ຜະລິດຕະພັນ
ຜະລິດຕະພັນ
ອາລູມິນຽມ Nitride (AlN) Ceramic Electrostatic Chuck
  • ອາລູມິນຽມ Nitride (AlN) Ceramic Electrostatic Chuckອາລູມິນຽມ Nitride (AlN) Ceramic Electrostatic Chuck

ອາລູມິນຽມ Nitride (AlN) Ceramic Electrostatic Chuck

VeTek Aluminum Nitride Ceramic Chucks Electrostatic (ESCs) ແມ່ນແພລະຕະຟອມ wafer clamping ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງທີ່ຖືກອອກແບບສໍາລັບເຄື່ອງມືຂະບວນການ semiconductor ທີ່ຕ້ອງການການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມທີ່ຊັດເຈນ, ການຖືໄຟຟ້າທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ແລະການຜະລິດອະນຸພາກຕ່ໍາ. ຜະລິດຈາກເຊລາມິກ AlN ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຄື່ອງປັ້ນດິນເຜົາເຫຼົ່ານີ້ສະຫນອງການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, insulation ໄຟຟ້າສູງ, ແລະການຍຶດຫມັ້ນ Coulomb ຫຼື Johnsen-Rahbek ສໍາລັບຂະບວນການ 150 ມມ, 200 ມມ, ແລະ 300 ມມ.
    ຄະແນນ: 5.0
    (ການນັບຄະແນນ: 1)

    1.ຂໍ້ດີ

    • ເຊລາມິກ AlN ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນເຖິງ ~ 180 W / m·K ສໍາລັບການໂອນຄວາມຮ້ອນທີ່ມີປະສິດທິພາບແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງອຸນຫະພູມ.

    • insulation ໄຟ​ຟ້າ​ທີ່​ເຂັ້ມ​ແຂງ​ແລະ​ຄວາມ​ຕ້ານ​ທານ​ປະ​ລິ​ມານ​ສູງ​ສະ​ຫນັບ​ສະ​ຫນູນ​ການ​ຍຶດ​ຫມັ້ນ​ຄົງ​ທີ່ 1-3 kV (ແຮງ​ດັນ​ສູງ​ກວ່າ​ທີ່​ມີ​ຢູ່​)

    • ວັດສະດຸຊັ້ນ dielectric ແບບກຳນົດເອງ ແລະການຈັດວາງ electrode: Coulomb ຫຼື Johnsen-Rahbek (JR); ເຂດດຽວ ຫຼືຫຼາຍເຂດ

    • ການປະຕິບັດການຍຶດຕິດໄວ ແລະ de-clamp, ໂດຍປົກກະຕິພາຍໃຕ້ 0.1 ວິນາທີ

    • ໂຄງສ້າງຈຸລະພາກທີ່ມີ dimple ລົງເຖິງ ~ 300 μm ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ, ຫຼຸດຜ່ອນພື້ນທີ່ຕິດຕໍ່ຕ່ໍາເປັນ ~ 1%

    • ຄວາມສາມາດ flatness ສູງ; ຄວາມຮາບພຽງທົ່ວໄປຂອງໂລກຕາມລໍາດັບ 0.5-3 μm PV ສໍາລັບເວທີຊັ້ນ 300 ມມ.

    • ໂຄງສ້າງຈຸລະພາກທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ມີການດູດຊຶມນ້ໍາໃກ້ສູນແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີທີ່ດີສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການ

    2.ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

    Aluminum Nitride Ceramic Chucks Electrostatic ແມ່ນໃຊ້ໃນຂັ້ນຕອນຂະບວນການທີ່ຕ້ອງການທັງການຖື wafer ທີ່ປອດໄພແລະພຶດຕິກໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ຄວບຄຸມ:

    • Dry plasma etch (ICP / RIE) ແລະຂະບວນການສະພາທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ

    • CVD, PEALD, ຄວາມຮ້ອນ ALD, ແລະຂັ້ນຕອນການຝາກຮູບບາງໆອື່ນໆ

    • ໂມດູນຂະບວນການ Annealing ແລະຄວາມຮ້ອນຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີອຸນຫະພູມ wafer ເປັນເອກະພາບ

    • ຂັ້ນຕອນການກວດກາ, ວັດແທກຄວາມແມ່ນຍໍາ, ແລະຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ອະນຸພາກຕ່ໍາແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງແມ່ນສໍາຄັນ

    3.ເກຣດວັດສະດຸ AlN – ຄຸນສົມບັດທົ່ວໄປ

    VeTek ສະຫນອງອາລູມິນຽມ Nitride ຫຼາຍເກຣດເພື່ອດຸ່ນດ່ຽງການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍສໍາລັບການອອກແບບ ESC:

    ຊັບສິນ

    AIN-HC95

    AIN-HP95

    AIN99

    AIN999

    AIN-HP999

    AIN-HP999LR

    ສີ

    ສີເທົາ

    ສີເທົາ

    ສີເທົາ

    ສີເທົາ

    ສີເທົາ

    ສີເທົາ

    ຄວາມບໍລິສຸດ

    ≥95%

    ≥95%

    ≥99%

    ≥99.9%

    ≥99.9%

    ≥99.9%

    ຄວາມໜາແໜ້ນ (g/cm³)

    3.3

    3.3

    3.3

    3.2

    3.3

    3.3

    ການດູດຊຶມນ້ໍາ (%)

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    ຄວາມແຂງຂອງ HV (Gpa)

    10

    10

    10

    10

    10

    10

    ຄວາມແຮງ Flexural (MPa)

    380

    400

    350

    310

    360

    310

    ໂມດູລສຕິກ (Gpa)

    320

    300

    300

    300

    300

    300

    ຄວາມທົນທານຂອງກະດູກຫັກ

    3

    3.4

    3

    2.8

    2.3

    3.3

    CTE (×10⁻⁶/°C)

    4.6

    5.7

    5.2

    5.5

    5.7

    5.4

    ການນໍາຄວາມຮ້ອນ

    180

    180

    100

    90

    90

    90

    ອາການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ (°C)

    400

    500

    —

    —

    350

    —

    ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Dielectric

    16

    16

    —

    16

    —

    —

    ການຕໍ່ຕ້ານປະລິມານ

    1×10¹⁴

    1×10¹⁵

    1×10¹⁵

    —

    1×10¹⁵

    ສາມາດປັບໄດ້

    ຄົງທີ່ Dielectric

    8.6

    8.6

    8.5

    8.5

    —

    —

    ຫົວໜ່ວຍ: ການນໍາຄວາມຮ້ອນໃນ W/(m·K); ແຮງ dielectric ໃນ kV / mm; ຄວາມຕ້ານທານຂອງປະລິມານໃນΩ·cm (25 ° C); ຄົງທີ່ dielectric ຢູ່ 1 MHz. ຄ່າແມ່ນປົກກະຕິ ແລະອາດຈະແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມຂະບວນການ ແລະເລຂາຄະນິດບາງສ່ວນ.

    4.ຕົວກໍານົດການອອກແບບ ESC ປົກກະຕິ

    ພາລາມິເຕີ

    ຄ່າປົກກະຕິ / ຊ່ວງ

    ວັດສະດຸເຊລາມິກ

    ອາລູມີນຽມ nitride (AlN)

    ປະເພດ ESC

    Coulomb / Johnsen–Rahbek (JR)

    ຮູບແບບໄຟຟ້າ

    ເຂດດຽວ ຫຼືຫຼາຍເຂດ

    ເສັ້ນ​ທາງ​ການ​ຜະ​ລິດ​

    ການກົດຮ້ອນ (AlN ຕ້ອງການສໍາລັບເກຣດ TC ສູງ)

    ເວລາ Clamp / de-clamp

    < 0.1 ວິ (ປົກກະຕິ)

    ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ (ນ.)

    ~300 ມມ

    ພື້ນທີ່ຕິດຕໍ່ (ມີ dimples)

    ສາມາດຫຼຸດໄດ້ເຖິງ ~1%

    ຄວາມແປຂອງໂລກ (ຊັ້ນ 300 ມມ)

    ~0.5–3 μm PV (ປົກກະຕິ)

    Clamping ແຮງດັນ

    ມາດຕະຖານ 1–3 kV; ການອອກແບບ> 15 kV ເປັນໄປໄດ້

    5.ເປັນຫຍັງ Choose VeTek AlN Electrostatic Chucks?

    VeTek Semiconductor ປະສົມປະສານເຊລາມິກ AlN ຂັ້ນສູງດ້ວຍການຜະລິດ ESC ທີ່ຊັດເຈນສໍາລັບລູກຄ້າ semiconductor ທີ່ຕ້ອງການທັງປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນແລະການຍຶດຫມັ້ນທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້:

    • ເກຣດ AlN ຫຼາຍປະເພດທີ່ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນຈາກ ~90 ຫາ ~180 W/m·K ເພື່ອໃຫ້ກົງກັບງົບປະມານຄວາມຮ້ອນຂອງຂະບວນການ.

    • ການອອກແບບ electrode ແລະ dielectric ທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນສໍາລັບພຶດຕິກໍາການຍຶດຂອງ Coulomb ຫຼື JR

    • ການຄວບຄຸມຄວາມຮາບພຽງ, ໂຄງສ້າງຈຸລະພາກຂອງພື້ນຜິວ, ແລະການປະຕິບັດການສນວນໄຟຟ້າ

    • ສະຫນັບສະຫນູນວົງຈອນຊີວິດຢ່າງເຕັມທີ່: ການອອກແບບ, ການກໍ່ສ້າງໃຫມ່, ແລະການປັບປຸງໃຫມ່ຫຼາຍລະດັບ

    ສໍາລັບ etch, deposition, ແລະເຄື່ອງມືຄວາມຮ້ອນທີ່ຂຶ້ນກັບອຸນຫະພູມ wafer ເປັນເອກະພາບແລະສະອາດ, clamping repeatable, VeTek Aluminum Nitride Ceramic Electrostatic Chucks ສະຫນອງເວທີ ceramic ປະສິດທິພາບສູງສະຫນັບສະຫນູນໂດຍສະຫນັບສະຫນູນວິສະວະກໍາທີ່ສຸມໃສ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ.

    ສົ່ງສອບຖາມ
    ຂໍ້​ມູນ​ຕິດ​ຕໍ່
    • ທີ່ຢູ່

      Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, ເມືອງ Jinhua, ແຂວງ Zhejiang, ຈີນ

    • ອີເມວ

      anny@veteksemi.com

    For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
    ຄະແນນ:
    5.0
    X
    ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ. ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
    ປະຕິເສດຍອມຮັບ