ຂ່າວ

ໃນໂລກຂອງ semiconductors ວົງກວ້າງ (WBG), ຖ້າຂະບວນການຜະລິດແບບພິເສດແມ່ນ "ຈິດວິນຍານ", ຕົວຍຶດ graphite ແມ່ນ "ກະດູກສັນຫຼັງ", ແລະການເຄືອບດ້ານຂອງມັນແມ່ນ "ຜິວຫນັງ."

ໃນໂລກທີ່ມີສະເຕກສູງຂອງເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, Silicon Carbide (SiC) ແລະ Gallium Nitride (GaN) ກໍາລັງເປັນຫົວຫນ້າການປະຕິວັດ - ຈາກຍານພາຫະນະໄຟຟ້າ (EVs) ໄປສູ່ໂຄງສ້າງພື້ນຖານພະລັງງານທົດແທນ. ແນວໃດກໍ່ຕາມ, ຄວາມແຂງກະດ້າງ ແລະ ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນທາງເຄມີຂອງວັດສະດຸເຫຼົ່ານີ້ ເຮັດໃຫ້ເກີດການຂັດຂວາງການຜະລິດທີ່ເປັນຕາຢ້ານ.

ໃນການຜະລິດ semiconductor, ຂະບວນການ Planarization ກົນຈັກເຄມີ (CMP) ແມ່ນຂັ້ນຕອນຫຼັກສໍາລັບການບັນລຸການວາງແຜນດ້ານ wafer, ກໍານົດໂດຍກົງຜົນສໍາເລັດຫຼືຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງຂັ້ນຕອນ lithography ຕໍ່ມາ. ໃນຖານະເປັນການບໍລິໂພກທີ່ສໍາຄັນໃນ CMP, ການປະຕິບັດຂອງ Slurry ຂັດແມ່ນປັດໃຈສູງສຸດໃນການຄວບຄຸມອັດຕາການໂຍກຍ້າຍ (RR), ຫຼຸດຜ່ອນຂໍ້ບົກພ່ອງ, ແລະເພີ່ມຜົນຜະລິດໂດຍລວມ.

ໃນໂລກທີ່ມີສະເຕກສູງຂອງການຜະລິດ semiconductor, ບ່ອນທີ່ສະພາບແວດລ້ອມຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຮ້າຍແຮງຢູ່ຮ່ວມກັນ, Silicon Carbide (SiC) ແຫວນແມ່ນຂາດບໍ່ໄດ້. ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນພິເສດ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ, ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນສໍາຄັນຕໍ່ຂະບວນການ etching plasma ກ້າວຫນ້າ. ຄວາມລັບທີ່ຢູ່ເບື້ອງຫລັງປະສິດທິພາບສູງຂອງພວກເຂົາແມ່ນຢູ່ໃນເຕັກໂນໂລຢີ Solid CVD (Chemical Vapor Deposition). ມື້ນີ້, ພວກເຮົາພາທ່ານໄປເບິ່ງເບື້ອງຫຼັງເພື່ອສຳຫຼວດເສັ້ນທາງການຜະລິດທີ່ເຂັ້ມງວດ—ຈາກແຜ່ນຮອງກາໄບທ໌ດິບ ໄປສູ່ “ພະເອກທີ່ເບິ່ງບໍ່ເຫັນ” ທີ່ມີຄວາມຊັດເຈນສູງຂອງແຟັບ.

ວັດສະດຸ quartz ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງມີບົດບາດສໍາຄັນໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ແລະຄຸນສົມບັດການສົ່ງຜ່ານແສງສະຫວ່າງເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາບໍລິໂພກທີ່ສໍາຄັນ. ຜະລິດຕະພັນ quartz ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບອົງປະກອບທັງສອງເຂດອຸນຫະພູມສູງແລະອຸນຫະພູມຕ່ໍາຂອງການຜະລິດ wafer, ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມສະອາດຂອງຂະບວນການຜະລິດ.

ດ້ວຍການຫັນປ່ຽນພະລັງງານຂອງໂລກ, ການປະຕິວັດ AI, ແລະຄື້ນຂອງເຕັກໂນໂລຊີຂໍ້ມູນຂ່າວສານການຜະລິດໃຫມ່, silicon carbide (SiC) ໄດ້ກ້າວຫນ້າຢ່າງໄວວາຈາກການເປັນ "ວັດສະດຸທີ່ມີທ່າແຮງ" ໄປສູ່ "ວັດສະດຸພື້ນຖານຍຸດທະສາດ" ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພິເສດຂອງມັນ.