ຂ່າວ

ການວິເຄາະຄວາມເລິກຂອງສາເຫດຂອງການເປັນສີເຫຼືອງຂອງແຂບແລະການປອກເປືອກຂອງສານເຄືອບ silicon carbide ສຸດ MOCVD epitaxy graphite susceptors. VeTek ກໍາຈັດຄວາມເຄັ່ງຕຶງຈຸນລະພາກໂດຍການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນຂອງອັດຕາເງິນຝາກ CVD ເບື້ອງຕົ້ນແລະພາກສະຫນາມການໄຫຼ, ເພີ່ມຜົນຜະລິດການເຄືອບຈາກ 50% ເປັນ 90% ແລະຍືດອາຍຸການບໍລິການຂອງຊິ້ນສ່ວນ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ.

ການແກ້ໄຂຄວາມຫນາຂອງຖົງໃສ່ກັບຖົງ 1.4% ໃນຫຼາຍຖົງຊິລິໂຄນ epitaxy graphite susceptors, VeTek Semi ປັບປຸງຄວາມຮາບພຽງຂອງ susceptor ເປັນ <0.08mm ແລະຫຼຸດລົງການປ່ຽນແປງເປັນ 0.69% ໂດຍຜ່ານການຈໍາລອງພາກສະຫນາມໄຫຼ CVD ແລະການເຄືອບ SiC ultra-precision, ຊຸກຍູ້ຜົນຜະລິດ wafer.

ຮຽນຮູ້ວິທີ Vetek ກໍາຈັດຮອຍແຕກ radial ໃນຂະຫນາດໃຫຍ່ MOCVD SiC-coated graphite susceptors. ການອອກແບບບັບເຟີຄວາມກົດດັນໂຄງສ້າງຄືນໃໝ່ & ການຈັບຄູ່ CTE ເພີ່ມຂຶ້ນ 300%+.

ທົດສະວັດຂອງການວິວັດທະນາການ SiC - ຈາກສິ່ງທ້າທາຍດ້ານການຄ້າ 4 ນິ້ວໃນຕອນຕົ້ນໄປສູ່ການຫັນປ່ຽນ wafer 8 ນິ້ວຂອງມື້ນີ້. ຄົ້ນພົບວິທີການເຄືອບ CVD SiC, Solid SiC, ແລະວັດສະດຸ TaC ເຮັດໃຫ້ການຜະລິດ semiconductor ທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

ຮຽນຮູ້ວິທີ CVD SiC-coated graphite susceptors ເສີມຂະຫຍາຍການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ໂດຍການປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນ, ແລະຍືດອາຍຸອົງປະກອບໃນການຜະລິດ SiC, GaN, LED, ແລະຊິລິຄອນ semiconductor.

ຄົ້ນພົບວິທີການເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນກາຟໄລທີ່ເຄືອບ TaC ປັບປຸງຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງອຸນຫະພູມ, ຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກພະລັງງານ, ແລະຍືດອາຍຸການບໍລິການໃນ GaN MOCVD epitaxy ເມື່ອທຽບກັບເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນທີ່ເຄືອບ pBN ທໍາມະດາ.

ຄົ້ນພົບວິທີການເຄືອບ CVD TaC ປັບປຸງການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ໃນເຕົາ PVT ໂດຍການຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນຂອງຄາບອນ, ປົກປ້ອງອົງປະກອບ graphite, ການຍືດອາຍຸການບໍລິການ, ແລະເສີມຂະຫຍາຍຄຸນນະພາບຂອງໄປເຊຍກັນສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor ກ້າວຫນ້າ.

ຄົ້ນພົບວ່າເປັນຫຍັງການເຄືອບ CVD TaC ຈຶ່ງກາຍເປັນທາງອອກປ້ອງກັນທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບອົງປະກອບ graphite semiconductor. ຮຽນຮູ້ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງມັນ, ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC, GaN MOCVD, ແລະ wafer carriers, ແລະວິທີການປັບປຸງຄວາມທົນທານ, ຄວາມບໍລິສຸດ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການ.

