4 ນິ້ວ insulation rigid ຮູ້ສຶກ - ຮ່າງກາຍ

ໃນຖານະເປັນ ASCUSIONS ASCUSIONS ASCOMS ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ 4 ນິ້ວທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ - ຜູ້ຜະລິດ, ທ່ານສາມາດຮັບປະກັນໄດ້ຮັບການປ້ອງກັນ 4 ນິ້ວ rigid ຮູ້ສຶກ - ຮ່າງກາຍຈາກໂຮງງານຜະລິດ Semetonduffor.

ເຕັກໂນໂລຍີບໍາລຸງຜິວຫນັງທີ່ມີຄວາມຄ່ອງແຄ້ວທີ່ສຸດແລະມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ ອຸປະກອນການຖືກອອກແບບມາສໍາລັບໃຊ້ໃນລະບົບການສນວນຄວາມຮ້ອນໃນ Silicon Carbide (SIC) ເປັນເອກະພາບໃນການຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນໃນການຄວບຄຸມ

ຄຸນລັກສະນະດ້ານວັດສະດຸແລະຂະບວນການ

desouthite ໂຄງສ້າງn

ການເສີມຂະຫຍາຍກາກບອນ Surface: ໂດຍຜ່ານຂະບວນການພິເສດເພື່ອໃຫ້ມີສ່ວນປະກອບໃນເສັ້ນໃຍກາກບອນແລະປ້ອງກັນການລ້າງອຸນຫະພູມທີ່ຫນາແຫນ້ນແລະມີການລ້າງເສັ້ນໃຍອາກາດ, ຫຼຸດຜ່ອນການປ່ອຍຕົວຂອງຄວາມບໍ່ສະອາດ.

ຂະບວນການເຊື່ອມໂຍງຫຼາຍຊັ້ນ: ຊັ້ນແກນແມ່ນເສັ້ນໄຍກາກບອນທີ່ຮູ້ສຶກ, ແລະຜ້າກາຟິກຫຼືຜ້າກາເຟແມ່ນຖືກຝັງຢູ່ກາງ. ຫຼັງຈາກການກັ່ນອຸນຫະພູມສູງສໍາຮອງ (≥2000℃), ໂຄງສ້າງຂອງວັດຖຸແມ່ນ densified ແລະຄວາມບໍ່ສະອາດໄດ້ຖືກກໍາຈັດເລິກ.

ຄວາມບໍລິສຸດຄວາມເປັນຈິງທີ່ບໍ່ສະອາດ

ເນື້ອໃນຂີ້ເຖົ່າ ash ≤10ppm, ຮັບປະກັນວ່າບໍ່ມີ ions ໂລຫະ, ປັບປຸງຄວາມບໍລິສຸດຂອງ Silicon Carbide Prolls ແລະ Contect Contrel Control Control Control Control Crystal Crystal ແລະ Control Level

ຂະບວນການປັບຕົວ

ສະພາບແວດລ້ອມການເຄືອບດ້ານທີ່ເຫມາະສົມ (ເຊັ່ນ: ການເຄືອບຮູບເງົາ, antioxidant)

ພາລາມິເຕີປະສິດທິພາບຫຼັກ

ຂົງເຂດແລະຂໍ້ດີຂອງການນໍາໃຊ້

Silicon Carbide Sing Crystal Firece Field Fieldtion

ໃນຂະນະທີ່ວັດສະດຸຫຼັກຂອງຊັ້ນລະບາຍຄວາມຮ້ອນ, ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍຄວາມຮ້ອນ, ຮັກສາອັດຕາການເຕີບໂຕຂອງອຸນຫະພູມ, ແລະຮັບປະກັນວ່າອັດຕາການເຕີບໂຕຂອງແກນ / ສີລັງສີ

ໃຊ້ກັບນຸ່ມທີ່ຮູ້ສຶກເພື່ອປະກອບເປັນໂຄງປະກອບການສນວນ gradient, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຮ້ອນຄວາມຮ້ອນແລະຂະຫຍາຍຊີວິດຂອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ.

ປະໂຫຍດດ້ານການແຂ່ງຂັນ

ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ: ຕົວຄູນຕ່ໍາຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE <2 ×10⁻⁶ /) ຄວາມຮ້ອນຊ shock ອກຄວາມຮ້ອນ, ເຫມາະສໍາລັບສະພາບອາກາດຮ້ອນແລະເຢັນ.

ເສດຖະກິດ: ປຽບທຽບກັບເນື້ອທີ່ອ່ອນທີ່ອ່ອນໂຍນ, ຊີວິດການບໍລິການແມ່ນເພີ່ມຂື້ນ 3-5 ຄັ້ງ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການທົດແທນແລະຕົ້ນທຶນການຜະລິດ.

ການປັບແຕ່ງ: ກະບອກສູບ, ຈານແລະຮູບແບບການປະມວນຜົນອື່ນໆ, ຄວາມຖືກຕ້ອງມິຕິລະດັບສູງເຖິງ± 0.5 ມມ, ເຫມາະສໍາລັບການອອກແບບເຕົາໄຟທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.

ກໍລະນີສະຫມັກແບບປົກກະຕິ

ເຕົາແກັດຄວາມກົດດັນສູງ Vacuuum: ເປັນໄສ້ຄວາມຮ້ອນ, ຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກພະລັງງານໂດຍຫຼາຍກ່ວາ 20%

ຂະຫນາດໃຫຍ່ Sic Crystal Crystal: ສໍາລັບເຕົາຜລຶກ Crystal 8 ນິ້ວ, ຄວາມຮ້ອນໃນສະຫນາມຄວາມຮ້ອນໃນສະຫນາມຮ້ອນ <1.5%