mocvd sic coating sulptortor

mocvd semetonenductor mocvd mocvd mocvd mocvd moccepor ແມ່ນເຮັດດ້ວຍຄຸນນະພາບສູງກຣາຟ, ເຊິ່ງຖືກເລືອກສໍາລັບຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ (ປະມານ 120-150 W / m·K). ຄຸນສົມບັດທີ່ປະກົດຂຶ້ນຂອງ graphite ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນວັດສະດຸທີ່ເຫມາະສົມທີ່ຈະທົນກັບສະພາບທີ່ຮຸນແຮງພາຍໃນຜູ້ປະຕິຮູບ Mocvd. ເພື່ອປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງຕົນແລະຍືດອາຍຸການບໍລິການຂອງຕົນ, graphite susceptor ໄດ້ຖືກເຄືອບຢ່າງລະມັດລະວັງດ້ວຍຊັ້ນຂອງ silicon carbide (SiC).

mocvd sic coating susceptor ແມ່ນສ່ວນປະກອບທີ່ສໍາຄັນທີ່ໃຊ້ໃນການປ່ອຍອາຍສານເຄມີ (CVD)ແລະການຝາກສານເຄມີອິນຊີອິນຊີໂລຫະ (MocvD) ຂະບວນການ. ຫນ້າທີ່ຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນສະຫນັບສະຫນູນແລະໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຂອງ silicon ຫຼື silicon carbide (SiC) wafers ແລະຮັບປະກັນການປ່ອຍອາຍແກັສເປັນເອກະພາບໃນສະພາບແວດລ້ອມອຸນຫະພູມສູງ. ມັນເປັນຜະລິດຕະພັນທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ໃນການປຸງແຕ່ງ semiconductor.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ mocvd sic coating sulceptor ໃນການປຸງແຕ່ງ semiconductor:

ການສະຫນັບສະຫນູນ Werfer ແລະການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ:

mocvd sic coating sicceptor ບໍ່ພຽງແຕ່ມີຫນ້າທີ່ສະຫນັບສະຫນູນທີ່ມີປະສິດທິພາບ, ແຕ່ຍັງສາມາດເຮັດຄວາມຮ້ອນໄດ້Waferເທົ່າທຽມກັນເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການປ່ອຍອາຍພິດຂອງສານເຄມີ. ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການການຊຶມເຊື້ອ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງຂອງການເຄືອບ SiC ສາມາດໂອນພະລັງງານຄວາມຮ້ອນໄປທຸກພື້ນທີ່ຂອງ wafer ໄດ້ຢ່າງວ່ອງໄວ, ຫຼີກເວັ້ນການ overheating ທ້ອງຖິ່ນຫຼືອຸນຫະພູມບໍ່ພຽງພໍ, ດັ່ງນັ້ນການຮັບປະກັນວ່າອາຍແກັສເຄມີສາມາດໄດ້ຮັບການຝາກເທົ່າທຽມກັນໃນຫນ້າດິນ wafer. ຜົນກະທົບຂອງຄວາມຮ້ອນແລະການປ່ອຍຕົວທີ່ເປັນເອກະພາບນີ້ຊ່ວຍປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການປຸງແຕ່ງ wafer, ເຮັດໃຫ້ຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາຂອງແຕ່ລະ wafer ເປັນເອກະພາບແລະຫຼຸດຜ່ອນອັດຕາການຜິດປົກກະຕິ, ປັບປຸງຜົນຜະລິດການຜະລິດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ semiconductor.

ການຂະຫຍາຍຕົວ Epitaxy:

ໃນຂະບວນການ MOCVD, SiC coated carriers ເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxy. ພວກມັນຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍສະເພາະເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນແລະໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ wafers ຊິລິໂຄນແລະຊິລິໂຄນ carbide, ຮັບປະກັນວ່າວັດສະດຸໃນໄລຍະ vapor ສານເຄມີສາມາດຖືກຝາກໄວ້ຢ່າງເປັນເອກະພາບແລະຖືກຕ້ອງໃນຫນ້າດິນ wafer, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງສ້າງໂຄງສ້າງຮູບເງົາບາງໆທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ບໍ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ. ການເຄືອບ SiC ບໍ່ພຽງແຕ່ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ແຕ່ຍັງຮັກສາສະຖຽນລະພາບທາງເຄມີໃນສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການທີ່ສັບສົນເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການປົນເປື້ອນແລະການກັດກ່ອນ. ດັ່ງນັ້ນ, SiC coated carriers ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxy ຂອງອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງເຊັ່ນ: ອຸປະກອນພະລັງງານ SiC (ເຊັ່ນ: SiC MOSFETs ແລະ diodes), LEDs (ໂດຍສະເພາະແມ່ນ LEDs ສີຟ້າແລະ ultraviolet), ແລະຈຸລັງແສງຕາເວັນ photovoltaic.

Nitride Gallium (Gan)ແລະ Gallium Arsenide (GaAs) Epitaxy:

ບັນດາຜູ້ຂົນສົ່ງທີ່ເປັນການເຄືອບ SIC ແມ່ນທາງເລືອກທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊັ້ນ Gan ແລະ Gaas ໃນການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນຂອງພວກເຂົາແລະຕົວຄູນຄວາມຮ້ອນຂອງພວກເຂົາ. ການເຮັດຄວາມຮ້ອນທີ່ມີຜົນໄດ້ຮັບປະສິດທິພາບຂອງພວກເຂົາກໍ່ສາມາດແຈກຢາຍຄວາມຮ້ອນໄດ້ໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Epitaxial, ຮັບປະກັນວ່າແຕ່ລະຊັ້ນຂອງວັດສະດຸທີ່ຝາກໄວ້ໃນອຸນຫະພູມທີ່ຄວບຄຸມ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຂອງ SIC ຊ່ວຍໃຫ້ມັນມີຄວາມຫມັ້ນຄົງໃນມິຕິພາຍໃຕ້ການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມທີ່ສຸດ, ເຊິ່ງມັນຈະເຮັດໃຫ້ມີຄຸນນະພາບສູງແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຊັ້ນຂອງຊັ້ນ. ຄຸນລັກສະນະນີ້ເຮັດໃຫ້ຜູ້ຂົນສົ່ງທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນອີເລັກໂທຣນິກທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງ, ແລະອຸປະກອນ optoelectronics ແລະ optoelectronics (ເຊັ່ນ: ເຄື່ອງກວດສອບ optoelectroctricic.

ມັນ semiconductorMOCVD SiC ຮ້ານຄ້າ susceptor ການເຄືອບ: