ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ໃນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ແລະ AlN ໂດຍໃຊ້ວິທີການຂົນສົ່ງ vapor ທາງດ້ານຮ່າງກາຍ (PVT), ອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນເຊັ່ນ: crucible, ຜູ້ຖືແກ່ນ, ແລະວົງນໍາພາມີບົດບາດສໍາຄັນ. ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບທີ 2 [1], ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການ PVT, ໄປເຊຍກັນຂອງແກ່ນແມ່ນຖືກຈັດໃສ່ໃນພື້ນທີ່ອຸນຫະພູມຕ່ໍາ, ໃນຂະນະທີ່ວັດຖຸດິບ SiC ຖືກສໍາຜັດກັບອຸນຫະພູມທີ່ສູງກວ່າ (ສູງກວ່າ 2400 ℃).

ຊັ້ນໃຕ້ດິນຊິລິໂຄນ Carbide ມີຂໍ້ບົກຜ່ອງຫລາຍຢ່າງແລະບໍ່ສາມາດດໍາເນີນການໂດຍກົງ. ມີຮູບເງົາບາງໆແບບດຽວໂດຍສະເພາະແມ່ນຕ້ອງໄດ້ປູກໃສ່ພວກມັນໂດຍຜ່ານຂະບວນການຂອງ Epitaxial ເພື່ອເຮັດໃຫ້ຜູ້ຍິງຊິບ. ຮູບເງົາບາງໆນີ້ແມ່ນຊັ້ນຊັ້ນ. ເກືອບທຸກອຸປະກອນ Carbide Silicon Carbide ຖືກຮັບຮູ້ໃນເອກະສານ Epitaxial. ວັດສະດຸ SiliCeneous ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ carbate ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແມ່ນພື້ນຖານສໍາລັບການພັດທະນາຂອງອຸປະກອນຊິລິໂຄນ Carbide. ການປະຕິບັດຂອງວັດສະດຸເອກະສານ Epitaxial ກໍານົດການປະຕິບັດງານຂອງອຸປະກອນ Carbide Silicon Carbide.

Carbide Silicon ແມ່ນການປ່ຽນແປງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ສໍາລັບພະລັງງານແລະການນໍາໃຊ້ອຸນຫະພູມສູງ, ຈາກ silvties ທີ່ສົມບູນ, ຈາກ subsrates ປ້ອງກັນກັບພາຫະນະໄຟຟ້າແລະລະບົບພະລັງງານທົດແທນ.

ຄວາມບໍລິສຸດສູງ: ຊິລິໂຄນຊັ້ນທີ່ປູກໂດຍການຝາກສານເຄມີ (CVD) ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນດ້ານທີ່ດີກວ່າແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງກວ່າຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພື້ນເມືອງ.

ຊິລິໂຄນທີ່ແຂງແກ່ນໄດ້ກາຍເປັນຫນຶ່ງໃນວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດ semiconductor ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງດ້ານຮ່າງກາຍທີ່ເປັນເອກະລັກສະເພາະ. ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນການວິເຄາະຂໍ້ດີແລະຄຸນຄ່າຂອງມັນໂດຍອີງໃສ່ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະໃບສະຫມັກສະເພາະຂອງມັນໃນເຄື່ອງແກະສະຫຼັກທີ່ມີເນື້ອເຍື່ອ, ແຫວນອາບນ້ໍາ, ແຫວນຈຸດເຊື່ອມ, etching).