Axis P-Type P-Type Sic Wafer

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດ semiconductor ມືອາຊີບໃນປະເທດຈີນ, Vetek semiconductor 4 ° OPO Axis P TypeSiC Waferຫມາຍເຖິງ 4h Carbide Carbide Carbide (SIC) ທີ່ຖືກທໍາລາຍ 4 °ຈາກທິດທາງໄປເຊຍກັນຂອງ Crystal ຂອງ Crystal STALL (ປົກກະຕິ C-Axis) ເມື່ອຕັດແລະຜ່ານ p-type p-type. ຜະລິດຕະພັນນີ້ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກໄຟຟ້າແລະວິທະຍຸ) ໃນລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, ແລະມີຂໍ້ດີຂອງຜະລິດຕະພັນທີ່ດີເລີດ.

ໂດຍຜ່ານການຕັດ off-axis, 4° off axis p-type SiC Wafer ຂອງ VeTek Semiconductor ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການເຄື່ອນທີ່ແລະຂໍ້ບົກພ່ອງທີ່ເກີດຂື້ນໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊັ້ນ epitaxial, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງ wafer. ນອກຈາກນັ້ນ, ການວາງທິດທາງ Off-Axis 4° ຊ່ວຍໃຫ້ຊັ້ນ epitaxial ມີຄວາມເປັນເອກະພາບແລະບໍ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ, ປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງຊັ້ນ epitaxial, ແລະໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ.

ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, 4° off axis p-type SiC Wafer ຜະລິດຕະພັນຂອງ VeTek Semiconductor ສາມາດເຮັດໃຫ້ wafer ມີຕົວບັນຈຸຂຸມຫຼາຍແລະປະກອບເປັນ semiconductor P-type ໂດຍ doping impurities (ເຊັ່ນ: ອາລູມິນຽມຫຼື boron). P-type 4H-SiC wafers ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງານທີ່ຕ້ອງການຊັ້ນ P-type. ປະເພດຂອງ semiconductor ນີ້ມີຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດ.

ເມື່ອປຽບທຽບກັບ polymorphs ອື່ນໆເຊັ່ນ 6H-SiC,4h-sicມີການເຄື່ອນໄຫວທາງເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມສູງແລະຄວາມແຂງກະດ້າງຂອງສະຫນາມໄຟຟ້າທີ່ສູງຂື້ນ, ແລະເຫມາະສົມກັບສະຖານະການທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງແລະມີພະລັງງານສູງ. ນອກຈາກນັ້ນ, ວັດສະດຸ 4h-sic ມີແຮງດັນສູງແລະມີຄວາມຕ້ານທານສູງທີ່ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ຕາມປົກກະຕິໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ໂຫດຮ້າຍ.

2inch 4inch 4° off axis p-type SiC Wafer ມາດຕະຖານທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຂະຫນາດ：

6 ນິ້ວ 4° off axis p-type SiC Wafer ມາດຕະຖານທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຂະຫນາດ：

4° off axis p-type SiC Wafer Detection ວິທີການ ແລະຄໍາສັບ：

VeTek Semiconductor ມີ 4° off axis p-type 4H-SiC substrates ຈາກ 2~6 ນິ້ວ.substrate ແມ່ນ doped ກັບອາລູມິນຽມແລະປະກົດເປັນສີຟ້າ. ຄວາມຕ້ານທານຢູ່ລະຫວ່າງ 0.1 ຫາ 0.7Ω•cm. 

ຖ້າທ່ານມີຂໍ້ກໍານົດກ່ຽວກັບຜະລິດຕະພັນສໍາລັບ Axis P-Type P-Type Wafer, ຍິນດີຕ້ອນຮັບເຂົ້າສູ່ພວກເຮົາ.