ຂ່າວ

ບົດຄວາມນີ້ແນະນໍາການພັດທະນາຫລ້າສຸດໃນເຄື່ອງປະຕິກອນ CVD ຝາຮ້ອນ PE1O8 ທີ່ອອກແບບໃຫມ່ຂອງບໍລິສັດອິຕາລີ LPE ແລະຄວາມສາມາດຂອງຕົນໃນການປະຕິບັດເອກະພາບ 4H-SiC epitaxy ໃນ 200mm SiC.

ດ້ວຍຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນຂອງວັດສະດຸ SiC ໃນໄຟຟ້າພະລັງງານ, optoelectronics ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ, ການພັດທະນາຂອງ SiC ເຕັກໂນໂລຊີການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວຈະກາຍເປັນພື້ນທີ່ທີ່ສໍາຄັນຂອງນະວັດກໍາວິທະຍາສາດແລະເຕັກໂນໂລຊີ. ໃນຖານະເປັນຫຼັກຂອງອຸປະກອນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC, ການອອກແບບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນຈະສືບຕໍ່ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈຢ່າງກວ້າງຂວາງແລະການຄົ້ນຄວ້າໃນຄວາມເລິກ.

ໂດຍຜ່ານຄວາມຄືບຫນ້າດ້ານເຕັກໂນໂລຢີຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະເຕັກໂນໂລຢີດ້ານເຕັກໂນໂລຢີ 3c-sic ແມ່ນການສະແດງທີ່ສໍາຄັນກວ່າໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະສົ່ງເສີມການພັດທະນາອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ.

Spatial ALD, ການຖິ້ມຊັ້ນປະລໍາມະນູທີ່ໂດດດ່ຽວຕາມພື້ນທີ່. wafer ເຄື່ອນຍ້າຍລະຫວ່າງຕໍາແຫນ່ງທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະຖືກສໍາຜັດກັບຄາຣະວາທີ່ແຕກຕ່າງກັນໃນແຕ່ລະຕໍາແຫນ່ງ. ຕົວເລກຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການປຽບທຽບລະຫວ່າງ ALD ແບບດັ້ງເດີມແລະ ALD ທີ່ໂດດດ່ຽວຕາມພື້ນທີ່.

ເມື່ອມໍ່ໆມານີ້, ສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາເຢຍລະມັນ Fraunhofer IISB ໄດ້ເຮັດໃຫ້ການຄົ້ນຄວ້າແລະພັດທະນາການແກ້ໄຂເຄືອບ Corbide Corbide ແລະເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມຫຼາຍກວ່າການແກ້ໄຂບັນຫາຂອງ CVD, ແລະໄດ້ຮັບການຄ້າຂາຍ.

​ໃນ​ຍຸກ​ແຫ່ງ​ການ​ພັດທະນາ​ດ້ານ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​ຢ່າງ​ວ່ອງ​ໄວ, ການ​ພິມ 3 ມິ​ຕິ, ​ເຊິ່ງ​ເປັນ​ຕົວ​ແທນ​ທີ່​ສຳຄັນ​ຂອງ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​ການ​ຜະລິດ​ທີ່​ກ້າວໜ້າ, ພວມ​ຄ່ອຍໆ​ປ່ຽນ​ແປງ​ໜ້າ​ຕາ​ຂອງ​ການ​ຜະລິດ​ແບບ​ດັ້ງ​ເດີມ. ດ້ວຍການເຕີບໃຫຍ່ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເຕັກໂນໂລຢີແລະການຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເຕັກໂນໂລຢີການພິມ 3D ໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມສົດໃສດ້ານການນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຫຼາຍຂົງເຂດເຊັ່ນ: ຍານອາວະກາດ, ການຜະລິດລົດໃຫຍ່, ອຸປະກອນການແພດ, ແລະການອອກແບບສະຖາປັດຕະຍະກໍາ, ແລະໄດ້ສົ່ງເສີມການປະດິດສ້າງແລະການພັດທະນາຂອງອຸດສາຫະກໍາເຫຼົ່ານີ້.