ຂ່າວ

sintering ການກົດດັນຮ້ອນແມ່ນວິທີການຕົ້ນຕໍສໍາລັບການກະກຽມ cramics sic ທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ. ຂະບວນການຂອງການກົດດັນຮ້ອນລວມມີ: ການເລືອກຜົງດິບທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ກົດແລະແມ່ພິມພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມກົດດັນສູງ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນ sintering. ວິທີການຂອງ Sic ceramics ທີ່ກຽມຕົວໂດຍວິທີການນີ້ມີຂໍ້ດີຂອງຄວາມບໍລິສຸດແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ແລະຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການປັ່ນປ່ວນແລະອຸປະກອນບໍາບັດຄວາມຮ້ອນສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ Wafer.

ວິທີການເຕີບໂຕທີ່ສໍາຄັນຂອງ Silicon carbide (SiC) ປະກອບມີ PVT, TSSG, ແລະ HTCVD, ແຕ່ລະຄົນມີຄວາມໄດ້ປຽບແລະຄວາມທ້າທາຍທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ວັດສະດຸສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ອີງໃສ່ຄາບອນເຊັ່ນລະບົບສນວນ, ຮອຍແຕກ, ການເຄືອບ TaC, ແລະ graphite porous ເສີມຂະຫຍາຍການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງຜລຶກໂດຍການສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ແລະຄວາມບໍລິສຸດ, ທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການ fabrication ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຊັດເຈນຂອງ SiC.

SiC ມີຄວາມແຂງສູງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor. ການເຄືອບ CVD SiC ຖືກສ້າງຂື້ນໂດຍຜ່ານການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ, ສະຫນອງການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ສະຖຽນລະພາບທາງເຄມີ, ແລະການຈັບຄູ່ຄົງທີ່ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial. ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕໍ່າແລະຄວາມແຂງສູງຂອງມັນຮັບປະກັນຄວາມທົນທານແລະຄວາມແມ່ນຍໍາ, ເຮັດໃຫ້ມັນຈໍາເປັນໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຊັ່ນ: wafer, ວົງ preheating, ແລະອື່ນໆ. VeTek Semiconductor ຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບ SiC ທີ່ກໍາຫນົດເອງສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການຂອງອຸດສາຫະກໍາທີ່ຫລາກຫລາຍ.