການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ຂອງຂະຫນາດ Crystal Sic ແລະ Crystal Crystal.

ant ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນຂອງການເຕີບໂຕຂອງ Crystal Crystal

Vetek semiconductor tac ທີ່ມີຄວາມລະດັບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ ຊັບສິນທາງດ້ານຮ່າງກາຍນີ້ຊ່ວຍໃຫ້ມີການເຄືອບ SIC Graphite GROCCOME ເພື່ອຄວບຄຸມຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ, ເຊິ່ງສົ່ງຜົນໃຫ້ເປັນເອກະພາບກັນແລະມີຂໍ້ບົກພ່ອງ.

●ອຸປະສັກທາງເຄມີທີ່ດີເລີດ

TAC coated crucibles ສົມທົບກັບການເຄືອບ carbide carbide ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງເພື່ອໃຫ້ມີຄວາມຕ້ານທານທີ່ດີເລີດກັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງສານພິດທີ່ກວ້າງຂວາງທົ່ວໄປໃນລະຫວ່າງການເຕີບໂຕຂອງ Crystal. ຊັບສິນນີ້ແມ່ນສໍາຄັນທີ່ຈະບັນລຸໄປເຊຍທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງມີຂໍ້ບົກຜ່ອງຫນ້ອຍທີ່ສຸດ.

●ການສັ່ນສະເທືອນປຽກສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມການຈະເລີນເຕີບໂຕທີ່ຫມັ້ນຄົງ

ຄຸນລັກສະນະທີ່ປຽກທີ່ດີເລີດຂອງ TAC Coated ຫຼຸດຜ່ອນການສັ່ນສະເທືອນແລະຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມຮ້ອນໃນການປະກອບສ່ວນຂອງ Graphite Crucible, ຕື່ມອີກໃສ່ສະພາບແວດລ້ອມການເຕີບໂຕຂອງ Crystal. ໂດຍການຫຼຸດຜ່ອນແຫຼ່ງທີ່ມີທ່າແຮງເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ການເຕີບໂຕຂະຫນາດໃຫຍ່ກວ່າເກົ່າ, ໃນທີ່ສຸດຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງອຸປະກອນຫຼຸດລົງແລະປັບປຸງປະສິດຕິພາບຂອງອຸປະກອນ.

antal ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ

Coated Crucibles Coated ຂອງ veteksemicon ມີຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ Graphite Crucible ທີ່ຈະໂອນຄວາມຮ້ອນໄດ້ໄວແລະງ່າຍດາຍ. ສິ່ງນີ້ກໍານົດການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມທີ່ຊັດເຈນຕະຫຼອດຂັ້ນຕອນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຜິດປົກກະຕິດ້ານຫລັງຫາຍໃຈທີ່ເກີດຈາກ gradients ຄວາມຮ້ອນ.

tantalum carbide (TAC) ການເຄືອບໃນສ່ວນກາເຟທີ່ມີກ້ອງຈຸລະທັດ

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງtantalum corbide ການເຄືອບ Carbide

ຮ້ານຂາຍເຄື່ອງຍ່ອຍທີ່ມີ semeton ມີ semeton ມີ semetonductor