ຮຽນຮູ້ວິທີ VETEK Pyrolytic Carbon (PyC) coated graphite rings ປັບປຸງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນ, ແລະຍືດອາຍຸອົງປະກອບໃນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC, epitaxy, CVD, ແລະຂະບວນການ semiconductor ອຸນຫະພູມສູງ.

ຄົ້ນພົບວິທີການເຄືອບ CVD TaC ປັບປຸງການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ແລະການຜະລິດ semiconductor ດ້ວຍຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄວາມຕ້ານທານ corrosion, ການສະກັດກັ້ນຄວາມບໍ່ສະອາດ, ແລະການປະຕິບັດທີ່ດີກວ່າໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ MOCVD ແລະ epitaxy.

ກວດເບິ່ງອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນ Aixtron G10 ສໍາລັບລະບົບ SiC epitaxy ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ພວກເຮົາກວມເອົາພາກສ່ວນ graphite ເຄືອບ CVD SiC, ອົງປະກອບການເຄືອບ TaC, ແລະໂຄງສ້າງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ - ແລະວິທີທີ່ພວກມັນຊ່ວຍໃນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການ, ການຄວບຄຸມຄວາມບໍລິສຸດ, ແລະຜົນຜະລິດ wafer ໃນການຜະລິດ semiconductor ກ້າວຫນ້າ.

ຮຽນຮູ້ສິ່ງທີ່ອົງປະກອບ Halfmoon ຢູ່ໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາ LPE ແລະວິທີການທີ່ມັນສະຫນັບສະຫນູນສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນ, ການຄຸ້ມຄອງການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, ແລະໂຄງສ້າງເຕົາປະຕິກອນໃນລະບົບ SiC epitaxy. ສຳຫຼວດວັດສະດຸແກຟໄລ, ການເຄືອບ CVD SiC, ການເຄືອບ TaC, ແລະເທັກໂນໂລຍີເຄື່ອງປະຕິກອນ semiconductor ທີ່ທັນສະໄໝ.

ຕໍ່ສູ້ກັບອັດຕາຜົນຜະລິດຂອງ MicroLED ບໍ? ຄົ້ນພົບວ່າເປັນຫຍັງຜູ້ນໍາອຸດສາຫະກໍາກໍາລັງປ່ຽນໄປສູ່ຊັ້ນຍ່ອຍ SiC ແລະອົງປະກອບ MOCVD ທີ່ເຄືອບ TaC ເພື່ອແກ້ໄຂຄວາມກົດດັນດ້ານຄວາມຮ້ອນແລະການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກ. ຮຽນຮູ້ດ້ານເຕັກນິກຂອງ CVD SiC ສໍາລັບຈໍສະແດງຜົນ GaN ລຸ້ນຕໍ່ໄປ

ຄົ້ນຫາວິທີການເຄືອບ CVD SiC ໃນຂະບວນການ semiconductor, ລວມທັງໂຄງສ້າງຂອງມັນ, ຄຸນລັກສະນະການປະຕິບັດ, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ, ພ້ອມກັບຄວາມກ່ຽວຂ້ອງຂອງມັນໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.

CVD Solid SiC ມີມູນຄ່າການລົງທຶນບໍ? ປຽບທຽບ ROI ຂອງ monolithic SiC ທຽບກັບການເຄືອບ graphite ແບບດັ້ງເດີມ. ຮຽນຮູ້ວິທີການຕໍ່ຕ້ານ plasma ທີ່ດີກວ່າແລະຂະຫຍາຍ MTBC ແປເປັນອັດຕາການຂູດ wafer ຕ່ໍາແລະອຸປະກອນທີ່ສູງຂຶ້ນ uptime ສໍາລັບສາຍ HVM 12 ນິ້ວ.

ວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor. ຂະບວນການເຫຼົ່ານີ້ກ່ຽວຂ້ອງກັບຄວາມຮ້ອນທີ່ສຸດແລະສານເຄມີ corrosive. CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງທີ່ຈໍາເປັນ. ໃນປັດຈຸບັນມັນເປັນທາງເລືອກຕົ້ນຕໍສໍາລັບພາກສ່ວນອຸປະກອນທີ່ກ້າວຫນ້າເນື່ອງຈາກຄວາມບໍລິສຸດແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ.