ຝຸ່ນ Silicon Carbide (SiC) ຄວາມບໍລິສຸດສູງ

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ
• ຄວາມບໍລິສຸດສາມາດສູງເຖິງ 99.9999% — ນັ້ນແມ່ນ 6N

• ຄວາມເປື້ອນຂອງໂລຫະຖືກຮັກສາໄວ້ຕໍ່າ

• ຂໍ້ມູນການທົດສອບ GDMS ແມ່ນມີໃຫ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ

• ພຶດຕິກຳ Sublimation ຄົງທີ່ຈາກ batch ຫາ batch

• ຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນໜ້ອຍລົງໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງ

• ການແຜ່ກະຈາຍຂະຫນາດຂອງອະນຸພາກໄດ້ຖືກຄວບຄຸມ

• ທ່ານຍັງສາມາດຮ້ອງຂໍໃຫ້ມີຂະຫນາດອະນຸພາກທີ່ກໍາຫນົດເອງ

• ການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບປະຕິບັດຕາມມາດຕະຖານ semiconductor-grade

ຂອບເຂດຂະຫນາດຂອງອະນຸພາກ:

ຄວາມບໍລິສຸດຂອງຜົງ: 

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະທາງວິຊາການ:

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

• SiC Single Crystal Growth (PVT)

• Conductive & Semi-Insulating SiC Substrates

• ວັດສະດຸ Semiconductor

•ເຊລາມິກແບບພິເສດ

• ການຄົ້ນຄວ້າ ແລະການພັດທະນາ

ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກ VeTek Semiconductor?

• ເທັກໂນໂລຍີການເຮັດຄວາມສະອາດແບບພິເສດ

• ການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບລະດັບ semiconductor

• ຕົວເລືອກຂະໜາດອະນຸພາກທີ່ກຳນົດເອງ

•ການສະຫນອງທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະເຊື່ອຖືໄດ້

•ສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