ຜົງ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ SiC Crystal

1. ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

· ລະດັບຄວາມບໍລິສຸດສູງ:ຄວາມ​ສາ​ມາດ​ຄວາມ​ບໍ​ລິ​ສຸດ​ເຖິງ 99.9999​% (ເກຣດ 6N​)​.

· ຝຸ່ນໂລຫະຕ່ໍາສຸດ:ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນໂລຫະຕາມຮອຍທີ່ຖືກປັບປຸງໃຫ້ເຫມາະສົມສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ SiC.

· ຄວາມໂປ່ງໃສເຕັມທີ່:ຂໍ້​ມູນ​ການ​ທົດ​ສອບ GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry​) ເຕັມ​ທີ່​ມີ​ໃຫ້​ສໍາ​ລັບ​ທຸກ batch​.

·ປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ຫມັ້ນຄົງ:ພຶດຕິກຳ sublimation ທີ່ຄາດເດົາໄດ້ສູງ ແລະ ເປັນເອກະພາບໃນລະຫວ່າງການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ PVT.

· ການແຜ່ກະຈາຍຂະຫນາດອະນຸພາກຄວບຄຸມ:Granulometry ຕິດຕາມຢ່າງລະມັດລະວັງເພື່ອຮັກສາຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງບັນຈຸທີ່ສອດຄ່ອງ.

· ສູດ​ປັບ​ແຕ່ງ​:ຂະຫນາດອະນຸພາກທີ່ກໍາຫນົດເອງແລະເສັ້ນໂຄ້ງການແຜ່ກະຈາຍສາມາດໃຊ້ໄດ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ.

· ມາດ​ຕະ​ຖານ​ຄຸນ​ນະ​ພາບ Semiconductor​:ຜະລິດຢ່າງເຂັ້ມງວດພາຍໃຕ້ລະບົບການຄຸ້ມຄອງຄຸນນະພາບລະດັບ semiconductor.

2. ຮູບພາບຜະລິດຕະພັນ

3. ຂໍ້ມູນສະເພາະທາງດ້ານວິຊາການ

4. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

· PVT SiC ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ:ຜະສົມຜະສານ ແລະ ເຄິ່ງ insulating SiC.

· ຍ່ອຍສະຫຼາຍ semiconductor:Wafer substrate & ວັດຖຸດິບການປຸງແຕ່ງ epitaxial.

· ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນລະດັບສູງ:ອົງປະກອບເຊລາມິກແບບພິເສດແລະການເຄືອບ susceptor.

· ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ R&D:ການຄົ້ນຄວ້າເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານການຜະລິດຕໍ່ໄປແລະອຸປະກອນຄວາມຖີ່ສູງ.

5. ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກ VeTek Semiconductor?

· ການ​ບໍ​ລິ​ສຸດ​ສິດ​ທິ​:ເຕັກນິກການຊໍາລະລ້າງແບບພິເສດທີ່ສະຫນອງຄວາມບໍລິສຸດເຖິງ 6N ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງກ້ອນດຽວ.

· ການ​ຄວບ​ຄຸມ​ຄຸນ​ນະ​ພາບ​ຢ່າງ​ເຂັ້ມ​ງວດ​:ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ອຸທິດຕົນດ້ວຍການຄວບຄຸມການປົນເປື້ອນລະດັບ semiconductor ຢ່າງເຂັ້ມງວດ.

· ຄວາມຍືດຫຍຸ່ນການປັບແຕ່ງ:ການປັບຂະໜາດອະນຸພາກແບບກຳນົດເອງທີ່ປ່ຽນແປງໄດ້ເພື່ອໃຫ້ເໝາະສົມກັບຂໍ້ສະເພາະຂອງເຕົາເຜົາ PVT ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.

·ລະບົບຕ່ອງໂສ້ການສະຫນອງທີ່ຫມັ້ນຄົງ:ຄວາມສາມາດໃນການສະຫນອງທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຮັບປະກັນການຈັດສົ່ງການຜະລິດມະຫາຊົນໃນໄລຍະຍາວທີ່ຫມັ້ນຄົງ.

· ຄວາມ​ຊ່ຽວ​ຊານ​ດ້ານ​ວິ​ຊາ​ການ​:ສໍາເລັດການສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການທີ່ເຫມາະສົມກັບຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນສະເພາະຂອງທ່ານ.