ການເຄືອບ Silicon Carbide

VeTek Semiconductor ຊ່ຽວຊານໃນການຜະລິດຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ Silicon Carbide ບໍລິສຸດ ultra, ການເຄືອບເຫຼົ່ານີ້ຖືກອອກແບບມາເພື່ອນໍາໃຊ້ກັບ graphite ບໍລິສຸດ, ceramics, ແລະອົງປະກອບໂລຫະ refractory.

ການເຄືອບທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງພວກເຮົາແມ່ນເປົ້າຫມາຍຕົ້ນຕໍສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະເອເລັກໂຕຣນິກ. ພວກມັນເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນຊັ້ນປ້ອງກັນສໍາລັບຜູ້ຂົນສົ່ງ wafer, susceptors, ແລະອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນ, ປົກປ້ອງພວກເຂົາຈາກສະພາບແວດລ້ອມທີ່ກັດກ່ອນແລະປະຕິກິລິຍາທີ່ພົບໃນຂະບວນການເຊັ່ນ MOCVD ແລະ EPI. ຂະບວນການເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນສໍາຄັນຕໍ່ການປຸງແຕ່ງ wafer ແລະການຜະລິດອຸປະກອນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ການເຄືອບຂອງພວກເຮົາແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນ furnace ສູນຍາກາດແລະການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຕົວຢ່າງ, ບ່ອນທີ່ສູນຍາກາດສູງ, reactive, ແລະອົກຊີເຈນທີ່ສະພາບແວດລ້ອມໄດ້ພົບ.

ທີ່ VeTek Semiconductor, ພວກເຮົາສະເຫນີການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບດ້ວຍຄວາມສາມາດຂອງຮ້ານເຄື່ອງທີ່ກ້າວຫນ້າຂອງພວກເຮົາ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ພວກເຮົາສາມາດຜະລິດອົງປະກອບພື້ນຖານໂດຍໃຊ້ graphite, ceramics, ຫຼືໂລຫະ refractory ແລະນໍາໃຊ້ SiC ຫຼື TaC ເຄືອບເຊລາມິກໃນເຮືອນ. ພວກເຮົາຍັງໃຫ້ບໍລິການເຄືອບສໍາລັບພາກສ່ວນທີ່ລູກຄ້າສະຫນອງ, ຮັບປະກັນຄວາມຍືດຫຍຸ່ນເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ຫຼາກຫຼາຍ.

ຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ Silicon Carbide ຂອງພວກເຮົາຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ Si epitaxy, SiC epitaxy, ລະບົບ MOCVD, ຂະບວນການ RTP / RTA, ຂະບວນການ etching, ICP / PSS etching, ຂະບວນການຂອງປະເພດ LED ຕ່າງໆ, ລວມທັງ LED ສີຟ້າແລະສີຂຽວ, UV LED ແລະ deep-UV. LED ແລະອື່ນໆ, ເຊິ່ງປັບຕົວເຂົ້າກັບອຸປະກອນຈາກ LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI ແລະອື່ນໆ.

ພາກສ່ວນເຄື່ອງປະຕິກອນພວກເຮົາສາມາດເຮັດໄດ້:

ການເຄືອບ Silicon Carbide ມີຂໍ້ດີທີ່ເປັນເອກະລັກຫຼາຍ:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

VeTek Semiconductor ຕົວກໍານົດການເຄືອບ Silicon Carbide

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC
ຊັບສິນ	ຄ່າປົກກະຕິ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	FCC βໄລຍະ polycrystalline, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນ (111) ຮັດກຸມ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງເຄືອບ SiC	3.21 g/cm³
SiC coating ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers 2500 (ໂຫຼດ 500g)
ເມັດ SiZe	2-10 ມມ
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	99.99995%
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	640 J·kg^-1· ຄ^-1
ອຸນຫະພູມ sublimation	2700℃
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	415 MPa RT 4 ຈຸດ
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	430 Gpa 4pt ໂຄ້ງ, 1300 ℃
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	300W·m^-1· ຄ^-1
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	4.5×10-6K^-1

CVD SIC FILM CRYSTAL ໂຄງສ້າງ

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Silicon Carbide ເຄືອບ Epi susceptor SiC Coating Wafer Carrier SiC coated Satellite cover ສໍາລັບ MOCVD CVD SiC Coating Wafer Epi Susceptor ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນເຄືອບ CVD SiC ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ wafer ດາວທຽມ Aixtron ເຄື່ອງຮັບ Epi Coating SiC SiC coating halfmoon graphite ພາກສ່ວນ

View as

ຖ້າ EPI ຮັບ

ໂຮງງານຜະລິດຊັ້ນນໍາຂອງຈີນ - Vetek Semiconductor ປະສົມປະສານເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຄວາມສາມາດໃນການເຄືອບ SiC ແລະ Semiconductor. ຖັງປະເພດ Si Epi Susceptor ສະຫນອງຄວາມສາມາດໃນການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມແລະບັນຍາກາດ, ເພີ່ມປະສິດທິພາບການຜະລິດໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ semiconductor epitaxial. ຫວັງວ່າຈະສ້າງຕັ້ງການພົວພັນຮ່ວມມືກັບທ່ານ.

ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >> ສົ່ງສອບຖາມ >>

ສະນັ້ນການຮ່ວມມື EPI

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດນ້ໍາຊິລິໂຄນດ້ານເທິງຂອງ Silicon Carbide, Carbide Carbide, Vetek semiconductor ແມ່ນສາມາດໃຫ້ບໍລິການດ້ານເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມລະອຽດແລະເປັນເອກະພາບໃນການຄວບຄຸມຄວາມບໍລິສຸດຂອງການເຄືອບແລະຜະລິດຕະພັນຕໍ່າກວ່າ 5ppm. ຊີວິດຜະລິດຕະພັນແມ່ນປຽບທຽບກັບ SGL. ຍິນດີທີ່ຈະສອບຖາມພວກເຮົາ.

ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >> ສົ່ງສອບຖາມ >>

lpe ຖ້າ Support Support

ຜູ້ໃຊ້ທີ່ມີຄວາມຢ້ານກົວແລະ barrel susceptor ແມ່ນຮູບຮ່າງຕົ້ນຕໍຂອງ epi semiconductor ແລະຜູ້ປະດິດສ້າງ ກໍານົດທີ່ໄດ້ຮັບການອອກແບບໂດຍສະເພາະສໍາລັບ LPE PE2061S 4 " ຂະບວນການ. ພວກເຮົາຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານໄປຢ້ຽມຢາມໂຮງງານຂອງພວກເຮົາໃນປະເທດຈີນ.

ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >> ສົ່ງສອບຖາມ >>

AAXTron G5 Mocvd Suscepd

ລະບົບ AAXTron G5 Mocvd ປະກອບມີວັດສະດຸ Graphite Carbide Carbide, ວັດຖຸດິບທີ່ມີຄວາມຮູ້ສຶກສາມາດປັບແຕ່ງແລະຜະລິດສ່ວນປະກອບທັງຫມົດສໍາລັບລະບົບນີ້. ຊຸດທີ່ມີການແກ້ໄຂບັນຫາທີ່ມີຄວາມຄ່ອງແຄ້ວແລະມີຂະຫນາດທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງຂື້ນ.

ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >> ສົ່ງສອບຖາມ >>

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor ສໍາລັບ EPI

ກະດານປະເພດຖັງປະເພດ bafer ແມ່ນຜະລິດຕະພັນທີ່ມີເຕັກໂນໂລຢີການປຸງແຕ່ງທີ່ສັບສົນ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງທ້າທາຍຫຼາຍທີ່ຈະອຸປະກອນແລະຄວາມສາມາດ. Semicond Semiconductor ມີອຸປະກອນຂັ້ນສູງແລະປະສົບການທີ່ອຸດົມສົມບູນໃນການປະມວນຜົນ barrelor ຂອງໂຮງງານຜະລິດ SIC

ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >> ສົ່ງສອບຖາມ >>

SiC coated Graphite Crucible Deflector

SiC coated graphite crucible deflector ເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນອຸປະກອນ furnace ໄປເຊຍກັນດຽວ, ວຽກງານຂອງຕົນແມ່ນເພື່ອນໍາພາອຸປະກອນການ molten ຈາກ crucible ກັບເຂດການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນໄດ້ກ້ຽງ, ແລະຮັບປະກັນຄຸນນະພາບແລະຮູບຮ່າງຂອງ crystal growth.Vetek semiconductor ສາມາດ ໃຫ້ທັງ graphite ແລະ SiC ວັດສະດຸເຄືອບ. ຍິນດີຕ້ອນຮັບທີ່ຈະຕິດຕໍ່ພວກເຮົາສໍາລັບລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ.

ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ >> ສົ່ງສອບຖາມ >>

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຊ່ຽວຊານ ການເຄືອບ Silicon Carbide} ແລະຜູ້ສະຫນອງສິນຄ້າໃນປະເທດຈີນ, ພວກເຮົາມີໂຮງງານຂອງພວກເຮົາເອງ. ບໍ່ວ່າທ່ານຕ້ອງການບໍລິການຕາມກົດລະບຽບເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງພາກພື້ນຂອງທ່ານຫຼືຕ້ອງການຊື້ທີ່ກ້າວຫນ້າແລະທົນທານ ການເຄືອບ Silicon Carbide ທີ່ຢູ່ໃນປະເທດຈີນ, ທ່ານສາມາດຝາກຂໍ້ຄວາມໃຫ້ພວກເຮົາ.

ລະຫັດ QR

ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ

ຜະລິດຕະພັນ

ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ

ໂທລະສັບ
+86-18069220752
ແຟັກ
+86-579-87223657
ອີເມລ
anny@veteksemi.com
ທີ່ຢູ່
ຖະຫນົນ Wangda, ຖະຫນົນ Ziyang, County Wuyi, ເມືອງ Jinhua, ແຂວງ Zhejiang, ປະເທດຈີນ

ເມນູເວັບ

ຄົ້ນຫາຜະລິດຕະພັນ

ພາສາ

ອອກຈາກເມນູ

ການເຄືອບ Silicon Carbide

ພາກສ່ວນເຄື່ອງປະຕິກອນພວກເຮົາສາມາດເຮັດໄດ້:

ການເຄືອບ Silicon Carbide ມີຂໍ້ດີທີ່ເປັນເອກະລັກຫຼາຍ: