ຂ່າວ

ເພັດ, ເປັນ "ສານເຄິ່ງຕົວນໍາສຸດທ້າຍ" ລຸ້ນທີ 4 ທີ່ມີທ່າແຮງ, ກໍາລັງໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈໃນຊັ້ນຍ່ອຍຂອງ semiconductor ເນື່ອງຈາກຄວາມແຂງພິເສດ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ແລະຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າ. ໃນຂະນະທີ່ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍສູງແລະຄວາມທ້າທາຍການຜະລິດຈໍາກັດການນໍາໃຊ້ຂອງມັນ, CVD ແມ່ນວິທີການທີ່ຕ້ອງການ. ເຖິງວ່າຈະມີການທ້າທາຍ doping ແລະພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່, ເພັດຖືສັນຍາ.

SIC ແລະ GAN ແມ່ນ semicondorcortors ກ້ວາງ bandgap ດ້ວຍຂໍ້ດີ. Voltage ສູງຂື້ນ, ປ່ຽນຄວາມໄວສູງ, ແລະປະສິດທິພາບສູງ. Sic ແມ່ນດີກວ່າສໍາລັບການສະຫມັກແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ສູງທີ່ສຸດຍ້ອນການເຮັດຄວາມຮ້ອນຂອງມັນ, ໃນຂະນະທີ່ Gan ດີຂື້ນໃນການນໍາໃຊ້ໄຟຟ້າທີ່ສູງທີ່ສຸດ.

ການລະເຫີຍເອເລັກໂຕຣນິກແມ່ນວິທີການເຄືອບທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງແລະໃຊ້ໃນການເຮັດຄວາມຮ້ອນທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມັນອາຍແລະເຮັດໃຫ້ມີຮູບເງົາອ່ອນລົງ.

ການເຄືອບສູນຍາກາດລວມມີການລະບາຍນ້ໍາໃນຮູບເງົາ, ການຂົນຂວາຍສູນຍາກາດແລະການເຕີບໂຕຮູບເງົາບາງໆ. ອີງຕາມວິທີການສ້າງຮູບເງົາແລະຂະບວນການຂົນສົ່ງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ການເຄືອບສູນຍາກາດສາມາດແບ່ງອອກເປັນສອງປະເພດ: PVD ແລະ CVD.

ບົດຂຽນນີ້ອະທິບາຍກ່ຽວກັບຕົວກໍານົດການທາງດ້ານຮ່າງກາຍແລະຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນຂອງ graphite potemonductor ຂອງ vetek semetonductor, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບການນໍາໃຊ້ສະເພາະຂອງມັນໃນການປຸງແຕ່ງ semiconductor.

ບົດຂຽນນີ້