ເຄື່ອງບັນຈຸ Wafer Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງ

1. ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ & ຂໍ້ໄດ້ປຽບ

• ຄວາມບໍລິສຸດສູງ dehydroxylated fused quartz (SiO₂ ≥ 99.999%) ດ້ວຍຄວາມບໍລິສຸດຂອງໂລຫະທີ່ຄວບຄຸມໃນລະດັບ ppb - ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນຂອງ wafer

• ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກໃນໄລຍະຍາວສູງເຖິງ 1100 ° C; ຄວາມຕ້ານທານສູງສຸດໃນໄລຍະສັ້ນເຖິງ 1200 ° C

• ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະສະຖຽນລະພາບມິຕິພາຍໃຕ້ການຮອບວຽນອຸນຫະພູມເລື້ອຍໆ

• ຄວາມອິດເມື່ອຍທາງເຄມີທີ່ເຂັ້ມແຂງຕໍ່ກັບກ໊າຊຂະບວນການຜຸພັງແລະສານເຄມີຂະບວນການປຽກທົ່ວໄປ (HF, H₂O₂, ອາຊິດ / ເປັນດ່າງ)

• ພື້ນຜິວທີ່ມີຄວາມຮາບພຽງສູງແລະຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ມີຂອບມົນສໍາລັບການສະຫນັບສະຫນູນ wafer ເປັນເອກະພາບແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມເສຍຫາຍຂອງຂອບ

• ການດູດຊຶມສູນຍາກາດຕໍ່າແລະການດູດຊຶມພື້ນຜິວຕໍ່າ—ເຫມາະສໍາລັບຂະບວນການສູນຍາກາດທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ

• ໂຄງສ້າງທີ່ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ຢ່າງເຕັມສ່ວນ: ການຂົນສົ່ງແຂງ, ການອອກແບບ perforated / vented, ລັກສະນະສະຖານທີ່ຕັ້ງ, ຂຸມຕໍາແຫນ່ງ, ສະຫນັບສະຫນູນຫຼາຍຈຸດ, ແລະການອອກແບບຕ້ານການຜິດປົກກະຕິຫນາສໍາລັບ wafers 2-12 ນິ້ວ.

2. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການເຫຼົ່ານີ້ຖືກໃຊ້ທຸກບ່ອນທີ່ wafers ຕ້ອງການການສະຫນັບສະຫນູນທີ່ສະອາດ, ຂະຫນາດທີ່ຫມັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງຫຼືເຄມີທີ່ຮຸກຮານ:

• ການໂຫຼດ furnace ການແຜ່ກະຈາຍແລະ annealing

• PECVD ແລະ LPCVD ສະຫນັບສະຫນູນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຮູບເງົາ

• ຫ້ອງສູນຍາກາດແລະເຄື່ອງມືຂະບວນການອຸນຫະພູມສູງ

• ການອົບແຫ້ງຫຼັງຮອຍແຕກ ແລະ ສະຖານີປຽກສະອາດ

• ການປະມວນຜົນຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນໄຟຟ້າ SiC ແລະ GaN

• ການຈັດການຊັ້ນຍ່ອຍ optoelectronic ແລະເຄື່ອງມືຄວາມຮ້ອນໃນຫ້ອງທົດລອງ

3. ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການທີ່ສໍາຄັນ

• ວັດສະດຸພື້ນຖານ: semiconductor-grade dehydroxylated fused quartz, SiO₂ ≥ 99.999%

• ຂະຫນາດ wafer ທີ່ເຂົ້າກັນໄດ້: 2, 4, 6, 8, ແລະ 12 ນິ້ວ (Si, SiC, GaN, sapphire)

• ຊ່ວງອຸນຫະພູມຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງທີ່ແນະນໍາ: −20 °C ຫາ 1100 °C; ສູງສຸດໃນໄລຍະສັ້ນສູງເຖິງ 1200 ° C

• ເສັ້ນ​ທາງ​ການ​ຜະ​ລິດ​: ການ​ຜະ​ລິດ​ຮູບ​ແບບ​ຫນຶ່ງ​ສິ້ນ​, ການ​ຜະ​ລິດ​ດ້ານ​ຄວາມ​ຊັດ​ເຈນ​, ການ​ມົນ​ຂອບ​, annealing ການ​ບັນ​ເທົາ​ທຸກ​ຄວາມ​ກົດ​ດັນ​, ແລະ​ທໍາ​ຄວາມ​ສະ​ອາດ​ຂັ້ນ​ສຸດ​ທ້າຍ​.

• ການ​ຕັ້ງ​ຄ່າ​ທີ່​ມີ​ຢູ່​: ແຂງ​, vented / perforated​, stepped ສະ​ຖານ​ທີ່​, ຮູບ​ແບບ​ຮູ​, ແລະ​ເລ​ຂາ​ຄະ​ນິດ​ທີ່​ກໍາ​ນົດ​ເອງ​ຢ່າງ​ເຕັມ​ທີ່

• ຈຸດສຸມປະສິດທິພາບ: ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ຮາບພຽງຢູ່ດ້ານ, outgassing ຕ່ໍາ, ແລະການຮັກສາມິຕິໃນໄລຍະຍາວ.

• ຂອບ​ເຂດ​ການ​ປັບ​ແຕ່ງ​: ຂະ​ຫນາດ​ນອກ​, ຄວາມ​ຫນາ​, ເລ​ຂາ​ຄະ​ນິດ​ສະ​ຫນັບ​ສະ​ຫນູນ​, ຮູບ​ແບບ​ຂຸມ​, ແລະ​ລັກ​ສະ​ນະ​ພິ​ເສດ​ອີງ​ຕາມ​ຮູບ​ແຕ້ມ​ຂອງ​ລູກ​ຄ້າ

4. ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກ VeTek High Purity Quartz Wafer Carriers?

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດມືອາຊີບຂອງອົງປະກອບ quartz semiconductor, VeTek Semiconductor ສະເຫນີ:

• ຄວາມບໍລິສຸດສູງ Quartz Wafer Carriers ວິສະວະກໍາສໍາລັບຄວາມຮ້ອນ, ສູນຍາກາດ, ແລະສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການປຽກ

• ການຄວບຄຸມຄວາມບໍລິສຸດທີ່ເຂັ້ມງວດ, ຄວາມຮາບພຽງຂອງພື້ນຜິວ, ແລະຄວາມສະອາດທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor ກ້າວຫນ້າ

• ການປັບແຕ່ງເຕັມຮູບແບບ ແລະການອອກແບບທີ່ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບ OEM ສໍາລັບ furnace, chamber, ແລະ process-station tooling

• ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ quartz semiconductor ລວມ​ທັງ​ທໍ່ furnace, ເຮືອ wafer, crucibles, ແລະ​ອົງ​ປະ​ກອບ​ຂະ​ບວນ​ການ​ອື່ນໆ

ເຄື່ອງບັນຈຸ Wafer Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງພວກເຮົາຊ່ວຍຮັກສາການຕິດຕໍ່ກັນຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບ, ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກແລະການປົນເປື້ອນຂອງໂລຫະ, ແລະຍືດອາຍຸຂອງເຄື່ອງມືພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະການກັດກ່ອນ - ສະຫນັບສະຫນູນຜົນຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາໃນການຜະລິດ semiconductor.