ຂ່າວ

ໃນອຸດສະຫະກໍາການຜະລິດ semiconductor, ໃນຂະນະທີ່ຂະຫນາດຂອງອຸປະກອນຍັງຄົງຫົດຕົວ, ເຕັກໂນໂລຢີເງິນຝາກຂອງວັດສະດຸຮູບເງົາບາງໆໄດ້ເຮັດໃຫ້ເກີດບັນຫາທີ່ບໍ່ເຄີຍມີມາກ່ອນ. ການຝາກເງິນແບບປະລໍາມະນູ (ALD), ໃນຖານະເປັນເຕັກໂນໂລຢີການຝາກທີ່ຊັດເຈນບາງໆທີ່ສາມາດບັນລຸໄດ້ໃນລະດັບປະລໍາມະນູ, ໄດ້ກາຍເປັນສ່ວນທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ຂອງການຜະລິດ semiconduor. ບົດຂຽນນີ້ມີຈຸດປະສົງເພື່ອແນະນໍາການໄຫລຂອງຂະບວນການແລະຫຼັກການຂອງ SRD ເພື່ອຊ່ວຍໃຫ້ເຂົ້າໃຈບົດບາດສໍາຄັນຂອງມັນໃນການຜະລິດຊິບທີ່ກ້າວຫນ້າ.

ມັນເຫມາະສົມທີ່ຈະສ້າງວົງຈອນປະສົມປະສານຫຼືອຸປະກອນ semiconductor ໃນຊັ້ນພື້ນຖານ crystalline ທີ່ສົມບູນແບບ. ຂະບວນການ epitaxy (epi) ໃນການຜະລິດ semiconductor ມີຈຸດປະສົງທີ່ຈະຝາກຊັ້ນ crystalline ດຽວອັນດີ, ປົກກະຕິແລ້ວປະມານ 0.5 ຫາ 20 microns, ເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນ crystalline ດຽວ. ຂະບວນການ epitaxy ເປັນຂັ້ນຕອນທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor, ໂດຍສະເພາະໃນການຜະລິດ silicon wafer.

ຄວາມແຕກຕ່າງຕົ້ນຕໍລະຫວ່າງການຝາກເງິນຊັ້ນຂອງ Epitaxy ແລະປະລໍາມະນູ (Ald) ແມ່ນຢູ່ໃນກົນໄກການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງຮູບເງົາຂອງພວກເຂົາແລະສະພາບການເຮັດວຽກ. Epitaxy ຫມາຍເຖິງຂັ້ນຕອນການຂະຫຍາຍຮູບເງົາບາງໆຂອງຜລຶກໃນຊັ້ນໃຕ້ດິນທີ່ມີຄວາມສໍາພັນດ້ານການຮັກສາສະເພາະ, ຮັກສາໂຄງສ້າງຂອງຜລຶກດຽວກັນຫຼືຄ້າຍຄືກັນ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ALD ແມ່ນເຕັກນິກການຝາກເງິນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການເປີດເຜີຍບັນດາຊັ້ນໃຕ້ຂອງສານເຄມີທີ່ແຕກຕ່າງກັນເພື່ອປະກອບເປັນຮູບເງົາບາງໆໃນຊ່ວງເວລານັ້ນ.

ການເຄືອບ CVD TAC ແມ່ນຂະບວນການສໍາລັບການເຄືອບທີ່ຫນາແລະທົນທານຕໍ່ການເຄືອບທີ່ຫນາແຫນ້ນແລະທົນທານຕໍ່ substrate (graphite). ວິທີການນີ້ກ່ຽວຂ້ອງກັບການນໍາໃຊ້ tac ໃສ່ຫນ້າດິນຍ່ອຍໃນອຸນຫະພູມສູງ, ເຊິ່ງໄດ້ຮັບການເຄືອບດ້ວຍຄວາມທົນທານຂອງ tantalum (tac).

ໃນຖານະເປັນຂະບວນການ silicon carbide 8 ນິ້ວ (sic) ສຸກ, ຜູ້ຜະລິດແມ່ນເລັ່ງການປ່ຽນຈາກ 6 ນິ້ວຫາ 8 ນິ້ວ. ເມື່ອມໍ່ໆມານີ້, ກ່ຽວກັບ semicondortor ແລະ resonac ປະກາດການປັບປຸງການຜະລິດ sic 8 ນິ້ວ.

ບົດຄວາມນີ້ແນະນໍາການພັດທະນາຫລ້າສຸດໃນເຄື່ອງປະຕິກອນ CVD ຝາຮ້ອນ PE1O8 ທີ່ອອກແບບໃຫມ່ຂອງບໍລິສັດອິຕາລີ LPE ແລະຄວາມສາມາດຂອງຕົນໃນການປະຕິບັດເອກະພາບ 4H-SiC epitaxy ໃນ 200mm SiC.