ຂ່າວ

ຕົວຕ້ານທານກາໄບທີ່ເຄືອບ SiC ສໍາລັບ ASM ບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນສ່ວນທົດແທນພາຍໃນລະບົບ epitaxy. ມັນເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂະບວນການທີ່ສໍາຄັນທີ່ມີອິດທິພົນຕໍ່ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມສະອາດຂອງ wafer, ຄວາມທົນທານຂອງການເຄືອບ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຫ້ອງ, ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຜະລິດໃນໄລຍະຍາວ.

ການປົກຫຸ້ມຂອງ CVD TaC ບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນຝາປ້ອງກັນຫຼືອົງປະກອບ graphite ເຄືອບ. ໃນຂະບວນການ semiconductor ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ມັນສາມາດມີອິດທິພົນຕໍ່ຄວາມສະອາດຂອງຫ້ອງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ຊີວິດສ່ວນຫນຶ່ງ, ແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຂະບວນການ.

ໃນການຜະລິດ PECVD, ບັນຫາການເຄືອບແລະການຊຶມເຊື້ອຈໍານວນຫຼາຍບໍ່ໄດ້ເລີ່ມຕົ້ນດ້ວຍພະລັງງານ plasma ຫຼືເຄມີອາຍແກັສ. ພວກເຂົາເລີ່ມຕົ້ນດ້ວຍຜູ້ໃຫ້ບໍລິການທີ່ຖື wafers.