4h semi semi super sublerate sic sic sic

Sic Wafer ຫຼີ້ນຫຼາຍບົດບາດສໍາຄັນໃນຂະບວນການປຸງແຕ່ງ semiconductor. ບວກກັບການຕ້ານທານສູງຂອງມັນ, ການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນສູງ, ກ້ວາງຂວາງ, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການສະຫມັກທີ່ອຸນຫະພູມສູງແລະສູງ, ໂດຍສະເພາະໃນການນໍາໃຊ້ໄມໂຄເວຟແລະ RF. ມັນແມ່ນຜະລິດຕະພັນສ່ວນປະກອບທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor.

ປະໂຫຍດຕົ້ນຕໍ

1. ຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດ

ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າທີ່ສໍາຄັນສູງ (ປະມານ 3 mv / cm): ປະມານ 10 ເທົ່າຂອງການອອກແບບຊັ້ນໄຟຟ້າແຮງແລະອ່ອນລົງ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ານທານຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ເຫມາະສົມກັບອຸປະກອນພະລັງງານແຮງດັນໄຟຟ້າສູງ.

ຄຸນສົມບັດເຄິ່ງ insulated: ການຕໍ່ຕ້ານສູງ (> 5 ω 5 5 cm cm canadium ຫຼືອຸປະກອນທີ່ຂາດຄວາມຖີ່ຂອງການຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງແມ່ນໍ້າ.

2. ຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ

ການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນສູງ (4.9W / c c cle · KUB

ຄວາມບໍ່ມີຕົວຕົນທາງເຄມີ: inert ເຖິງອາຊິດສ່ວນໃຫຍ່ແລະເປັນດ່າງ, ຄວາມຕ້ານທານດ້ານການກັດກ່ອນທີ່ສຸດ, ເຫມາະສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ໂຫດຮ້າຍ.

3. ໂຄງສ້າງວັດສະດຸແລະຄຸນນະພາບຂອງຜລຶກ

ໂຄງປະກອບ Polytypic: ໂຄງສ້າງຂອງ Hexagonal ໃຫ້ຄວາມສາມາດດ້ານເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ສູງກວ່າ (ກ.

ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ: ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຮູບເງົາເລື່ອງຕ່ໍາທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ.

4. ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງຂະບວນການ

ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບຂະບວນການ Silicon: ຊັ້ນສນວນຂອງsio₂ສາມາດສ້າງຕັ້ງຂື້ນຜ່ານການຜຸພັງຄວາມຮ້ອນ, ເຊິ່ງງ່າຍຕໍ່ການເຊື່ອມໂຍງອຸປະກອນຂະບວນການທີ່ອີງໃສ່ຊິລິໂຄນເຊັ່ນ: Mosfet.

ຂະບວນການປະສົມປະສານການຕິດຕໍ່ຂອງຜູ້ຕິດຕໍ່ Ohmic: ເຊັ່ນ: NI / ti / PT) ຄວາມຕ້ານທານຕິດຕໍ່ (ເຊັ່ນ: ຄວາມຕ້ານທານ

5. ສະຖານະການການສະຫມັກ

ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າພະລັງງານ: ໃຊ້ໃນການຜະລິດ Diodes Schotting ທີ່ມີແຮງດັນສູງ (SBD), ໂມດູນ IGBT, ແລະອື່ນໆ, ສະຫນັບສະຫນູນຄວາມຖີ່ຂອງການປ່ຽນສູງແລະການສູນເສຍຕ່ໍາ.

ອຸປະກອນ RF: ເຫມາະສໍາລັບສະຖານີຖານ 5G, radar ແລະສະຖານະການທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງອື່ນໆ, ເຊັ່ນ: ອຸປະກອນທີ່ເປັນຕົວຕົນ / Gan Hemt.

semicondor ຂອງ vetek ແມ່ນກໍາລັງຊອກຫາຄຸນນະພາບຂອງ Crystal ແລະການປຸງແຕ່ງທີ່ສູງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ .currenly,4 ນິ້ວແລະຂະຫນາດ 6 ນິ້ວຜະລິດຕະພັນມີຢູ່, ແລະ8 ນິ້ວຜະລິດຕະພັນແມ່ນຢູ່ພາຍໃຕ້ການພັດທະນາ. 

sici-insulating sic sicic substrate ສະເພາະຜະລິດຕະພັນ:

semi-insulating sic sic downtrate ສະເພາະ:

ວິທີການກວດສອບການຊອກຄົ້ນຫາແບບປະເພດ SIE 4h: