ຂ່າວ

ຂ່າວ

ພວກເຮົາດີໃຈທີ່ຈະແບ່ງປັນກັບທ່ານກ່ຽວກັບຜົນຂອງການເຮັດວຽກຂອງພວກເຮົາ, ຂ່າວຂອງບໍລິສັດ, ແລະໃຫ້ທ່ານທັນເວລາການພັດທະນາແລະເງື່ອນໄຂການແຕ່ງຕັ້ງບຸກຄະລາກອນແລະໂຍກຍ້າຍ.
SiC ທຽບກັບ TaC Coating: ໄສ້ສຸດທ້າຍສໍາລັບ Graphite Susceptors ໃນການປະມວນຜົນເຄິ່ງພະລັງງານຄວາມຮ້ອນສູງ05 2026-03

SiC ທຽບກັບ TaC Coating: ໄສ້ສຸດທ້າຍສໍາລັບ Graphite Susceptors ໃນການປະມວນຜົນເຄິ່ງພະລັງງານຄວາມຮ້ອນສູງ

ໃນໂລກຂອງ semiconductors ວົງກວ້າງ (WBG), ຖ້າຂະບວນການຜະລິດແບບພິເສດແມ່ນ "ຈິດວິນຍານ", ຕົວຍຶດ graphite ແມ່ນ "ກະດູກສັນຫຼັງ", ແລະການເຄືອບດ້ານຂອງມັນແມ່ນ "ຜິວຫນັງ."
ມູນຄ່າທີ່ສຳຄັນຂອງການວາງແຜນກົນຈັກທາງເຄມີ (CMP) ໃນການຜະລິດເຊມິຄອນດັກເຕີລຸ້ນທີ 306 2026-02

ມູນຄ່າທີ່ສຳຄັນຂອງການວາງແຜນກົນຈັກທາງເຄມີ (CMP) ໃນການຜະລິດເຊມິຄອນດັກເຕີລຸ້ນທີ 3

ໃນໂລກທີ່ມີສະເຕກສູງຂອງເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, Silicon Carbide (SiC) ແລະ Gallium Nitride (GaN) ກໍາລັງເປັນຫົວຫນ້າການປະຕິວັດ - ຈາກຍານພາຫະນະໄຟຟ້າ (EVs) ໄປສູ່ໂຄງສ້າງພື້ນຖານພະລັງງານທົດແທນ. ແນວໃດກໍ່ຕາມ, ຄວາມແຂງກະດ້າງ ແລະ ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນທາງເຄມີຂອງວັດສະດຸເຫຼົ່ານີ້ ເຮັດໃຫ້ເກີດການຂັດຂວາງການຜະລິດທີ່ເປັນຕາຢ້ານ.
ກຸນແຈຂອງປະສິດທິພາບແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ: ການວິເຄາະຂອງ CMP Slurry Stability Control ແລະຍຸດທະສາດການຄັດເລືອກ30 2026-01

ກຸນແຈຂອງປະສິດທິພາບແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ: ການວິເຄາະຂອງ CMP Slurry Stability Control ແລະຍຸດທະສາດການຄັດເລືອກ

ໃນການຜະລິດ semiconductor, ຂະບວນການ Planarization ກົນຈັກເຄມີ (CMP) ແມ່ນຂັ້ນຕອນຫຼັກສໍາລັບການບັນລຸການວາງແຜນດ້ານ wafer, ກໍານົດໂດຍກົງຜົນສໍາເລັດຫຼືຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງຂັ້ນຕອນ lithography ຕໍ່ມາ. ໃນຖານະເປັນການບໍລິໂພກທີ່ສໍາຄັນໃນ CMP, ການປະຕິບັດຂອງ Slurry ຂັດແມ່ນປັດໃຈສູງສຸດໃນການຄວບຄຸມອັດຕາການໂຍກຍ້າຍ (RR), ຫຼຸດຜ່ອນຂໍ້ບົກພ່ອງ, ແລະເພີ່ມຜົນຜະລິດໂດຍລວມ.
ພາຍໃນການຜະລິດຂອງ Solid CVD SiC Focus Rings: ຈາກ Graphite ເຖິງພາກສ່ວນທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ23 2026-01

ພາຍໃນການຜະລິດຂອງ Solid CVD SiC Focus Rings: ຈາກ Graphite ເຖິງພາກສ່ວນທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ

ໃນໂລກທີ່ມີສະເຕກສູງຂອງການຜະລິດ semiconductor, ບ່ອນທີ່ສະພາບແວດລ້ອມຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຮ້າຍແຮງຢູ່ຮ່ວມກັນ, Silicon Carbide (SiC) ແຫວນແມ່ນຂາດບໍ່ໄດ້. ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນພິເສດ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ, ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນສໍາຄັນຕໍ່ຂະບວນການ etching plasma ກ້າວຫນ້າ. ຄວາມລັບທີ່ຢູ່ເບື້ອງຫລັງປະສິດທິພາບສູງຂອງພວກເຂົາແມ່ນຢູ່ໃນເຕັກໂນໂລຢີ Solid CVD (Chemical Vapor Deposition). ມື້ນີ້, ພວກເຮົາພາທ່ານໄປເບິ່ງເບື້ອງຫຼັງເພື່ອສຳຫຼວດເສັ້ນທາງການຜະລິດທີ່ເຂັ້ມງວດ—ຈາກແຜ່ນຮອງກາໄບທ໌ດິບ ໄປສູ່ “ພະເອກທີ່ເບິ່ງບໍ່ເຫັນ” ທີ່ມີຄວາມຊັດເຈນສູງຂອງແຟັບ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄວາມຫຼາກຫຼາຍຂອງ Quartz ໃນການຜະລິດ Semiconductor ແມ່ນຫຍັງ?14 2026-01

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄວາມຫຼາກຫຼາຍຂອງ Quartz ໃນການຜະລິດ Semiconductor ແມ່ນຫຍັງ?

ວັດສະດຸ quartz ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງມີບົດບາດສໍາຄັນໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ແລະຄຸນສົມບັດການສົ່ງຜ່ານແສງສະຫວ່າງເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາບໍລິໂພກທີ່ສໍາຄັນ. ຜະລິດຕະພັນ quartz ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບອົງປະກອບທັງສອງເຂດອຸນຫະພູມສູງແລະອຸນຫະພູມຕ່ໍາຂອງການຜະລິດ wafer, ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມສະອາດຂອງຂະບວນການຜະລິດ.
ການແກ້ໄຂຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງ Carbon Encapsulation ໃນ Substrates Silicon Carbide12 2026-01

ການແກ້ໄຂຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງ Carbon Encapsulation ໃນ Substrates Silicon Carbide

ດ້ວຍການຫັນປ່ຽນພະລັງງານຂອງໂລກ, ການປະຕິວັດ AI, ແລະຄື້ນຂອງເຕັກໂນໂລຊີຂໍ້ມູນຂ່າວສານການຜະລິດໃຫມ່, silicon carbide (SiC) ໄດ້ກ້າວຫນ້າຢ່າງໄວວາຈາກການເປັນ "ວັດສະດຸທີ່ມີທ່າແຮງ" ໄປສູ່ "ວັດສະດຸພື້ນຖານຍຸດທະສາດ" ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພິເສດຂອງມັນ.
X
ພວກເຮົາໃຊ້ cookies ເພື່ອສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີປະສົບການການຊອກຫາທີ່ດີກວ່າ, ວິເຄາະການເຂົ້າຊົມເວັບໄຊທ໌ແລະປັບແຕ່ງເນື້ອຫາ. ໂດຍການນໍາໃຊ້ເວັບໄຊທ໌ນີ້, ທ່ານຕົກລົງເຫັນດີກັບການນໍາໃຊ້ cookies ຂອງພວກເຮົາ. ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ
ປະຕິເສດ ຍອມຮັບ