ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ການເຄືອບ CVD TAC ແມ່ນຂະບວນການສໍາລັບການເຄືອບທີ່ຫນາແລະທົນທານຕໍ່ການເຄືອບທີ່ຫນາແຫນ້ນແລະທົນທານຕໍ່ substrate (graphite). ວິທີການນີ້ກ່ຽວຂ້ອງກັບການນໍາໃຊ້ tac ໃສ່ຫນ້າດິນຍ່ອຍໃນອຸນຫະພູມສູງ, ເຊິ່ງໄດ້ຮັບການເຄືອບດ້ວຍຄວາມທົນທານຂອງ tantalum (tac).

ໃນຖານະເປັນຂະບວນການ silicon carbide 8 ນິ້ວ (sic) ສຸກ, ຜູ້ຜະລິດແມ່ນເລັ່ງການປ່ຽນຈາກ 6 ນິ້ວຫາ 8 ນິ້ວ. ເມື່ອມໍ່ໆມານີ້, ກ່ຽວກັບ semicondortor ແລະ resonac ປະກາດການປັບປຸງການຜະລິດ sic 8 ນິ້ວ.

ບົດຄວາມນີ້ແນະນໍາການພັດທະນາຫລ້າສຸດໃນເຄື່ອງປະຕິກອນ CVD ຝາຮ້ອນ PE1O8 ທີ່ອອກແບບໃຫມ່ຂອງບໍລິສັດອິຕາລີ LPE ແລະຄວາມສາມາດຂອງຕົນໃນການປະຕິບັດເອກະພາບ 4H-SiC epitaxy ໃນ 200mm SiC.